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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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三安宣布進(jìn)軍美洲市場,為市場提供SiC和GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)品
1月8日,Luminus Devices宣布,湖南三安半導(dǎo)體與其簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議,Luminus將成為湖南三安SiC和GaN產(chǎn)品在美洲的獨(dú)家銷售渠道,...
三菱電機(jī)推出“SLIMDIP-Z”功率半導(dǎo)體模塊
三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布,其新型SLIMDIP-Z功率半導(dǎo)體模塊將于2023年2月發(fā)布,該模塊具有30A的高額定電流,主要應(yīng)用于家用電器逆變器系統(tǒng)。該緊湊型...
那個(gè)高喊“不造車”的華為進(jìn)軍發(fā)力汽車市場,一時(shí)間風(fēng)云又四起
外界剖析,今年美國政府制裁加劇,華為芯片業(yè)務(wù)受阻,今年?duì)I收恐下降,而對于去年剛成立的汽車BU,這種短期內(nèi)不能產(chǎn)生效益的部門,與消費(fèi)者BG的整合或許是不錯(cuò)的方式。
2020-12-03 標(biāo)簽:華為功率半導(dǎo)體智能網(wǎng)聯(lián)汽車 1822 0
DISCO財(cái)報(bào)亮眼:晶圓切割機(jī)需求激增,二季度營收創(chuàng)新高
晶圓切割機(jī)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)DISCO近日發(fā)布了其2024財(cái)年第一季度(即2024年4月至6月)的財(cái)務(wù)報(bào)告,數(shù)據(jù)表現(xiàn)極為搶眼。該季度,DISCO實(shí)現(xiàn)了合并營...
2024-07-23 標(biāo)簽:晶圓功率半導(dǎo)體DISCO 1819 0
納微半導(dǎo)體GaNSafe?氮化鎵功率芯片正式通過車規(guī)認(rèn)證
? 納微高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片已達(dá)到電動(dòng)汽車所需的量產(chǎn)表現(xiàn),可為車載充電機(jī)(OBC)和高壓轉(zhuǎn)低壓的DC-DC變換器解鎖前所未有的功率密度和效...
2025-04-17 標(biāo)簽:氮化鎵功率半導(dǎo)體功率芯片 1809 0
華潤微擬向特定對象發(fā)行A股股票募集資金總額不超過50億元
據(jù)公告,華潤微功率半導(dǎo)體封測基地建設(shè)項(xiàng)目總占地面積約100畝,規(guī)劃總建筑面積約12萬㎡。本項(xiàng)目預(yù)計(jì)建設(shè)期為3年,項(xiàng)目總投資420,000萬元,擬投入募集...
2020-10-26 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體華潤微電子封測 1806 0
安世半導(dǎo)體熱插拔MOSFET與碳化硅二極管入圍年度功率半導(dǎo)體
? ? ? 一年一度的全球電子成就獎(jiǎng)評選(World Electronics Achievement Awards)正在火熱進(jìn)行中,該獎(jiǎng)項(xiàng)旨在評選并表彰...
2023-08-28 標(biāo)簽:二極管電流功率半導(dǎo)體 1804 0
功率半導(dǎo)體是電機(jī)逆變器的關(guān)鍵部件
電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的獨(dú)特和特定要求需要一種新的 IGBT 設(shè)計(jì)方法。使用正確的 IGBT 技術(shù),可以創(chuàng)建更適合滿足這些需求的模塊。這是英飛凌采用其最新一代 I...
納微GaNFast?氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機(jī)Galaxy S23采用
從三星S22到S23,下一代GaNFast?技術(shù)持續(xù)在超便攜、超快充的手機(jī)市場中取代傳統(tǒng)硅功率芯片
2023-11-03 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車OLED屏氮化鎵 1777 0
英飛凌首個(gè)CoolMOS家族芯片現(xiàn)已開始面向全球發(fā)貨
英飛凌科技股份公司已在生產(chǎn)基于300毫米薄晶圓的功率半導(dǎo)體方面取得了重大突破。今年2月,從奧地利費(fèi)拉赫工廠的300毫米生產(chǎn)線走下來的英飛凌CoolMOS...
2013-02-25 標(biāo)簽:英飛凌晶圓功率半導(dǎo)體 1776 0
第三代功率半導(dǎo)體廠商納微半導(dǎo)體榮獲領(lǐng)益智造“金石供應(yīng)商”稱號
? 日前,廣東領(lǐng)益智造股份有限公司(簡稱“領(lǐng)益智造”)2025年供應(yīng)商大會(huì)于廣東深圳領(lǐng)益大廈成功召開。納微達(dá)斯(無錫)半導(dǎo)體有限公司(簡稱“納微半導(dǎo)體”...
2025-03-14 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體納微半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體 1771 0
未來十年將是GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場,將以18%速度增長
在未來十年,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng),新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。據(jù)有...
2013-04-26 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 1771 0
功率半導(dǎo)體分立器件基礎(chǔ)知識(shí)點(diǎn)介紹
功率半導(dǎo)體分立器件的主要工藝流程包括:在硅圓片上加工芯片(主要流程為薄膜制造、曝光和刻蝕),進(jìn)行芯片封裝,對加工完畢的芯片進(jìn)行技術(shù)性能指標(biāo)測試,其中主要...
2023-02-07 標(biāo)簽:芯片分立器件功率半導(dǎo)體 1770 0
NI收購SET GmbH,加速功率半導(dǎo)體和航空航天測試系統(tǒng)的開發(fā)
NI宣布收購 SET GmbH(簡稱“SET”)。SET是長期專注于航空航天和國防測試系統(tǒng)開發(fā)的專家,也是功率半導(dǎo)體可靠性測試領(lǐng)域的創(chuàng)新者。加入NI后,...
2023-03-15 標(biāo)簽:NI功率半導(dǎo)體航空航天 1766 0
使用 WBG 材料的射頻功率半導(dǎo)體解決了 5G 應(yīng)用中的許多技術(shù)挑戰(zhàn),縮小了與舊的基于硅的技術(shù)之間的差距。 5G 技術(shù)的進(jìn)步正在推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)面臨新的技...
A股七大功率半導(dǎo)體廠商開啟了新一輪的擴(kuò)產(chǎn)周期
在5G通信領(lǐng)域,GSMA預(yù)計(jì)到2025年全球移動(dòng)運(yùn)營商的資本支出將達(dá)到1.1萬億美元,其中80%用于5G基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè),5G將帶動(dòng)基站電源硅含量的提升,推...
2021-04-01 標(biāo)簽:芯片新能源汽車功率半導(dǎo)體 1745 0
IGBT全球缺貨成香餑餑,對從業(yè)者來說是紅利期到了嗎?
IGBT技術(shù)路線、發(fā)展機(jī)遇詳解
2023-03-28 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率半導(dǎo)體 1723 0
國內(nèi)各家(英飛凌、安森美)車載IGBT的產(chǎn)品性能上的對比情況車載IGBT分為幾個(gè)層級,主要分為A0/A00級以下,A級車,還有一些專用車?yán)缥锪骱痛蟀蛙?..
2023-11-23 標(biāo)簽:英飛凌IGBT功率半導(dǎo)體 1722 0
在上一屆Nexperia Power 現(xiàn)場活動(dòng)中,許多行業(yè)領(lǐng)袖討論了與氮化鎵技術(shù)相關(guān)的不同話題。作為一種材料,在許多應(yīng)用中,GaN 似乎比硅具有顯著的內(nèi)...
忱芯科技創(chuàng)始人兼CEO毛賽君博士曾經(jīng)表示,相較于市場普遍預(yù)期的2025年左右碳化硅功率半導(dǎo)體模塊方案才將具有綜合成本優(yōu)勢,公司認(rèn)為行業(yè)已經(jīng)開始出現(xiàn)超出市...
2023-10-08 標(biāo)簽:發(fā)生器功率半導(dǎo)體碳化硅 1712 0
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