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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱(chēng)為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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? ? ? 日本媒體報(bào)道稱(chēng)日本羅姆(ROHM)12月將開(kāi)始量產(chǎn)下一代功率半導(dǎo)體。原材料是碳化硅(SiC),羅姆花費(fèi)約20年推進(jìn)了研發(fā)。據(jù)稱(chēng),羅姆在福岡縣...
2022-11-28 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 780 0
功率半導(dǎo)體在電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)嶄露頭角
近年來(lái),隨著電動(dòng)車(chē)滲透率的逐步提升,在各類(lèi)汽車(chē)半導(dǎo)體產(chǎn)品中,功率半導(dǎo)體無(wú)疑是受益最大的領(lǐng)域;其高效能與低損耗特性,為電動(dòng)車(chē)的續(xù)航提升與性能優(yōu)化提供了堅(jiān)實(shí)...
2024-12-04 標(biāo)簽:MOSFETIGBT汽車(chē)產(chǎn)業(yè) 776 0
第三代半導(dǎo)體器件封裝:挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存
一、引言隨著科技的不斷發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件在電力電子系統(tǒng)、電動(dòng)汽車(chē)、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。近年來(lái),第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件...
2025-02-15 標(biāo)簽:芯片封裝功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 773 0
國(guó)內(nèi)碳化硅功率半導(dǎo)體元件市場(chǎng)迎來(lái)高速增長(zhǎng)
電動(dòng)汽車(chē)和新能源的需求蓬勃增長(zhǎng)正在推動(dòng)碳化硅功率半導(dǎo)體元件市場(chǎng)的擴(kuò)張。中國(guó)的碳化硅外延片生產(chǎn)商,在瀚天天成和天域半導(dǎo)體十多年的積累后,乘著新能源的東風(fēng),...
2024-04-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體碳化硅 773 0
近日,全球矚目的德國(guó)紐倫堡電力電子系統(tǒng)及元器件展覽會(huì)(PCIM Europe)于當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月11日至13日盛大舉行。作為電力電子行業(yè)的年度盛事,PCIM...
2024-06-17 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體pcim宏微科技 772 0
6月2日,韓國(guó)新簽了一個(gè)氮化鎵項(xiàng)目,總投資額接近11億元人民幣。
中微半導(dǎo)體帶你見(jiàn)證國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體崛起
? ? 作為現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ),功率半導(dǎo)體器件在物聯(lián)網(wǎng)、新能源、節(jié)能環(huán)保、智能電網(wǎng)及電機(jī)等各領(lǐng)域廣泛應(yīng)用,國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)也迎來(lái)良好的發(fā)展前景和巨大的...
2022-12-06 標(biāo)簽:mcuMOSFET中微半導(dǎo)體 767 0
宏微科技將參加2024德國(guó)紐倫堡電力電子系統(tǒng)及元器件展覽會(huì)
德國(guó)紐倫堡電力電子系統(tǒng)及元器件展覽會(huì)(PCIM Europe)是歐洲最高質(zhì)量的電力電子系統(tǒng)及元器件展覽會(huì),具有40多年歷史,匯集了全球范圍內(nèi)的專(zhuān)業(yè)人士、...
2024-05-21 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)功率半導(dǎo)體光伏儲(chǔ)能 764 0
2023年GaN功率半導(dǎo)體增加數(shù)據(jù)中心和電動(dòng)汽車(chē)的可持續(xù)性法規(guī)
隨著電氣化大趨勢(shì)的強(qiáng)勁勢(shì)頭和越來(lái)越多的包含半導(dǎo)體的產(chǎn)品,經(jīng)濟(jì)的贏家和輸家將主要取決于那些能夠更好地管理其供應(yīng)鏈的人,這些供應(yīng)鏈不僅能夠?yàn)槠髽I(yè)和消費(fèi)者生產(chǎn)...
2022-11-29 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)數(shù)據(jù)中心功率半導(dǎo)體 763 0
新能源汽車(chē)對(duì)功率半導(dǎo)體需求帶動(dòng)有多大?
導(dǎo)語(yǔ):功率半導(dǎo)體的三大主角,IGBT、SiC和GaN,其中在光伏和風(fēng)電兩大新能源行業(yè)中,IGBT的需求量最大。 ? 1月17日,工信部、能源局等六部門(mén)聯(lián)...
2023-02-03 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)功率半導(dǎo)體 761 0
功率半導(dǎo)體市場(chǎng)復(fù)蘇跡象明顯,行業(yè)需求回暖
近期,功率半導(dǎo)體市場(chǎng)傳出逐步走出谷底的消息,引起業(yè)內(nèi)廣泛關(guān)注。多家國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)表示,市場(chǎng)需求開(kāi)始回升,尤其是在低壓與中壓功率器件領(lǐng)域,業(yè)者們對(duì)未來(lái)的市...
2024-10-09 標(biāo)簽:AI功率器件功率半導(dǎo)體 759 0
英飛凌與AWL-Electricity合作優(yōu)化無(wú)線(xiàn)功率傳輸
全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司,近日宣布與加拿大兆赫級(jí)電容耦合諧振式功率傳輸技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者AWL-Electricity建立合作關(guān)...
2024-10-28 標(biāo)簽:英飛凌物聯(lián)網(wǎng)功率半導(dǎo)體 759 0
盛夏時(shí)節(jié),2024慕尼黑上海電子展(electronica China)在中國(guó)上海盛大開(kāi)幕。這是中國(guó)電子行業(yè)一年一度的矚目盛事,集結(jié)近1600家國(guó)內(nèi)外一...
2024-08-14 標(biāo)簽:汽車(chē)電子功率半導(dǎo)體數(shù)字源表 758 0
安世半導(dǎo)體熱插拔專(zhuān)用ASFET斬獲年度功率半導(dǎo)體產(chǎn)品獎(jiǎng)
由 AspenCore 主辦的 2023 國(guó)際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)(IIC)已于 11 月 2 日在深圳順利舉辦。
2023-11-07 標(biāo)簽:集成電路熱插拔功率半導(dǎo)體 752 0
瑞薩電子宣布為擴(kuò)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)能重啟甲府工廠(chǎng)
近日,瑞薩電子宣布,考慮到EV(電動(dòng)汽車(chē))需求不斷增長(zhǎng),為擴(kuò)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)能重啟甲府工廠(chǎng)(山梨縣甲斐市)。
2024-04-14 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)MOSFETIGBT 751 0
新潔能推出第三代40V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品
作為國(guó)內(nèi)MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一,新潔能始終致力于功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的突破,其研發(fā)團(tuán)隊(duì)持續(xù)創(chuàng)新,正式推出第三代SGT產(chǎn)品Gen.3 SGT ...
2025-06-11 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體新潔能 750 0
三菱電機(jī)供應(yīng)12英寸功率半導(dǎo)體芯片
三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布,其功率器件制作所(Power Device Works)福山工廠(chǎng)即日起開(kāi)始大規(guī)模供應(yīng)采用12英寸硅(Si)晶圓制造的功率半導(dǎo)體芯片...
電子制造人看過(guò)來(lái)!NEPCON China 2024四大行業(yè)主題日開(kāi)啟探索行業(yè)新價(jià)值!
NEPCON China 2024將于2024年4月24-26日在上海世博展覽館隆重舉行,匯集SMT國(guó)內(nèi)外頭部企業(yè),集結(jié)表面貼裝及印刷、半導(dǎo)體封測(cè)、測(cè)試...
2024-04-22 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體Nepcon 747 0
納維科技邀您參加“2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議”
4月26-28日,“2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議(CSPSD 2024)”將于成都召開(kāi)。
2024-04-24 標(biāo)簽:集成電路晶圓芯片設(shè)計(jì) 745 0
見(jiàn)證功率半導(dǎo)體歷史:SiC碳化硅MOSFET價(jià)格首次低于IGBT!
進(jìn)入2025年以來(lái),全行業(yè)出現(xiàn)SiC碳化硅MOSFET價(jià)格開(kāi)始低于傳統(tǒng)IGBT的現(xiàn)象,比行業(yè)認(rèn)知提前十幾年見(jiàn)證功率半導(dǎo)體歷史拐點(diǎn):SiC碳化硅MOSFE...
2025-03-03 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 745 0
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