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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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三菱電機斥資100億日元新建專門封測工廠,提升功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)效率
? ? 三菱電機本月正式宣布計劃投資約 100 億日元,在其位于日本福岡縣福岡市的功率器件制作所新建一座功率半導(dǎo)體模塊封裝與測試工廠,目標(biāo) 2026 年...
2024-11-29 標(biāo)簽:三菱電機功率半導(dǎo)體封測 802 0
高壓低漏電開關(guān)矩陣RM1013-HV,滿足功率半導(dǎo)體參數(shù)測試應(yīng)用!
10x24高壓低漏電開關(guān)矩陣——RM1013-HV,能夠在小于300pA的偏置電流滿足3000V高壓測量,完成各種高精度的半導(dǎo)體表征測試。能夠深入剖析并...
2024-12-02 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體開關(guān)矩陣 696 0
功率半導(dǎo)體市場目前正在經(jīng)歷庫存調(diào)整,幾乎涵蓋了從消費到汽車再到工業(yè)等所有垂直市場。然而,在數(shù)據(jù)中心人工智能 (AI) 等應(yīng)用中,功率半導(dǎo)體正大放異彩,同...
來源:三菱電機官網(wǎng) 三菱電機集團11月20日宣布,將投資約100億日元(約4.67億元),在日本福岡縣的功率器件制作所建設(shè)一座新的功率半導(dǎo)體模塊封裝與測...
2024-11-22 標(biāo)簽:模塊三菱電機功率半導(dǎo)體 556 0
三菱電機集團近日宣布,將投資約100億日元,在日本福岡縣的功率器件制作所建設(shè)一座新的功率半導(dǎo)體模塊封裝與測試工廠。該計劃最初于2023年3月14日宣布,...
2024-11-20 標(biāo)簽:三菱電機功率器件功率半導(dǎo)體 1226 0
碳化硅(SiC)器件在電力電子領(lǐng)域中因其高效、高溫和高頻特性而被廣泛應(yīng)用。尤其在電動汽車、光伏逆變器、高壓電源、工業(yè)電機驅(qū)動等對功率密度、轉(zhuǎn)換效率以及工...
2024-11-18 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體博世 1476 0
近日,在備受矚目的2024年度全球電子成就獎頒獎典禮上,聞泰科技半導(dǎo)業(yè)務(wù)憑借其1200V SiC(碳化硅)MOSFET在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越表現(xiàn),榮獲“...
2024-11-18 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 1012 0
投資近5億,林眾電子研發(fā)及智能質(zhì)造中心正式啟用
來源:上海林眾電子科技有限公司 2024年11月11日,上海林眾電子科技有限公司(以下簡稱林眾電子)研發(fā)及智能質(zhì)造中心正式啟用。其位于上海市松江區(qū),占地...
2024-11-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT功率半導(dǎo)體 650 0
三菱電機集團近日宣布,其功率器件制作所(Power Device Works)福山工廠即日起開始大規(guī)模供應(yīng)采用12英寸硅(Si)晶圓制造的功率半導(dǎo)體芯片...
近日,上海貝嶺市場工業(yè)市場經(jīng)理冒晶晶受邀參加由全球技術(shù)信息集團 ASPENCORE舉辦的“IIC SHENZHEN-國際集成電路展覽會暨研討會”。會議中...
2024-11-14 標(biāo)簽:集成電路功率半導(dǎo)體上海貝嶺 716 0
年度傳感器產(chǎn)品、年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動器產(chǎn)品、年度最具潛力第三代半導(dǎo)體技術(shù)……安森美(onsemi)一舉入圍2024年度全球電子成就獎四大獎項,一起細(xì)數(shù)入圍產(chǎn)品。
2024-11-14 標(biāo)簽:安森美圖像傳感器功率半導(dǎo)體 880 0
功率半導(dǎo)體性能表征的關(guān)鍵技術(shù)研究與應(yīng)用分析
引言 全球能源結(jié)構(gòu)的變革深刻影響著電力電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,以IGBT為代表的功率半導(dǎo)體器件是電力電子設(shè)備能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)年P(guān)鍵,在新能源汽車、光伏儲能、軌道交...
2024-11-12 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體 522 0
Nexperia榮獲2024年度全球電子成就獎之年度功率半導(dǎo)體產(chǎn)品獎
在2024年度全球電子成就獎的頒獎典禮上,安世半導(dǎo)體憑借其1200 V SiC(碳化硅)MOSFET在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越表現(xiàn),榮獲“年度功率半導(dǎo)體產(chǎn)品...
2024-11-12 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體碳化硅 908 0
納微半導(dǎo)體發(fā)布全球首款8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源
唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日發(fā)布...
2024-11-08 標(biāo)簽:電源GaN功率半導(dǎo)體 1228 0
比亞迪半導(dǎo)、方正微電子、芯聯(lián)集成領(lǐng)銜!國產(chǎn)SiC突破,主驅(qū)芯片國產(chǎn)替代起步
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 2024年,國產(chǎn)SiC模塊上車加速。據(jù)電子發(fā)燒友不完全統(tǒng)計,2023年公開的國產(chǎn)SiC車型合計142款,乘用車76款,僅僅在2...
2024-11-01 標(biāo)簽:比亞迪SiC功率半導(dǎo)體 7032 0
英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓,突破技術(shù)極限并提高能效
?英飛凌是首家掌握20μm超薄功率半導(dǎo)體晶圓處理和加工技術(shù)的公司;?通過降低晶圓厚度將基板電阻減半,進而將功率損耗減少15%以上;?新技術(shù)可用于各種應(yīng)用...
2024-10-31 標(biāo)簽:英飛凌晶圓功率半導(dǎo)體 561 0
英飛凌宣布推出全球最薄硅功率晶圓,國產(chǎn)器件同質(zhì)化競爭的情況要加劇了?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/吳子鵬)日前,英飛凌宣布推出全球最薄硅功率晶圓,成為首家掌握20μm超薄功率半導(dǎo)體晶圓處理和加工技術(shù)的公司。晶圓直徑為300mm,...
2024-10-31 標(biāo)簽:英飛凌晶圓功率半導(dǎo)體 3366 0
在半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,英飛凌再次取得了新的里程碑。近日,該公司宣布成功推出全球最薄的硅功率晶圓,這一突破性進展展示了英飛凌在半導(dǎo)體材料處理方面的卓越實力。
德州儀器日本會津工廠投產(chǎn)GaN功率半導(dǎo)體
近日,德州儀器(TI)宣布了一個重要的里程碑事件:其基于氮化鎵(GaN)的功率半導(dǎo)體已在日本會津工廠正式投產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著德州儀器在GaN功率半導(dǎo)體領(lǐng)...
2024-10-30 標(biāo)簽:德州儀器GaN功率半導(dǎo)體 887 0
德州儀器正式投產(chǎn)氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品,展現(xiàn)自有制造能力新高度
德州儀器(TexasInstruments,TI)近期在其位于日本會津的工廠正式投產(chǎn)基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品,此舉標(biāo)志著該公司在GaN半...
2024-10-30 標(biāo)簽:德州儀器氮化鎵功率半導(dǎo)體 565 0
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