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標簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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YAGEO與Pulse產(chǎn)品在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的應(yīng)用
隨著物聯(lián)網(wǎng)(IoT)技術(shù)的快速發(fā)展,設(shè)備之間的高效、可靠連接成為關(guān)鍵課題。在物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)中,集成連接器模塊、功率器件與保護器件的協(xié)同應(yīng)用,不僅能確保數(shù)據(jù)與...
2025-04-25 標簽:物聯(lián)網(wǎng)保護器件功率器件 255 0
概倫電子功率器件及電源芯片設(shè)計分析驗證工具PTM介紹
PTM是一款應(yīng)用于功率器件和電源芯片的設(shè)計分析套件,支持高精度提取Rdson、驗證器件的開關(guān)行為,以此提高IC產(chǎn)品的可靠性和壽命,已獲得頂級IDM和設(shè)計...
UCC14240-Q1 汽車類 2.0W、24Vin、25Vout 高密度 > 3kVRMS 隔離式直流/直流模塊數(shù)據(jù)手冊
UCC14240-Q1 是一款符合汽車標準的高隔離電壓 DC/DC 電源模塊,旨在為 IGBT 或 SiC 柵極驅(qū)動器供電。UCC14240-Q1 將變...
大聯(lián)大品佳集團推出基于Infineon核心技術(shù)的 48V EEA方案 引領(lǐng)未來
品佳集團推出基于Infineon技術(shù)的48V EEA方案,兼容12V與48V平臺,支持多種負載類型,具備高安全性、靈活性和可擴展性,滿足新型電動汽車的多...
AiP2180是一款高速中壓全橋驅(qū)動電路。該電路主要用于驅(qū)動中壓功率器件,如N型MOSFET或IGBT等,電路內(nèi)置可調(diào)死區(qū)控制,可以調(diào)節(jié)驅(qū)動效率,支持獨...
射頻微波(RF&Microwave)技術(shù)是利用300MHz~300GHz頻段電磁波實現(xiàn)信息傳輸、能量轉(zhuǎn)換與傳遞的核心技術(shù)。隨著航空航天、無線通信...
2025-04-09 標簽:功率器件無線電通信微波射頻技術(shù) 360 0
電源ic U5402通過硬件電路實現(xiàn)雙通道輸入的信號互鎖,確保高低側(cè)驅(qū)動信號無法同時導(dǎo)通,避免功率器件(如MOSFET/IGBT)因直通電流導(dǎo)致短路損壞...
UCC24610 次級側(cè)同步整流器控制器數(shù)據(jù)手冊
這款 GREEN 整流器控制器是一款高性能控制器和驅(qū)動器,適用于用于低壓次級側(cè)同步整流的標準和邏輯電平 N 溝道 MOSFET 功率器件。 控制器...
在研究逆變電路的損耗時,所使用的功率器件選型也非常重要。不僅要實現(xiàn)預(yù)期的電路工作和特性,同時還需要進行優(yōu)化以將損耗降至更低。本文將功率器件的損耗分為開關(guān)...
2025-03-27 標簽:轉(zhuǎn)換器仿真功率器件 766 0
UCC24630 具有超低待機電流的同步整流控制器數(shù)據(jù)手冊
UCC24630 SR 控制器是一款高性能控制器和驅(qū)動器,用于用于次級側(cè)同步整流的 N 溝道 MOSFET 功率器件。 控制器和 MOSFET 的...
GaN驅(qū)動技術(shù)手冊免費下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動電路設(shè)計方案
GaN驅(qū)動技術(shù)手冊免費下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動電路設(shè)計方案
金屬基板 | 全球領(lǐng)先技術(shù)DOH工藝與功率器件IGBT熱管理解決方案
DOH:DirectonHeatsink,熱沉。DOH工藝提升TEC、MOSFET、IPM、IGBT等功率器件性能提升,解決孔洞和裂紋問題提升產(chǎn)品良率及...
基本半導(dǎo)體產(chǎn)品在125kW工商業(yè)儲能PCS中的應(yīng)用
在工商業(yè)儲能系統(tǒng)中,儲能變流器(PCS)是核心組件之一,其性能直接影響整個系統(tǒng)的效率和可靠性。隨著碳化硅(SiC)功率器件的廣泛應(yīng)用,儲能PCS的效率、...
DOH技術(shù)工藝方案解決陶瓷基板DBC散熱挑戰(zhàn)問題
引言:隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,功率器件對散熱性能和可靠性的要求不斷提高。陶瓷基板作為功率器件散熱封裝中的關(guān)鍵材料,以其優(yōu)異的電絕緣性、高熱導(dǎo)率和機械強度...
基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合開關(guān)器件綜述
拿到一個ST的宣傳材料,該資料介紹了Si/SiC混合功率器件可能是過渡到全SiC的中間方案,也找了文章了解了一下原理。資料有限,標題的問題沒找到答案。有...
GaN Systems易于驅(qū)動的GaN功率器件技術(shù)文檔詳解
GaN Systems易于驅(qū)動的GaN功率器件技術(shù)文檔
隨著5G時代的到來,電子技術(shù)向著高功率、高密度和集成化的方向發(fā)展,對于大功率器件的封裝,如IGBT、MOS、大功率LED等,也相應(yīng)地對焊接材料提出了更高...
2025-02-27 標簽:功率器件半導(dǎo)體封裝回流焊 535 0
具有集成驅(qū)動器和自我保護功能的GaN FET如何實現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計
德州儀器(TI)推出了一種新的集成氮化鎵(GaN)功率級產(chǎn)品家族,該家族采用了一種低成本緊湊的四方扁平無引線(OFN)封裝,封裝尺寸為12毫米x12毫米...
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