PTM功率器件及電源芯片設(shè)計(jì)分析驗(yàn)證
產(chǎn)品簡介
PTM是一款應(yīng)用于功率器件和電源芯片的設(shè)計(jì)分析套件,支持高精度提取Rdson、驗(yàn)證器件的開關(guān)行為,以此提高IC產(chǎn)品的可靠性和壽命,已獲得頂級IDM和設(shè)計(jì)公司的認(rèn)可和采用。
PTM采用先進(jìn)的3D求解器和簡潔易用的查看器,用戶可以輕松進(jìn)行交叉關(guān)聯(lián)分析,并通過場景視圖直觀查看分析結(jié)果。
結(jié)合專有的邊緣基三維網(wǎng)格生成技術(shù)和64位數(shù)值求解器,PTM能夠精確地計(jì)算金屬、多晶互連和過孔的非均勻電流分布,并利用仿真鍵合線精確提取大功率晶體管陣列的Rdson。
PTM還可協(xié)助展示版圖的電流密度、電遷移違規(guī)問題,其中電流密度和電壓分布可通過2D或橫切部面圖形式呈現(xiàn)。設(shè)計(jì)師可通過局部增加網(wǎng)格密度提高精度,并充分掌控終端布局與激勵(lì)情況,搭配電壓控制電壓源(VCVS)的測試臺(tái),以輔助高精度傳感器件設(shè)計(jì)。
同時(shí),PTM支持功率器件Die、Package和PCB的協(xié)同設(shè)計(jì),以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)最佳熱性能,滿足電熱需求,并避免過度設(shè)計(jì)或封裝成本的大幅增加。
產(chǎn)品優(yōu)勢
高精提取
·支持高精度提取和優(yōu)化Rdson
高效驗(yàn)證
·仿真、驗(yàn)證器件中的電遷移問題、IR drop問題和門級延遲問題
大容量&高速
·支持大容量、高速仿真
功能強(qiáng)大
·確保器件可靠性和使用壽命技術(shù)規(guī)格
技術(shù)先進(jìn)
·領(lǐng)先的結(jié)構(gòu)“全角度”網(wǎng)格生成器和高精準(zhǔn)3D場求解技術(shù)
系統(tǒng)集成
·支持功率器件Die/Package/PCB協(xié)同設(shè)計(jì)
用戶友好
·直觀的圖形用戶界面,易于設(shè)置和使用
技術(shù)規(guī)格
·Rdson提取
-模擬功率器件布局以降低Rdson
-通過檢查電流密度/電遷移確保可靠性
·Gate Delay驗(yàn)證分析
-模擬功率晶體管gate net傳播延遲
-使用gate net分布式模型
-提取金屬和聚合物線路電阻
-以分布式方式對活性區(qū)的電容建模
-用戶可選擇分布式模型中的分段數(shù)量
·電熱驗(yàn)證分析
-芯片/封裝級3D熱電耦合和可靠性分析
-計(jì)算金屬和活性區(qū)的動(dòng)態(tài)電流和焦耳自加熱
-對芯片和封裝中的熱控分布進(jìn)行建模
-支持熱規(guī)劃
·支持非線性溫度相關(guān)模型
-3D求解器自洽求解電和熱方程
-硅精準(zhǔn)
-支持GDSII導(dǎo)入
產(chǎn)品應(yīng)用
·數(shù)?;旌瞎β势骷O(shè)計(jì)
·汽車功率器件設(shè)計(jì)
·PMIC開關(guān)電源功率器件設(shè)計(jì)
·DC-DC轉(zhuǎn)換器功率器件設(shè)計(jì)
·高壓開關(guān)功率器件設(shè)計(jì)
·大型數(shù)字芯片片上電源管理優(yōu)化
·功率器件Die/Package/PCB協(xié)同設(shè)計(jì)
應(yīng)用實(shí)例
IR drop/電壓驗(yàn)證分析
電流密度驗(yàn)證分析
Gate Delay驗(yàn)證分析
電熱驗(yàn)證分析
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原文標(biāo)題:功率器件及電源芯片設(shè)計(jì)驗(yàn)證 - PTM
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