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      標(biāo)簽　>　功率MOSFET

      功率MOSFET

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      功率MOS場效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場效應(yīng)晶體管。

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      功率MOSFET簡介

      　　功率MOS場效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場效應(yīng)晶體管。

      　　工作原理

      　　截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。P基區(qū)與N漂移區(qū)之間形成的PN結(jié)J1反偏，漏源極之間無電流流過。

      　　導(dǎo)電：在柵源極間加正電壓UGS，柵極是絕緣的，所以不會(huì)有柵極電流流過。但柵極的正電壓會(huì)將其下面P區(qū)中的空穴推開，而將P區(qū)中的少子—電子吸引到柵極下面的P區(qū)表面

      　　當(dāng)UGS大于UT（開啟電壓或閾值電壓）時(shí)，柵極下P區(qū)表面的電子濃度將超過空穴濃度，使P型半導(dǎo)體反型成N型而成為反型層，該反型層形成N溝道而使PN結(jié)J1消失，漏極和源極導(dǎo)電。

      功率MOSFET百科

      　　功率MOS場效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場效應(yīng)晶體管。

      　　工作原理

      　　截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。P基區(qū)與N漂移區(qū)之間形成的PN結(jié)J1反偏，漏源極之間無電流流過。

      　　導(dǎo)電：在柵源極間加正電壓UGS，柵極是絕緣的，所以不會(huì)有柵極電流流過。但柵極的正電壓會(huì)將其下面P區(qū)中的空穴推開，而將P區(qū)中的少子—電子吸引到柵極下面的P區(qū)表面

      　　當(dāng)UGS大于UT（開啟電壓或閾值電壓）時(shí)，柵極下P區(qū)表面的電子濃度將超過空穴濃度，使P型半導(dǎo)體反型成N型而成為反型層，該反型層形成N溝道而使PN結(jié)J1消失，漏極和源極導(dǎo)電。

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      功率mosfet知識(shí)

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        前沿技術(shù)
        +關(guān)注
        前沿技術(shù)是指高技術(shù)領(lǐng)域中具有前瞻性、先導(dǎo)性和探索性的重大技術(shù)，是未來高技術(shù)更新?lián)Q代和新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)，是國家高技術(shù)創(chuàng)新能力的綜合體現(xiàn)。
      • 半導(dǎo)體行業(yè)
        半導(dǎo)體行業(yè)
        +關(guān)注
        　　半導(dǎo)體行業(yè)隸屬電子信息產(chǎn)業(yè)，屬于硬件產(chǎn)業(yè)，以半導(dǎo)體為基礎(chǔ)而發(fā)展起來的一個(gè)產(chǎn)業(yè)。
      • 可再生能源
        可再生能源
        +關(guān)注
      • SK海力士
        SK海力士
        +關(guān)注
      • GlobalFoundries
        GlobalFoundries
        +關(guān)注
        格羅方德半導(dǎo)體股份有限公司由AMD拆分而來、與阿聯(lián)酋阿布扎比先進(jìn)技術(shù)投資公司(ATIC)和穆巴達(dá)拉發(fā)展公司(Mubadala)聯(lián)合投資成立的半導(dǎo)體制造企業(yè)。
      • 華虹半導(dǎo)體
        華虹半導(dǎo)體
        +關(guān)注
        華虹集團(tuán)在建設(shè)運(yùn)營我國第一條深亞微米超大規(guī)模8英寸集成電路生產(chǎn)線的同時(shí)，逐步發(fā)展成 為以芯片制造業(yè)務(wù)為核心，集成電路系統(tǒng)集成和應(yīng)用服務(wù)、芯片制造工藝研發(fā)、電子元 器件貿(mào)易、海內(nèi)外風(fēng)險(xiǎn)投資等業(yè)務(wù)平臺(tái)共同發(fā)展的集成電路產(chǎn)業(yè)集團(tuán)。
      • Siri
        Siri
        +關(guān)注
        Siri是蘋果公司在其產(chǎn)品iPhone4S，iPad 3及以上版本手機(jī)和Mac上應(yīng)用的一項(xiàng)智能語音控制功能。
      • WiFi芯片
        WiFi芯片
        +關(guān)注
        wifi是當(dāng)今使用最廣的一種無線網(wǎng)絡(luò)傳輸技術(shù)，實(shí)際上就是把有線網(wǎng)絡(luò)信號(hào)轉(zhuǎn)換成無線信號(hào)，供支持其技術(shù)的設(shè)備接收。
      • 基帶芯片
        基帶芯片
        +關(guān)注
        基帶芯片是指用來合成即將發(fā)射的基帶信號(hào)，或?qū)邮盏降幕鶐盘?hào)進(jìn)行解碼的芯片。具體地說，就是發(fā)射時(shí)，把語音或其他數(shù)據(jù)信號(hào)編碼成用來發(fā)射的基帶碼；接收時(shí)，把收到的基帶碼解碼為語音或其他數(shù)據(jù)信號(hào)，它主要完成通信終端的信息處理功能。
      • 世強(qiáng)
        世強(qiáng)
        +關(guān)注
      • MRAM
        MRAM
        +關(guān)注
        MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory） 是一種非易失性（Non-Volatile）的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
      • 便攜醫(yī)療
        便攜醫(yī)療
        +關(guān)注
        受惠于中國政府醫(yī)療改革以及居民對健康保健的重視，未來3年，中國便攜醫(yī)療電子市場年復(fù)合增長率將超過30％！其市場規(guī)模從2006年的80億元迅速擴(kuò)大到2011的280億元！
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