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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
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功率半導(dǎo)體器件IGBT及新材料工藝技術(shù)發(fā)展
功率半導(dǎo)體:電子裝置電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心功率半導(dǎo)體是電子裝置電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心。功率半導(dǎo)體是一種廣泛用于電力電子裝置和電能轉(zhuǎn)換和控制電路的半導(dǎo)...
2024-04-14 標(biāo)簽:IGBT半導(dǎo)體器件新材料 1581 0
江西薩瑞微獨(dú)家研發(fā)【一種LDMOS場效應(yīng)管及其制備方法】
一種LDMOS場效應(yīng)管及其制備方法本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)領(lǐng)域,具體涉及一種LDMOS場效應(yīng)管及其制備方法。在當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)競爭日趨激烈的背景下,LDM...
2024-04-13 標(biāo)簽:LDMOS半導(dǎo)體器件 583 0
捷捷微電2024年第一季度業(yè)績預(yù)增,凈利潤或增175%-195%
公司緊跟行業(yè)趨勢(shì),強(qiáng)化團(tuán)隊(duì)實(shí)力,以市場為導(dǎo)向,把握功率半導(dǎo)體器件進(jìn)口替代機(jī)遇以及產(chǎn)品升級(jí)和客戶需求增長,拓寬下游應(yīng)用領(lǐng)域,推動(dòng)業(yè)務(wù)穩(wěn)步增長。
2024-04-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件捷捷微電 801 0
該發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件,包含底座,又劃分為第一和第二園區(qū),一個(gè)位于另兩個(gè)鄰側(cè)之間;兩個(gè)子漏區(qū),坐落于底座的第一園區(qū);虛擬結(jié)構(gòu),位于兩子漏區(qū)間的底座上;...
2024-04-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件華虹宏力 492 0
該發(fā)明提出一種制備半導(dǎo)體器件的新方法,首先需要在基板上制備劃分明確且排列整齊的鰭部;之后在基板上構(gòu)建覆于鰭部之上的偽柵結(jié)構(gòu);再制備并在偽柵結(jié)構(gòu)上方安裝一...
2024-04-03 標(biāo)簽:集成電路中芯國際半導(dǎo)體器件 628 0
這項(xiàng)發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制備設(shè)備及制備策略,主要包含氣體管道、氣體優(yōu)化系統(tǒng)及反應(yīng)腔室三大組件。其中,氣體管道設(shè)有多個(gè)氣體入口管道;在反應(yīng)腔室內(nèi),自上而下依...
2024-04-03 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體器件長鑫存儲(chǔ) 478 0
半導(dǎo)體利用 SiC 來減少能量損失并延長太陽能和風(fēng)能電力轉(zhuǎn)換器的使用壽命。SiC(碳化硅)由于其寬帶隙而用于高功率應(yīng)用。
2024-03-22 標(biāo)簽:功率器件SiC功率半導(dǎo)體 302 0
蘇州工業(yè)園區(qū)集成電路出口增幅81.5%,推動(dòng)園區(qū)進(jìn)出口增長27%
相比之下,集成電路進(jìn)出口相對(duì)增幅較園區(qū)整體超出45個(gè)百分點(diǎn)。實(shí)際上,在同期園區(qū)進(jìn)出口總值中,這個(gè)數(shù)字占據(jù)了44.1%,拉動(dòng)園區(qū)總體進(jìn)出口增長了27個(gè)百分...
2024-03-15 標(biāo)簽:集成電路顯示器半導(dǎo)體器件 803 0
深圳市景弘瑞訊電子有限公司成立,注冊(cè)資本1000萬元
近日,據(jù)企查查APP顯示,深圳市景弘瑞訊電子有限公司成立,注冊(cè)資本1000萬元,經(jīng)營范圍包含:電子專用材料研發(fā);
2024-03-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件 1431 0
12家半導(dǎo)體/芯片公司齊聚EDICON發(fā)表演講和進(jìn)行展示!
EDICON China 2024·電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì) 歡迎參加 EDICON China(電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì))是射頻/微波/無線和高頻/高速電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域的...
2024-03-14 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 764 0
貝思科爾邀您參加ASPC2024亞太車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體器件及應(yīng)用發(fā)展大會(huì)
“ASPC2024亞太車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體器件及應(yīng)用發(fā)展大會(huì)”將于2024年3月14~15日在嘉興召開,貝思科爾誠摯歡迎您參加本次大會(huì)。在汽車電動(dòng)化、智能化...
2024-03-07 標(biāo)簽:西門子功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 795 1
功率半導(dǎo)體器件陶瓷基板用氮化鋁粉體專利解析及DOH新工藝材料介紹
摘要:功率半導(dǎo)體器件已廣泛應(yīng)用于多個(gè)戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè),而散熱問題是影響其性能、可靠性和壽命的關(guān)鍵因素之一。氮化鋁粉體具有高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn),被廣泛認(rèn)為是用于制備...
2024-03-06 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)庫功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 1135 0
如何區(qū)分和選用晶體三極管和場效應(yīng)管 晶體三極管(BJT)和場效應(yīng)管(FET)是兩種常用的半導(dǎo)體器件,用于電子設(shè)備中的放大、開關(guān)和調(diào)節(jié)電流。為了正確選擇并...
2024-03-06 標(biāo)簽:場效應(yīng)管晶體三極管半導(dǎo)體器件 2209 0
硅晶圓出貨量:2023年降13%,2025年預(yù)計(jì)增長7%
報(bào)告亦指出,盡管2023年整體半導(dǎo)體行業(yè)景氣度回落,加之現(xiàn)有高庫存水位的影響,導(dǎo)致硅晶圓出貨量下降約13%。這是自2019年后首次出現(xiàn)年度出貨量降低現(xiàn)象。
2024-03-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體硅晶圓半導(dǎo)體器件 1035 0
武漢新芯集成電路專利“半導(dǎo)體器件及其制備方法”公布?
在此項(xiàng)專利中,申請(qǐng)人展示了一種新型半導(dǎo)體器件及其制作流程。其主要步驟包括先制備出含有第一鈍化層,第一金屬層和第二鈍化層的半導(dǎo)體基體;接著在第二鈍化層背對(duì)...
2024-02-23 標(biāo)簽:集成電路掩模半導(dǎo)體器件 730 0
晶體管的三種工作狀態(tài)及其特點(diǎn)? 晶體管是一種半導(dǎo)體器件,常用于電子電路中作為放大器、開關(guān)等功能的實(shí)現(xiàn)。晶體管具有三種基本的工作狀態(tài),包括截止?fàn)顟B(tài)、飽和狀...
2024-02-02 標(biāo)簽:晶體管半導(dǎo)體器件 4659 0
兆易創(chuàng)新推出GD32A490系列車規(guī)級(jí)MCU新品
業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice(股票代碼603986)宣布,正式推出全新GD32A490系列高性能車規(guī)級(jí)MCU,以高主頻、大容量...
2024-01-11 標(biāo)簽:mcu半導(dǎo)體器件兆易創(chuàng)新 726 0
全球汽車半導(dǎo)體行業(yè)正在以每年10%速度增長
汽車半導(dǎo)體市場預(yù)計(jì)到 2022 年將達(dá)到 599 億美元,2023 年至 2032 年復(fù)合年增長率 (CAGR) 為 10.3%,達(dá)到 1531.1
2023-12-21 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器功率器件半導(dǎo)體器件 998 0
第一代半導(dǎo)體材料是指硅、鍺元素等單質(zhì)半導(dǎo)體材料,鍺做的晶體管曾經(jīng)也是流行的老大,但由于速度較慢、不耐熱等缺點(diǎn),在八十年代初就被硅基管給取代了,一直到現(xiàn)今...
2023-12-20 標(biāo)簽:晶體管特斯拉半導(dǎo)體器件 310 0
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