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標簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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PIN二極管,即P-I-N二極管,其電導(dǎo)調(diào)制原理是基于半導(dǎo)體的PN結(jié)特性和耗盡區(qū)的動態(tài)變化。在深入解析PIN二極管的電導(dǎo)調(diào)制原理之前,我們先簡要回顧其結(jié)...
三極管(BJT)是一種電流控制型半導(dǎo)體器件,由兩個PN結(jié)組成,兩個PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分,中間部分是基區(qū),兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。
金剛石具有極高的硬度、良好的耐磨性和光電熱等特性,廣泛應(yīng)用于磨料磨具、光學(xué)器件、新能源汽車和電子封裝等領(lǐng)域,但金剛石表面惰性強,納米金剛石分散穩(wěn)定性差,...
計算和分析具有HfO2介電區(qū)絕緣硅(SOI)器件的電學(xué)特性
場效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,即柵源電壓VG控制漏極電流ID。
2022-09-09 標簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管模擬器件 2202 0
隨著科技的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)已成為當今電子設(shè)備不可或缺的核心技術(shù)之一。而在眾多半導(dǎo)體器件中,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)以其高效、可靠的特性廣泛應(yīng)用于...
2024-08-02 標簽:半導(dǎo)體IGBT功率半導(dǎo)體 2201 0
互聯(lián)網(wǎng)巨頭加入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所產(chǎn)生的影響分析
事實上,我們已經(jīng)在一些芯片中看到互聯(lián)網(wǎng)巨頭負責芯片架構(gòu)+設(shè)計服務(wù)公司提供IP/設(shè)計服務(wù)的模式了。一個例子就是微軟使用在HoloLens中的HPU,其中微...
2019-09-02 標簽:半導(dǎo)體摩爾定律物聯(lián)網(wǎng) 2201 0
半導(dǎo)體芯片在作為產(chǎn)品發(fā)布之前要經(jīng)過測試以篩選出有缺陷的產(chǎn)品。每個芯片必須通過的 “封裝”工藝才能成為完美的半導(dǎo)體產(chǎn)品。封裝主要作用是電氣連接和保護半導(dǎo)體...
晶體管是一種半導(dǎo)體元器件,它由三個層疊在一起的材料構(gòu)成,分別是 P 型半導(dǎo)體、N 型半導(dǎo)體和 P 型半導(dǎo)體。其中 NPN 和 PNP 型晶體管是最常用的...
氮化鎵是半導(dǎo)體與微電子產(chǎn)業(yè)的新星,其高電子能量的特性使其擁有極高的電能轉(zhuǎn)換效率和優(yōu)秀的高頻特性。業(yè)界已經(jīng)公認氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體器件產(chǎn)品將統(tǒng)治微波放大...
我們知道,在電路系統(tǒng)的各個子模塊進行數(shù)據(jù)交換時可能會存在一些問題導(dǎo)致信號無法正常、高質(zhì)量地“流通”,例如有時電路子模塊各自的工作時序有偏差(如CPU與外...
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)在電子設(shè)備中...
越來越多設(shè)計人員需要功能齊備、使用方便的開發(fā)工具套件,經(jīng)過優(yōu)化以確定功耗源和降低功耗,并能最大限度地提高資源利用率,以及提高性能。有了先進的布局布線方法...
TSV 是目前半導(dǎo)體制造業(yè)中最為先進的技術(shù)之一,已經(jīng)應(yīng)用于很多產(chǎn)品生產(chǎn)。實現(xiàn)其制程的關(guān)鍵設(shè)備選擇與工藝選擇息息相關(guān), 在某種程度上直接決定了 TSV 的...
大多數(shù)成熟的晶圓廠都知道他們有性能問題,需要更多關(guān)于根源的信息。為了開發(fā)解決其特定問題的解決方案,他們必須超越一般化,并確定在工具級別出現(xiàn)瓶頸的方式和位置。
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