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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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安森美解讀區(qū)域控制架構(gòu)的市場(chǎng)趨勢(shì)
區(qū)域控制架構(gòu)的出現(xiàn)是為了應(yīng)對(duì)汽車行業(yè)的快速變化,尤其是電動(dòng)汽車的興起。低壓配電和車載網(wǎng)絡(luò)已取得重大進(jìn)步;分布式區(qū)域配電則簡(jiǎn)化了線束結(jié)構(gòu),使重量得以減輕,...
半導(dǎo)體熱測(cè)試常見(jiàn)問(wèn)題
半導(dǎo)體器件在實(shí)際應(yīng)用中會(huì)因功率損耗、環(huán)境溫度等因素產(chǎn)生熱量,過(guò)高的溫度可能導(dǎo)致器件性能下降甚至損壞。因此,熱測(cè)試成為半導(dǎo)體元件性能驗(yàn)證和可靠性評(píng)估的重要...
展望未來(lái),我們認(rèn)為未來(lái)十年將是計(jì)算芯片架構(gòu)領(lǐng)域的黃金十年,我們會(huì)看到大量有影響力巨大的研究出現(xiàn),對(duì)于算法和應(yīng)用產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響;另一方面,隨著新應(yīng)用和需求...
半導(dǎo)體基礎(chǔ)功率模塊因其相對(duì)于傳統(tǒng)離散元件的諸多優(yōu)勢(shì)而變得越來(lái)越突出。在不斷發(fā)展的功率電子領(lǐng)域,選擇半導(dǎo)體基礎(chǔ)功率模塊與離散元件對(duì)效率、可靠性和整體系統(tǒng)性...
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2022-07-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體 681 0
看見(jiàn)中西方物聯(lián)網(wǎng)世界的碰撞與融合
這幾天國(guó)內(nèi)迎來(lái)一波辦會(huì)高峰,云棲大會(huì)、谷歌開發(fā)者大會(huì)、全球人工智能大會(huì)、中國(guó)芯片發(fā)展高峰論壇紛至沓來(lái),每場(chǎng)都是搶頭條的架勢(shì)。而我明明參加的也是半導(dǎo)體廠商...
2018-11-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體物聯(lián)網(wǎng)人工智能 678 0
利用氨等離子體預(yù)處理進(jìn)行無(wú)縫間隙fll工藝的生長(zhǎng)抑制
引言 半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)規(guī)則收縮是集成過(guò)程中每一步的一個(gè)挑戰(zhàn)。在隔離的間隙-fll過(guò)程中,使用沉積工藝不能抑制接縫和空隙的形成,甚至具有良好的臺(tái)階覆蓋。為...
如何正確使用底部填充膠?底部填充膠,作為一種重要的電子封裝材料,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體封裝、集成電路板、LED封裝等領(lǐng)域。它不僅能夠提高產(chǎn)品的機(jī)械強(qiáng)度,還能有...
導(dǎo)入寬帶隙半導(dǎo)體 滿足高瓦數(shù)電源供應(yīng)需求
益登科技 300W 電源解決方案采用以 SiC/GaN 為材料的 MOSFET 和肖特基勢(shì)壘二極管,以降低開關(guān)損耗和恢復(fù)損耗,搭配 PFC 和 LLC ...
2023-06-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件數(shù)字控制器 674 0
美國(guó)將向Absolics發(fā)放7500萬(wàn)美元先進(jìn)芯片封裝補(bǔ)貼
美國(guó)商務(wù)部表示,計(jì)劃向Absolics撥款7500萬(wàn)美元,旨在支持Absolics在佐治亞州建造一座12萬(wàn)平方英尺的工廠,開發(fā)先進(jìn)封裝技術(shù),為美國(guó)半導(dǎo)體...
數(shù)據(jù)中心作為現(xiàn)代信息技術(shù)的核心基礎(chǔ)設(shè)施,承載著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、處理和傳輸?shù)闹匾蝿?wù)。在這些任務(wù)中,MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為關(guān)鍵的電子元件,...
2024-10-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管數(shù)據(jù)中心 673 0
艾德克斯SPS5000軟件在BJT測(cè)試中的應(yīng)用
BJT即雙極性晶體管,俗稱三極管,是一種具有三個(gè)終端的電子器件,由三部分摻雜程度不同的半導(dǎo)體制成,晶體管中的電荷流動(dòng)主要是由于載流子在PN結(jié)處的擴(kuò)散作用...
半導(dǎo)體行業(yè)之半導(dǎo)體材料特性(二)
我們現(xiàn)在知道,一般的原子和物質(zhì)材料的結(jié)構(gòu)組成比玻爾模型復(fù)雜得多,質(zhì)子和中子也可以進(jìn)一步細(xì)分為更小的部分。
2023-11-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體 673 0
LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)
本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開介紹,重點(diǎn)解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn),并結(jié)合不同工藝條件對(duì)材...
Paragraf 通過(guò)開發(fā)首款量產(chǎn)霍爾效應(yīng)傳感器,利用了“神奇材料”的眾多特性,開創(chuàng)了石墨烯電子行業(yè)的先河。
碳化硅(SiC)功率器件是近年來(lái)半導(dǎo)體行業(yè)中的重要發(fā)展方向。相比傳統(tǒng)的硅(Si)功率器件,SiC功率器件具有更高的耐高溫、高壓和高頻性能,廣泛應(yīng)用于電力...
本發(fā)明涉及一種感光膜去除方法,通過(guò)使半導(dǎo)體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢,可以簡(jiǎn)化后處理序列,從而縮短前工藝處理時(shí)間,上述感光膜去除方法是:在...
大微DW421專為電子霧化器設(shè)計(jì)的大功率MEMS硅麥咪頭芯片
大微DW421功率咪頭,廣泛應(yīng)用在電子霧化類設(shè)備的21W大功率集成硅麥咪頭芯片,集成了最新的MEMS硅基膜微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù),賦予了咪頭更高的靈敏度和穩(wěn)定性...
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