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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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碳化硅的特性、應(yīng)用及動(dòng)態(tài)測(cè)試
SiC是碳化硅的縮寫(xiě)。它是一種由硅原子和碳原子組成的化合物。碳化硅以其優(yōu)異的性能著稱,是一種用途廣泛的材料。
碳化硅功率器件簡(jiǎn)介、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用
碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率器件是...
半導(dǎo)體行業(yè)之晶體生長(zhǎng)和硅片準(zhǔn)備(六)
一旦晶體在切割塊上被定向了,我們就可以沿著切割塊的這一根軸線打磨出一個(gè)平面或缺口(具體可以見(jiàn)下圖所示)。
隨著技術(shù)的快速發(fā)展,硅作為傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料的局限性逐漸顯現(xiàn)。探索硅的替代材料,成為了科研領(lǐng)域的重要任務(wù)。在本文中,我們將探討硅面臨的挑戰(zhàn)以及可能的替代材料。
2024-01-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管半導(dǎo)體材料 1983 0
基于高溫退火非極性面氮化鋁單晶薄膜實(shí)現(xiàn)高性能聲學(xué)諧振器開(kāi)發(fā)
氮化鋁(AlN)以其超寬禁帶寬度(~6.2 eV)和直接帶隙結(jié)構(gòu),與氧化鎵、氮化硼、金剛石等半導(dǎo)體材料被并稱為超寬禁帶半導(dǎo)體,與氮化鎵、碳化硅等第三代半...
探索SiC外延層的摻雜濃度控制與缺陷控制,揭示其在高性能半導(dǎo)體器件中的關(guān)鍵作用。
2024-01-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體技術(shù)SiC 2990 0
2.5D 和 3D 半導(dǎo)體封裝技術(shù)對(duì)于電子設(shè)備性能至關(guān)重要。這兩種解決方案都不同程度地增強(qiáng)了性能、減小了尺寸并提高了能效。2.5D 封裝有利于組合各種組...
轉(zhuǎn)眼2024年的第一個(gè)周末了,也許只有到了隆冬,我們才會(huì)知道,我們身上有著一個(gè)不可戰(zhàn)勝的夏天。之前在聊到特斯拉減少75% SiC用量的話題時(shí),我們聊了H...
由于宇航電源整體及其組件面臨的綜合挑戰(zhàn),GaN功率器件的全面應(yīng)用至今尚未達(dá)成。但是,隨著GaN功率器件輻照強(qiáng)化及驅(qū)動(dòng)方式的創(chuàng)新改良,宇航電源將會(huì)得到更大...
原位摻雜、擴(kuò)散和離子注入的相關(guān)原理及其區(qū)別介紹
半導(dǎo)體改變電阻率的方式有三種,原位摻雜、擴(kuò)散和離子注入,這三種方式分別過(guò)程如何,有何區(qū)別呢?
2024-01-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電阻率MEMS技術(shù) 6401 0
集成電路芯片是現(xiàn)代電子設(shè)備中的核心部件,它們可以實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的功能,如處理器、存儲(chǔ)器、傳感器等。隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展,集成電路芯片的種類和性能也在不斷提高...
一種用于2D/3D圖像處理算法的指令集架構(gòu)以及對(duì)應(yīng)的算法部署方法
二維(2D)和三維(3D)雙模視覺(jué)信息在自動(dòng)駕駛、工業(yè)機(jī)器人、人機(jī)交互等前沿領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
太陽(yáng)電池封裝成組件后,其實(shí)際功率通常會(huì)小于理論功率,稱之為功率損失或封裝損失。
2024-01-05 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池半導(dǎo)體紅外光譜儀 1882 0
?什么是功率半導(dǎo)體?功率半導(dǎo)體包括兩個(gè)部分:功率器件和功率IC。功率器件是功率半導(dǎo)體分立器件的分支,而功率IC則是將功率半導(dǎo)體分立器件與各種功能的外圍電...
半導(dǎo)體行業(yè)之晶體生長(zhǎng)和硅片準(zhǔn)備(五)
在晶體生長(zhǎng)的過(guò)程中,由于某些條件的引入將會(huì)導(dǎo)致結(jié)構(gòu)缺陷的生成。
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