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臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司,簡(jiǎn)稱(chēng)臺(tái)積電、TSMC,是臺(tái)灣一家半導(dǎo)體制造公司,成立于1987年,是全球第一家、以及最大的專(zhuān)業(yè)集成電路制造服務(wù)(晶圓代工)企業(yè),總部與主要工廠(chǎng)位于新竹科學(xué)園區(qū)。2013年?duì)I收19.85億美元,晶圓代工市占率46%,為全球第一。
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華為的麒麟 970 芯片,工藝制程是 10nm,這在當(dāng)下的手機(jī)芯片中,是非常先進(jìn)的制程。我們手機(jī)里的芯片,其制程工藝可以說(shuō)是決定了芯片的性能。
一片晶圓到底可以切割出多少晶片?(附30強(qiáng)晶圓代工廠(chǎng))
一片晶圓到底可以切割出多少的晶片數(shù)目?這個(gè)要根據(jù)你的die的大小和wafer的大小以及良率來(lái)決定的。目前業(yè)界所謂的6寸,12寸還是18寸晶圓其實(shí)就是晶圓...
什么是半導(dǎo)體工藝制程,16nm、10nm都代表了什么
隨著智能手機(jī)的發(fā)展,半導(dǎo)體工藝也急速提升,從28nm、16nm、10nm到7nm這些半導(dǎo)體代工廠(chǎng)們每天爭(zhēng)相發(fā)布最新的工藝制程,讓很多吃瓜群眾一臉懵逼不知...
大家都是電子行業(yè)的人,對(duì)芯片,對(duì)各種封裝都了解不少,但是你知道一個(gè)芯片是怎樣設(shè)計(jì)出來(lái)的么?你又知道設(shè)計(jì)出來(lái)的芯片是怎么生產(chǎn)出來(lái)的么?看完這篇文章你就有大...
臺(tái)積電5nm與三星5nm的本質(zhì)差異 三星5LPE與臺(tái)積電N5詳解
臺(tái)積電提到對(duì)于包含60%邏輯單元、30% SRAM,以及10%模擬I/O的移動(dòng)SoC而言,其5nm工藝能夠縮減芯片35%-40%的尺寸——這樣的值是更具...
讀懂芯片設(shè)計(jì)、IP授權(quán)、EDA軟件技術(shù)核心
半導(dǎo)體IP授權(quán)屬于半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的上游。IP主要分為軟IP、固IP和硬IP。軟IP是用Verilog/VHDL等硬件描述語(yǔ)言描述的功能塊,不涉及具體電路元件...
大體上1Xnm工藝相當(dāng)于16-19nm級(jí)別、1Ynm相當(dāng)于14-16nm,1Znm工藝相當(dāng)于12-14nm級(jí)別。
蘋(píng)果m3處理器是什么級(jí)別 m3處理器性能詳解
憑借適用于 Mac(毫無(wú)疑問(wèn),還有高端 iPad)的最新一代高性能芯片,蘋(píng)果似乎充分利用了臺(tái)積電 N3B 工藝提供的密度和功耗改進(jìn)。但與此同時(shí),他們也在...
極紫外光微影(EUV)技術(shù)據(jù)稱(chēng)將在5納米(nm)節(jié)點(diǎn)時(shí)出現(xiàn)隨機(jī)缺陷
Borodovsky在采訪(fǎng)中表示,另一個(gè)可能導(dǎo)致5nm缺陷的因素是現(xiàn)有的EUV光阻劑材料缺乏均勻度。此外,他還表示支持直接電子束寫(xiě)入,因?yàn)镋UV使用的復(fù)...
關(guān)于DDR5你知道多少 DDR5的新挑戰(zhàn)
驅(qū)動(dòng)DRAM內(nèi)存市場(chǎng)向DDR5升級(jí)的動(dòng)力應(yīng)該是來(lái)自對(duì)帶寬有強(qiáng)烈需求的專(zhuān)業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域,比如云服務(wù)器、邊緣計(jì)算等等,由于系統(tǒng)內(nèi)存帶寬跟不上服務(wù)器CPU核心數(shù)量...
淺談MEMS技術(shù)工藝的發(fā)展及未來(lái)
MEMS第一輪商業(yè)化浪潮始于20世紀(jì)70年代末80年代初,當(dāng)時(shí)用大型蝕刻硅片結(jié)構(gòu)和背蝕刻膜片制作壓力傳感器。由于薄硅片振動(dòng)膜在壓力下變 形,會(huì)影響其表面...
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司,簡(jiǎn)稱(chēng)臺(tái)積電、TSMC,是臺(tái)灣一家半導(dǎo)體制造公司,成立于1987年,是全球第一家、以及最大的專(zhuān)業(yè)集成電路制造服務(wù)(晶圓代工)...
EUV光刻機(jī)被已經(jīng)準(zhǔn)備好了,各大企業(yè)的爭(zhēng)奪戰(zhàn)開(kāi)始打響
EUV光刻機(jī)的唯一供應(yīng)商ASML在2017年度Semicon West半導(dǎo)體設(shè)備展上也表示,250瓦的EUV光源也萬(wàn)事俱備。公司2017年財(cái)報(bào)中也強(qiáng)調(diào),...
全球主要晶圓廠(chǎng)制程節(jié)點(diǎn)技術(shù)路線(xiàn)圖
雕刻電路圖案的核心制造設(shè)備是光刻機(jī),它的精度決定了制程的精度。光刻機(jī)的運(yùn)作原理是先把設(shè)計(jì)好的芯片圖案印在掩膜上,用激光穿過(guò)掩膜和光學(xué)鏡片,將芯片圖案曝光...
我們經(jīng)常在某手機(jī)發(fā)布會(huì)現(xiàn)場(chǎng)聽(tīng)到,“××處理器采用了最先進(jìn)的10nm工藝制造”,那么究竟這個(gè)10nm代表著什么意思呢?納米制程對(duì)于CPU、SoC而言到底多...
和1Xnm半導(dǎo)體工藝的百花齊放相比,個(gè)位數(shù)的制程就顯得單調(diào)許多了,很多在 1Xnm大放異彩的半導(dǎo)體公司都在7nm制程處遭遇到了苦頭,隨著AMD御用代工廠(chǎng)...
從芯片的制造來(lái)看,7nm就是硅材料芯片的物理極限,到了7nm節(jié)點(diǎn)即使是finfet也不足以在保證性能的同時(shí)抑制漏電,所以工業(yè)界用砷化銦鎵取代了單晶硅溝道...
內(nèi)存翻車(chē)?也許跟這些原因有關(guān)
內(nèi)存條作為DIY硬件里面唯一一件永久質(zhì)保的東西,一般正常使用都難以損壞。然而由于內(nèi)存兼容比較復(fù)雜和玄學(xué),裝機(jī)翻車(chē)可能就是源于內(nèi)存沒(méi)選對(duì)。
分析技術(shù)呈現(xiàn)納米級(jí)尺寸及其選用材料的差異
這場(chǎng)戰(zhàn)役兩家大廠(chǎng)互有消長(zhǎng),首先是三星的14nm較臺(tái)積電的16nm搶先半年投入量產(chǎn),因兩家大廠(chǎng)的鰭式電晶體(FinFET)設(shè)計(jì)也確有雷同之處,后續(xù)又衍生了...
臺(tái)積電引領(lǐng)1nm研發(fā) 光刻機(jī)成為關(guān)鍵
三星3nm采用的晶體管架構(gòu)是GAAFET,也被稱(chēng)為Nanosheet,而1nm制程對(duì)晶體管架構(gòu)提出了更高的要求。
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