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標(biāo)簽 > 臺(tái)積電
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司,簡(jiǎn)稱(chēng)臺(tái)積電、TSMC,是臺(tái)灣一家半導(dǎo)體制造公司,成立于1987年,是全球第一家、以及最大的專(zhuān)業(yè)集成電路制造服務(wù)(晶圓代工)企業(yè),總部與主要工廠位于新竹科學(xué)園區(qū)。2013年?duì)I收19.85億美元,晶圓代工市占率46%,為全球第一。
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臺(tái)積電下調(diào)代工報(bào)價(jià) 28/22nm工藝降價(jià)幅度達(dá)10%
據(jù)臺(tái)灣《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道,據(jù)消息人士透露,臺(tái)積電提出的從2023年第三季度開(kāi)始到2024年第二季度為止的8英寸生產(chǎn)能力價(jià)格因生產(chǎn)量將大幅減少,8英寸平均生...
隨著chatGPT橫空出世,生成式AI紅遍全球,帶動(dòng)AI芯片的需求強(qiáng)勁,英偉達(dá)(NVIDIA)的H100、A100全部由臺(tái)積電代工,并使用臺(tái)積電的CoW...
2nm制程報(bào)價(jià)直逼2.5萬(wàn)美元
芯片制造領(lǐng)域正迎來(lái)3納米工藝的興起,并且2納米競(jìng)爭(zhēng)已經(jīng)全面展開(kāi)。
預(yù)計(jì)到2030年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將達(dá)到約1萬(wàn)億美元
隨著臺(tái)積電的先進(jìn)工藝技術(shù)從 10 納米發(fā)展至 2 納米,臺(tái)積電的能源效率在約十年間以 15% 的年復(fù)合增長(zhǎng)率提升,以支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的驚人成長(zhǎng)。
英特爾Intel 18A將助其重新奪回工藝領(lǐng)先地位
和高通等領(lǐng)先芯片公司不進(jìn)行自己的制造,目前通常選擇臺(tái)積電或三星制造。英特爾表示,預(yù)計(jì)將在今年晚些時(shí)候宣布其代工業(yè)務(wù)的一個(gè)關(guān)鍵客戶(hù)。
3D硅堆疊和先進(jìn)封裝技術(shù)之3DFabric
Fab 6 是臺(tái)積電首個(gè)一體式先進(jìn)封裝測(cè)試工廠,是臺(tái)積電不斷增加的封裝投資的一部分。該晶圓廠已準(zhǔn)備好量產(chǎn)臺(tái)積電 SoIC 封裝技術(shù)。請(qǐng)記住,當(dāng)臺(tái)積電說(shuō)量...
性能提升30%!AMD RX 7600的首發(fā)評(píng)測(cè)
之前發(fā)布的RX 7900和RX 7900 XTX都是用的臺(tái)積電5nm制程工藝,這次RX 7600用的是臺(tái)積電6nm,在204平方毫米的面積上集成了133...
Arm發(fā)布全新一代Cortex移動(dòng)CPU架構(gòu)
本次發(fā)布的X4/A720/A520基于最新的Armv9.2指令集,相比上代的X2/X3基于Armv9.0主要提升了性能及并行性,可以支持更多的大核/超大核組合。
臺(tái)積電的16nm有多個(gè)版本,包括16nm FinFET、16nm FinFET Plus技術(shù)(16FF +)和16nm FinFET Compact技術(shù)...
搞定2nm工藝需要至少3方面的突破,一個(gè)是技術(shù),一個(gè)是資金,一個(gè)是市場(chǎng),在技術(shù)上日本是指望跟美國(guó)的IBM公司合作,后者前兩年就演示過(guò)2nm工藝,但I(xiàn)BM...
關(guān)于半導(dǎo)體制造的封裝技術(shù)和分布情況
任何低于90%的成品率都是有問(wèn)題的。但芯片制造商只有通過(guò)反復(fù)吸取昂貴的教訓(xùn),在此基礎(chǔ)上不斷提高對(duì)芯片制造的認(rèn)識(shí),才能超越這個(gè)90%成品率的水平線(xiàn)。
2023-04-14 標(biāo)簽:臺(tái)積電晶圓芯片設(shè)計(jì) 694 0
淺析業(yè)界最快的3nm CMOS平臺(tái)技術(shù)可行性
基于品質(zhì)因數(shù)(FOM),該3nm技術(shù)的2-1鰭配置提供了18%的等功率速度增益,或在相同速度下比我們的5nm技術(shù)降低了34%的功率。
在過(guò)去的幾十年里,電子通信行業(yè)一直是 FPGA 市場(chǎng)增長(zhǎng)背后的重要推動(dòng)力,并將繼續(xù)保持下去。這背后的一個(gè)主要原因是 FPGA 中內(nèi)置了許多不同的高速接口...
俄羅斯自研Elbrus-8SV處理器性能實(shí)測(cè)
紙面規(guī)格上,Elbrus-8SV采用臺(tái)積電28nm工藝,8核1.5GHz,16MB三級(jí)緩存,支持四通道DDR4-2400 ECC內(nèi)存,性能號(hào)稱(chēng)是前一代E...
將硅錠切成1mm左右一片片的wafer(晶圓)。晶圓尺寸有大有小,比如8inch, 12inch的晶圓,光刻的時(shí)候直接刻整個(gè)圓,然后切下來(lái)好多小芯片。
臺(tái)積電3nm工藝技術(shù)細(xì)節(jié)解讀
最小 Lg 是溝道柵極控制的函數(shù),例如從具有不受約束的溝道厚度的單柵極平面器件轉(zhuǎn)移到具有 3 個(gè)柵極圍繞薄溝道的 FinFET,從而實(shí)現(xiàn)更短的 Lg。
Chiplet 封裝領(lǐng)域,目前呈現(xiàn)出百花齊放的局面。Chiplet 的核心是實(shí)現(xiàn)芯片間的高速互 聯(lián),同時(shí)兼顧多芯片互聯(lián)后的重新布線(xiàn)。
FSD芯片徹底奠定了特斯拉在自動(dòng)駕駛領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。通過(guò)自研芯片特斯拉讓硬件能與自家的軟件算法更加契合,獲得更好的兼容性和匹配度,提升產(chǎn)品核心競(jìng)爭(zhēng)力。
2023-01-04 標(biāo)簽:臺(tái)積電特斯拉自動(dòng)駕駛 710 0
淺談半導(dǎo)體技術(shù)的未來(lái)發(fā)展路線(xiàn)圖
機(jī)器學(xué)習(xí)(訓(xùn)練和推理)支持上述應(yīng)用程序的作用也將擴(kuò)大,對(duì)HPC吞吐量提出了進(jìn)一步的要求。Mii博士評(píng)論說(shuō),這些HPC要求將繼續(xù)推動(dòng)研發(fā)工作,以提高半導(dǎo)體...
2022-12-26 標(biāo)簽:集成電路臺(tái)積電機(jī)器學(xué)習(xí) 1410 0
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