3D NAND的發(fā)展方向是500到1000層

芯片行業(yè)正在努力在未來(lái)幾年內(nèi)將?3D NAND?閃存的堆棧高度提高四倍，從 200 層增加到 800 層或更多，利用額外的容量將有助于滿足對(duì)各種類型內(nèi)存...

2024-12-19 標(biāo)簽：NAND3D堆疊 729 0

HDI板電鍍與堆疊過(guò)程

HDI線路板 HDI板是一種高性能的電路板材料，它具有高密度、高可靠性和高互連性的特點(diǎn)。HDI板的制造過(guò)程涉及多個(gè)關(guān)鍵步驟，其中包括電鍍和堆疊兩個(gè)重要環(huán)...

2024-10-28 標(biāo)簽：堆疊電鍍HDI板 499 0

3D-IC 設(shè)計(jì)之 Memory-on-Logic 堆疊實(shí)現(xiàn)流程

3D-IC 設(shè)計(jì)之 Memory-on-Logic 堆疊實(shí)現(xiàn)流程

2023-12-01 標(biāo)簽：芯片堆疊數(shù)據(jù)庫(kù) 1042 0

1.1TB HBM3e內(nèi)存！NVIDIA奉上全球第一GPU：可惜無(wú)緣中國(guó)

NVIDIA H200的一大特點(diǎn)就是首發(fā)新一代HBM3e高帶寬內(nèi)存(疑似來(lái)自SK海力士)，單顆容量就多達(dá)141GB(原始容量144GB但為提高良率屏蔽了...

2023-11-15 標(biāo)簽：NVIDIAgpu堆疊 1392 0

華為首次公開芯片堆疊專利，7nm有戲了？

根據(jù)企查查公開的信息顯示，這項(xiàng)新專利的名稱為“一種芯片封裝以及芯片封裝的制備方法”，申請(qǐng)日期為2020年12月16日，申請(qǐng)公布日為2023年8月4日，申...

2023-08-18 標(biāo)簽：芯片華為堆疊 2455 0

華為公布“芯片堆疊結(jié)構(gòu)及其形成方法、芯片封裝結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備”專利

芯片技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用概要，用于簡(jiǎn)化芯片堆疊結(jié)構(gòu)及其形成方法、芯片封裝結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備、芯片堆棧結(jié)構(gòu)的制造技術(shù)。該芯片的堆疊結(jié)構(gòu)至少包括兩個(gè)堆疊的芯片，每一個(gè)...

2023-08-09 標(biāo)簽：封裝芯片技術(shù)堆疊 2370 0

IP百科知識(shí)之什么是堆疊

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2021-11-19 標(biāo)簽：華為交換機(jī)堆疊 3536 0

英特爾展示了其基于nanoribbon板狀納米溝道的n/p型堆疊的器件

*CFET：Complementary Field Effect Transistor，是將nMOS和pMOS垂直堆疊的一種新型晶體管結(jié)構(gòu)，通過(guò)將Con...

2021-03-30 標(biāo)簽：英特爾晶體管堆疊 2871 0

使用PCB板的堆疊與分層時(shí)應(yīng)遵循哪些原則

多層印制板為了有更好的電磁兼容性設(shè)計(jì)。使得印制板在正常工作時(shí)能滿足電磁兼容和敏感度標(biāo)準(zhǔn)。正確的堆疊有助于屏蔽和抑制EMI。

2020-03-08 標(biāo)簽：PCB板堆疊分層 1273 0