ltps和ips屏幕區(qū)別在哪里_哪個(gè)好

LTPS和IPS指的并不是屏幕的一個(gè)方面，LTPS指的是液晶面板的一種工藝，是一種制作技術(shù)；而IPS是一種運(yùn)用在面板上的成像技術(shù)，是一種顯示技術(shù)。

2017-12-11 標(biāo)簽：多晶硅ltpsips屏幕 25.4萬(wàn) 0

光伏發(fā)電原理和光伏電池片技術(shù)詳解

光伏電池片領(lǐng)域降本增效是推動(dòng)光伏產(chǎn)業(yè)不斷發(fā)展的內(nèi)在牽引力，其中以提升光電轉(zhuǎn)換效率為目標(biāo)的光伏電池片技術(shù)變革是推動(dòng)降本增效的關(guān)鍵舉措之一。

2023-12-28 標(biāo)簽：多晶硅光伏電池光伏 2.7萬(wàn) 0

什么是多晶硅

多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)，是銀灰色、有金屬色澤的晶體，是以工業(yè)硅為原料經(jīng)一系列的物理化學(xué)反應(yīng)提純后達(dá)到一定純度的非金屬材料。

2023-02-13 標(biāo)簽：多晶硅晶體單質(zhì)硅 2.0萬(wàn) 0

半導(dǎo)體制造之刻蝕工藝詳解

單晶硅刻蝕用來(lái)形成相鄰晶體管間的絕緣區(qū)，多晶硅刻蝕用于形成柵極和局部連線。

2023-02-13 標(biāo)簽：多晶硅半導(dǎo)體晶體管 1.1萬(wàn) 0

如何區(qū)分太陽(yáng)能電池的多晶硅和單晶硅電路板？

太陽(yáng)能電池的發(fā)展過(guò)程，主要經(jīng)歷了三個(gè)階段：第一階段，主要是多晶硅、單晶硅太陽(yáng)能電池。第二階段，主要是非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池和晶硅薄膜太陽(yáng)能電池。第三階段，...

2020-09-16 標(biāo)簽：電源多晶硅太陽(yáng)能 7465 0

CMOS模擬集成電路版圖之反相器鏈版圖設(shè)計(jì)

在命令行輸入“icfb”，運(yùn)行Cadence Spectre，彈出CIW對(duì)話框。

2023-09-13 標(biāo)簽：多晶硅反相器晶體管 6703 0

什么是離子注入？離子注入的應(yīng)用介紹

離子注入是將高能離子注入半導(dǎo)體襯底的晶格中來(lái)改變襯底材料的電學(xué)性能的摻雜工藝。通過(guò)注入能量、角度和劑量即可控制摻雜濃度和深度，相較于傳統(tǒng)的擴(kuò)散工藝更為精確。

2024-02-21 標(biāo)簽：多晶硅mems離子注入 5974 0

一文詳解MEMS高溫壓力傳感器

高溫壓力傳感器廣泛應(yīng)用于工業(yè)、航空航天等領(lǐng)域，用來(lái)監(jiān)測(cè)航空發(fā)動(dòng)機(jī)、重型燃?xì)廨啓C(jī)、燃煤燃?xì)忮仩t等動(dòng)力設(shè)備燃燒室內(nèi)的壓力，耐高溫和高可靠性是對(duì)其最基本的要求。

2024-01-23 標(biāo)簽：多晶硅mems壓力傳感器 5536 0

硅的電阻率和方阻測(cè)定和使用問(wèn)題解析

在MEMS器件設(shè)計(jì)過(guò)程中電學(xué)性能是重中之重。MEMS大多數(shù)由襯底、介質(zhì)層和金屬層組成，硅襯底、多晶硅和金屬均與電學(xué)性能密不可分。

2024-01-13 標(biāo)簽：多晶硅硅晶圓MEMS器件 5163 0

IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—閾值電壓（上）

MOS之所以能夠以電壓控制，并起到開(kāi)關(guān)的作用，正是由于上述反型層的機(jī)制

2023-11-29 標(biāo)簽：多晶硅IGBTMOS 4967 0

芯片制造工藝：晶體生長(zhǎng)基本流程

從液態(tài)的熔融硅中生長(zhǎng)單晶硅的及基本技術(shù)稱(chēng)為直拉法（Czochralski）。半導(dǎo)體工業(yè)中超過(guò)90%的單晶硅都是采用這種方法制備的。

2024-03-12 標(biāo)簽：集成電路多晶硅晶體 4836 0

多晶硅柵耗盡效應(yīng)簡(jiǎn)述

當(dāng)柵與襯底之間存在壓差時(shí)，它們之間存在電場(chǎng)，靜電邊界條件使多晶硅靠近氧化層界面附近的能帶發(fā)生彎曲，并且電荷耗盡，從而形成多晶硅柵耗盡區(qū)。該耗盡區(qū)會(huì)在多晶...

2024-08-02 標(biāo)簽：多晶硅靜電NMOS 4583 0