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標簽 > 寬禁帶
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浮思特 | 從硅基到寬禁帶:逆變器功率器件的代際跨越與選型策略
近年來,電力電子技術(shù)取得了重大進展。從電動汽車到可再生能源系統(tǒng),逆變器在直流電轉(zhuǎn)換為交流電的過程中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。傳統(tǒng)上,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等...
半導(dǎo)體材料發(fā)展史:從硅基到超寬禁帶半導(dǎo)體的跨越
半導(dǎo)體材料是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石,其發(fā)展史不僅是科技進步的縮影,更是人類對材料性能極限不斷突破的見證。從第一代硅基材料到第四代超寬禁帶半導(dǎo)體,每一代材料的...
2025-04-10 標簽:半導(dǎo)體材料寬禁帶 613 0
全天直播即將開啟丨英飛凌寬禁帶開發(fā)者論壇 四大亮點搶先看
寬禁帶(WBG)解決方案將能效提升到了新高度。憑借其更高的功率密度和更小的封裝尺寸,它們是實現(xiàn)可持續(xù)設(shè)計的關(guān)鍵。英飛凌的WBG產(chǎn)品組合表現(xiàn)如何?能為開發(fā)...
碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域 碳化硅材料的特性與優(yōu)勢
碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域 碳化硅(SiC),作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其獨特的物理和化學(xué)特性,在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用潛力。以下是碳化硅的一些主要應(yīng)用領(lǐng)域:...
2024-11-29 標簽:電動汽車半導(dǎo)體材料碳化硅 5130 0
聞泰科技與KOSTAL建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
近日,聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)宣布與全球知名汽車供應(yīng)商KOSTAL(科世達)正式建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。這一合作旨在共同開發(fā)和生產(chǎn)更符合汽車應(yīng)用嚴苛要求的車規(guī)級...
2024英飛凌寬禁帶論壇倒計時丨多款創(chuàng)新產(chǎn)品首次亮相
英飛凌致力于通過其創(chuàng)新的寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體技術(shù)推進可持續(xù)能源解決方案。本次英飛凌寬禁帶論壇將首次展出多款CoolSiC創(chuàng)新產(chǎn)品,偕同英飛凌智能家居方...
2024英飛凌寬禁帶論壇開幕在即:行業(yè)精英齊聚,共話前沿技術(shù)
7月9日,英飛凌將于2024慕尼黑上海電子展期間在上海舉辦“2024英飛凌寬禁帶論壇”。論壇主題將聚焦于新材料、新應(yīng)用的最新發(fā)展成果,與行業(yè)伙伴一道深入...
英飛凌電子書發(fā)布 | 氮化鎵2024年預(yù)測與展望
目前,我們正處于能源轉(zhuǎn)型期,亟需采取行動以應(yīng)對全球變暖,確保未來的美好生活。為實現(xiàn)這個目標, 我們需要重新思考發(fā)電、輸電、電力儲能和用電的方式。能源、經(jīng)...
丁琪超重點介紹了實驗室的6個技術(shù)能力體系。如實驗室核心技術(shù)方向之一的“異質(zhì)集成”,能通過8英寸硅集成不同化合物半導(dǎo)體材料,發(fā)揮不同材料最優(yōu)勢特性,集成相關(guān)芯片。
近日,全球?qū)捊麕ьI(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)意法半導(dǎo)體(ST)在深圳和上海兩地成功舉辦了寬禁帶研討會,受到電力和能源領(lǐng)域?qū)I(yè)嘉賓的熱烈追捧。
2024-03-28 標簽:意法半導(dǎo)體寬禁帶 872 0
第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅功率器件的應(yīng)用
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET,特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。 在眾多...
搶占席位|2023英飛凌寬禁帶應(yīng)用技術(shù)發(fā)展論壇
主辦單位:英飛凌科技(中國)有限公司協(xié)辦單位:慕尼黑展覽(上海)有限公司合作媒體:世紀電源網(wǎng)、電源網(wǎng):7月11日:上海國家會展中心伴隨科技高速發(fā)展,隨之...
第95期什么是寬禁帶半導(dǎo)體?半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段:第一代半導(dǎo)體以硅(Si)、鍺(Ge)為代表;第二代半導(dǎo)體以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(I...
寬禁帶半導(dǎo)體實現(xiàn)規(guī)模性量產(chǎn)的跨越!
國際半導(dǎo)體市場研究機構(gòu)Yole預(yù)測,到2027年,全球碳化硅功率器件市場規(guī)模有望達到約63億美元,其中新能源汽車碳化硅市場空間有望達到近50億美元,占比...
2023-05-30 標簽:新能源汽車寬禁帶寬禁帶半導(dǎo)體 1166 0
氮化鎵的性質(zhì)與穩(wěn)定性以及應(yīng)用領(lǐng)域
氮化鎵,由鎵(原子序數(shù) 31)和氮(原子序數(shù) 7)結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要...
2023-02-05 標簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵寬禁帶 2584 0
意法半導(dǎo)體新廠2023年開始投產(chǎn) 加強碳化硅組件及解決方案襯底供應(yīng)
意法半導(dǎo)體將于意大利興建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)襯底制造廠,以支持意法半導(dǎo)體客戶對汽車及工業(yè)碳化硅組件與日俱增的需求,...
2022-10-08 標簽:晶圓意法半導(dǎo)體碳化硅 1858 0
今天,我們正處于電力電子新時代的早期階段,該時代將塑造未來幾十年。具有電池供電或混合動力發(fā)動機的電動汽車需求量很大,最終將取代汽油和柴油汽車。
2022-08-03 標簽:電力電子數(shù)據(jù)中心寬禁帶 1050 0
寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料,以Ⅲ-Ⅴ族材料,SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展,功率器件的使用越來越多,SiC、GaN等被廣泛應(yīng)...
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