半導(dǎo)體材料發(fā)展史：從硅基到超寬禁帶半導(dǎo)體的跨越

半導(dǎo)體材料是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石，其發(fā)展史不僅是科技進(jìn)步的縮影，更是人類對(duì)材料性能極限不斷突破的見(jiàn)證。從第一代硅基材料到第四代超寬禁帶半導(dǎo)體，每一代材料的...

2025-04-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料寬禁帶 618 0

碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域 碳化硅材料的特性與優(yōu)勢(shì)

碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域 碳化硅（SiC），作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性，在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用潛力。以下是碳化硅的一些主要應(yīng)用領(lǐng)域：...

2024-11-29 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體材料碳化硅 5134 0

聞泰科技與KOSTAL建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

近日，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)宣布與全球知名汽車供應(yīng)商KOSTAL（科世達(dá)）正式建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。這一合作旨在共同開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)更符合汽車應(yīng)用嚴(yán)苛要求的車規(guī)級(jí)...

2024-11-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體寬禁帶聞泰科技 918 0

光谷誕生全球集成度最高光電芯片

丁琪超重點(diǎn)介紹了實(shí)驗(yàn)室的6個(gè)技術(shù)能力體系。如實(shí)驗(yàn)室核心技術(shù)方向之一的“異質(zhì)集成”，能通過(guò)8英寸硅集成不同化合物半導(dǎo)體材料，發(fā)揮不同材料最優(yōu)勢(shì)特性，集成相關(guān)芯片。

2024-04-11 標(biāo)簽：MOSFET無(wú)源器件碳化硅 1044 0

意法半導(dǎo)體寬禁帶研討會(huì)圓滿舉行

近日，全球?qū)捊麕ьI(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)意法半導(dǎo)體（ST）在深圳和上海兩地成功舉辦了寬禁帶研討會(huì)，受到電力和能源領(lǐng)域?qū)I(yè)嘉賓的熱烈追捧。

2024-03-28 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體寬禁帶 872 0

寬禁帶半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)規(guī)模性量產(chǎn)的跨越！

國(guó)際半導(dǎo)體市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole預(yù)測(cè)，到2027年，全球碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到約63億美元，其中新能源汽車碳化硅市場(chǎng)空間有望達(dá)到近50億美元，占比...

2023-05-30 標(biāo)簽：新能源汽車寬禁帶寬禁帶半導(dǎo)體 1166 0

氮化鎵的性質(zhì)與穩(wěn)定性以及應(yīng)用領(lǐng)域

氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要...

2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵寬禁帶 2586 0

意法半導(dǎo)體新廠2023年開(kāi)始投產(chǎn) 加強(qiáng)碳化硅組件及解決方案襯底供應(yīng)

意法半導(dǎo)體將于意大利興建一座整合式碳化硅（Silicon Carbide；SiC）襯底制造廠，以支持意法半導(dǎo)體客戶對(duì)汽車及工業(yè)碳化硅組件與日俱增的需求，...

2022-10-08 標(biāo)簽：晶圓意法半導(dǎo)體碳化硅 1860 0

當(dāng)今和未來(lái)的電力電子寬禁帶材料

今天，我們正處于電力電子新時(shí)代的早期階段，該時(shí)代將塑造未來(lái)幾十年。具有電池供電或混合動(dòng)力發(fā)動(dòng)機(jī)的電動(dòng)汽車需求量很大，最終將取代汽油和柴油汽車。

2022-08-03 標(biāo)簽：電力電子數(shù)據(jù)中心寬禁帶 1051 0

寬禁帶材料測(cè)試

寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見(jiàn)。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來(lái)越多，SiC、GaN等被廣泛應(yīng)...

2022-08-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 1333 0