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標(biāo)簽 > 寄生電容
寄生的含義就是本來(lái)沒有在那個(gè)地方設(shè)計(jì)電容，但由于布線之間總是有互容，互容就好像是寄生在布線之間的一樣，所以叫寄生電容，又稱雜散電容。寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來(lái)的電容特性。實(shí)際上，一個(gè)電容等效于一個(gè)電容，一個(gè)電感，和一個(gè)電阻的串聯(lián)，在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會(huì)增大，不能忽略。
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Low-K材料是介電常數(shù)顯著低于傳統(tǒng)二氧化硅（SiO?，k=3.9–4.2）的絕緣材料，主要用于芯片制造中的層間電介質(zhì)（ILD）。其核心目標(biāo)是通過(guò)降低金...
電子系統(tǒng)中的噪聲有多種形式。無(wú)論是從外部來(lái)源接收到的，還是在PCB布局的不同區(qū)域之間傳遞，噪聲都可以通過(guò)兩種方法無(wú)意中接收：寄生電容和寄生電感。寄生電感...
2025-03-17 標(biāo)簽：pcb寄生電容調(diào)節(jié)器 1071 0
在現(xiàn)代電子電路設(shè)計(jì)和應(yīng)用中，寄生參數(shù)是指那些并非設(shè)計(jì)者最初所期望的，但在電路或元器件中由于物理結(jié)構(gòu)、材料特性或布局布線等因素而自然產(chǎn)生的非預(yù)期電氣參數(shù)。...
SGT MOSFET，即屏蔽柵溝槽MOSFET，是一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件。這種技術(shù)改變了MOSFET內(nèi)部電場(chǎng)的形態(tài)，將傳統(tǒng)的三角形電場(chǎng)進(jìn)一步的變更為類...
CAN通信節(jié)點(diǎn)多時(shí)，如何減少寄生電容和保障節(jié)點(diǎn)數(shù)量？
導(dǎo)讀在汽車電子與工業(yè)控制等領(lǐng)域，CAN通信至關(guān)重要。本文圍繞CAN通信，闡述節(jié)點(diǎn)增多時(shí)如何減少寄生電容的策略，同時(shí)從發(fā)送、接收節(jié)點(diǎn)等方面，講解保障節(jié)點(diǎn)數(shù)...
本文介紹了半大馬士革工藝：利用空氣隙減少寄生電容。 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片制程已經(jīng)進(jìn)入了3納米節(jié)點(diǎn)及更先進(jìn)階段。在這個(gè)過(guò)程中，中道（MEOL）金...
在現(xiàn)代電子電路設(shè)計(jì)中，MOS管無(wú)疑是最常用的電子元件之一。
MOS管的工作原理是通過(guò)改變柵極電壓來(lái)控制源極和漏極之間的通道電阻，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電流的控制。當(dāng)柵極電壓達(dá)到一定閾值時(shí)，通道電阻迅速減小，形成導(dǎo)電通道，使得...
LLC（Light Load Control）是一種在低負(fù)載條件下保持高效率的控制策略，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、LED驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。然而，在LLC關(guān)斷時(shí)，由于...
2024-08-08 標(biāo)簽：開關(guān)電源電壓寄生電容 1949 0
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件。IGBT的寄生電容是指在IGBT內(nèi)部由于結(jié)構(gòu)原因產(chǎn)生的電容，這些電容會(huì)影響IGBT的...
我常用的分析方法——輸入輸出阻抗，是怎么玩的？你會(huì)不？
?這篇文章并非是現(xiàn)在寫的，而是三年前，文章中的方法是我常用的，再次分享給兄弟們。 ? 輸入阻抗，輸出阻抗，這兩個(gè)參數(shù)似乎沒那么重要，但事實(shí)并非如此。下面...
非平衡電橋中立式橋?yàn)槭裁幢扰P式橋測(cè)量的范圍大？
非平衡電橋通常指的是在測(cè)量時(shí)電橋沒有達(dá)到完全平衡狀態(tài)的電橋。立式橋和臥式橋是指電橋的物理布局，其中立式橋的元件垂直排列，而臥式橋的元件水平排列。
2024-05-15 標(biāo)簽：電橋頻率響應(yīng)寄生電容 2170 0
硅片是半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)，絕大多數(shù)的芯片都是在硅片上制造的。SOI（silicon on insulator ）利用絕緣層將單晶硅薄膜與單晶硅片隔離開來(lái)。
熱插拔一般對(duì)電子系統(tǒng)有兩方面影響：1.熱插拔時(shí)，連接器的機(jī)械觸點(diǎn)在接觸瞬間會(huì)出現(xiàn)彈跳，引起電源振蕩；2.熱插拔時(shí)，由于系統(tǒng)大容量?jī)?chǔ)能電容的充電效應(yīng)，系統(tǒng)...
在高頻信號(hào)電路中，電阻不是單純的只有電阻R，而是還有電感，電感L模擬引線，電容Ca用于模擬電荷的分離效應(yīng)，電容Cb用于模擬內(nèi)部引線電容。
這個(gè)噪聲是開關(guān)電源特性所致，它的產(chǎn)生是無(wú)法避免的，但是可以通過(guò)加輸入電容和輸入濾波電路在傳播路徑上對(duì)噪聲進(jìn)行抑制，以下會(huì)詳細(xì)論述。
2024-04-25 標(biāo)簽：開關(guān)電源電磁干擾EMI濾波器 3644 1
芯樸科技所有5G n77 n77/79 PAMiF LFEM 天線口內(nèi)置IEC ESD保護(hù)電路設(shè)計(jì)，無(wú)需外加額外ESD保護(hù)電路情況下，都通過(guò) IEC E...
2024-04-24 標(biāo)簽：寄生電容電磁感應(yīng)ESD保護(hù)電路 2343 0
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)關(guān)鍵注意事項(xiàng)
為了快速導(dǎo)通和關(guān)斷 BJT，必須在每個(gè)方向上硬驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電流，以將載流子移入和移出基極區(qū)。當(dāng) MOSFET 的柵極被驅(qū)動(dòng)為高電平時(shí)，會(huì)存在一個(gè)從雙極型晶體...
求一種4.2中低速M(fèi)IPI接口靜電保護(hù)方案
MIPI提供中低速接口保護(hù)方案（10M-1Gbps）的傳輸速度，本方案采用集成器件防護(hù),寄生電容<1pf, 保證信號(hào)完整性，滿足IEC61000-...
2024-04-09 標(biāo)簽：信號(hào)完整性寄生電容靜電保護(hù) 748 0
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