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標簽 > 寄生電容
寄生的含義就是本來沒有在那個地方設計電容，但由于布線之間總是有互容，互容就好像是寄生在布線之間的一樣，所以叫寄生電容，又稱雜散電容。寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實際上，一個電容等效于一個電容，一個電感，和一個電阻的串聯(lián)，在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會增大，不能忽略。
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Low-K材料是介電常數(shù)顯著低于傳統(tǒng)二氧化硅（SiO?，k=3.9–4.2）的絕緣材料，主要用于芯片制造中的層間電介質（ILD）。其核心目標是通過降低金...
電子系統(tǒng)中的噪聲有多種形式。無論是從外部來源接收到的，還是在PCB布局的不同區(qū)域之間傳遞，噪聲都可以通過兩種方法無意中接收：寄生電容和寄生電感。寄生電感...
在現(xiàn)代電子電路設計和應用中，寄生參數(shù)是指那些并非設計者最初所期望的，但在電路或元器件中由于物理結構、材料特性或布局布線等因素而自然產(chǎn)生的非預期電氣參數(shù)。...
SGT MOSFET，即屏蔽柵溝槽MOSFET，是一種先進的功率半導體器件。這種技術改變了MOSFET內(nèi)部電場的形態(tài)，將傳統(tǒng)的三角形電場進一步的變更為類...
CAN通信節(jié)點多時，如何減少寄生電容和保障節(jié)點數(shù)量？
導讀在汽車電子與工業(yè)控制等領域，CAN通信至關重要。本文圍繞CAN通信，闡述節(jié)點增多時如何減少寄生電容的策略，同時從發(fā)送、接收節(jié)點等方面，講解保障節(jié)點數(shù)...
本文介紹了半大馬士革工藝：利用空氣隙減少寄生電容。 隨著半導體技術的不斷發(fā)展，芯片制程已經(jīng)進入了3納米節(jié)點及更先進階段。在這個過程中，中道（MEOL）金...
MOS管的工作原理是通過改變柵極電壓來控制源極和漏極之間的通道電阻，從而實現(xiàn)對電流的控制。當柵極電壓達到一定閾值時，通道電阻迅速減小，形成導電通道，使得...
LLC（Light Load Control）是一種在低負載條件下保持高效率的控制策略，廣泛應用于開關電源、LED驅動等領域。然而，在LLC關斷時，由于...
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應用于電力電子領域的功率器件。IGBT的寄生電容是指在IGBT內(nèi)部由于結構原因產(chǎn)生的電容，這些電容會影響IGBT的...
?這篇文章并非是現(xiàn)在寫的，而是三年前，文章中的方法是我常用的，再次分享給兄弟們。 ? 輸入阻抗，輸出阻抗，這兩個參數(shù)似乎沒那么重要，但事實并非如此。下面...
非平衡電橋通常指的是在測量時電橋沒有達到完全平衡狀態(tài)的電橋。立式橋和臥式橋是指電橋的物理布局，其中立式橋的元件垂直排列，而臥式橋的元件水平排列。
硅片是半導體制造的基礎，絕大多數(shù)的芯片都是在硅片上制造的。SOI（silicon on insulator ）利用絕緣層將單晶硅薄膜與單晶硅片隔離開來。
熱插拔一般對電子系統(tǒng)有兩方面影響：1.熱插拔時，連接器的機械觸點在接觸瞬間會出現(xiàn)彈跳，引起電源振蕩；2.熱插拔時，由于系統(tǒng)大容量儲能電容的充電效應，系統(tǒng)...
在高頻信號電路中，電阻不是單純的只有電阻R，而是還有電感，電感L模擬引線，電容Ca用于模擬電荷的分離效應，電容Cb用于模擬內(nèi)部引線電容。
這個噪聲是開關電源特性所致，它的產(chǎn)生是無法避免的，但是可以通過加輸入電容和輸入濾波電路在傳播路徑上對噪聲進行抑制，以下會詳細論述。
芯樸科技所有5G n77 n77/79 PAMiF LFEM 天線口內(nèi)置IEC ESD保護電路設計，無需外加額外ESD保護電路情況下，都通過 IEC E...
為了快速導通和關斷 BJT，必須在每個方向上硬驅動柵極電流，以將載流子移入和移出基極區(qū)。當 MOSFET 的柵極被驅動為高電平時，會存在一個從雙極型晶體...
MIPI提供中低速接口保護方案（10M-1Gbps）的傳輸速度，本方案采用集成器件防護,寄生電容<1pf, 保證信號完整性，滿足IEC61000-...
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