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標(biāo)簽 > 寄生電容

寄生電容

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寄生的含義就是本來沒有在那個(gè)地方設(shè)計(jì)電容,但由于布線之間總是有互容,互容就好像是寄生在布線之間的一樣,所以叫寄生電容,又稱雜散電容。寄生電容一般是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實(shí)際上,一個(gè)電容等效于一個(gè)電容,一個(gè)電感,和一個(gè)電阻的串聯(lián),在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯,而在高頻情況下,等效值會(huì)增大,不能忽略。

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寄生電容技術(shù)

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2021-04-17 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器寄生電容電源逆變器 3506 0

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2021-05-06 標(biāo)簽:傳感器電容器恩智浦 2320 0

如何設(shè)計(jì)電容式觸摸系統(tǒng)

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2021-05-17 標(biāo)簽:傳感器PCB寄生電容 1409 0

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開關(guān)電源產(chǎn)生振鈴的主要原因在于非理想器件存在功率級(jí)寄生電容、電感。所謂諧振,即:在MOS管開通、關(guān)斷切換的過程中,寄生電感將能量傳遞給寄生電容進(jìn)行充電,...

2021-05-31 標(biāo)簽:變壓器開關(guān)電源寄生電容 7274 0

mos管寄生電容是什么看了就知道

寄生電容是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實(shí)際上,一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容,一個(gè)電感,一個(gè)電阻的串聯(lián),低頻情況下表現(xiàn)不明顯,而高頻...

2020-10-09 標(biāo)簽:MOS管寄生電容 3.7萬 0

針對(duì)MOS管寄生參數(shù)振蕩損壞電路仿真模擬方案

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通過對(duì)PFC MOS管進(jìn)行測(cè)試和深入分析發(fā)現(xiàn),MOS管的寄生參數(shù)對(duì)振蕩起著關(guān)鍵作用。

2021-02-07 標(biāo)簽:振蕩器MOS管PFC 1.1萬 0

MOSFET寄生電容參數(shù)如何影響開關(guān)速度

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我們應(yīng)該都清楚,MOSFET 的柵極和漏源之間都是介質(zhì)層,因此柵源和柵漏之間必然存在一個(gè)寄生電容CGS和CGD,溝道未形成時(shí),漏源之間也有一個(gè)寄生電容C...

2021-01-08 標(biāo)簽:MOSFET寄生電容射隨器 1.8萬 0

ROHM開發(fā)出第4代SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)了業(yè)界先進(jìn)的低導(dǎo)通電阻

ROHM于2015年世界上第一家成功地實(shí)現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的量產(chǎn),并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。

2021-01-07 標(biāo)簽:MOSFET逆變器低導(dǎo)通電阻 2188 0

淺談電路的耦合方式

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采用直接耦合方式使各級(jí)之間的直流通路相連,因而靜態(tài)工作點(diǎn)相互影響。有零點(diǎn)漂移現(xiàn)象。

2020-06-26 標(biāo)簽:變壓器光電耦合器寄生電容 3548 0

寄生電容與分布電容的區(qū)別

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分布電容強(qiáng)調(diào)的是均勻性。寄生跟強(qiáng)調(diào)的是意外性,指不是專門設(shè)計(jì)成電容,卻有著電容作用的效應(yīng),比如三極管極間電容。單點(diǎn)說,兩條平行走線之間會(huì)產(chǎn)生分布電容,元...

2019-04-30 標(biāo)簽:電容寄生電容分布電容 2.2萬 1

寄生電容產(chǎn)生的原因_寄生電容產(chǎn)生的危害

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2019-04-30 標(biāo)簽:電容寄生電容 3.1萬 0

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2019-05-20 標(biāo)簽:三極管寄生電容 1.1萬 0

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從開關(guān)節(jié)點(diǎn)到輸入引線的少量寄生電容(100毫微微法拉)會(huì)讓您無法滿足電磁干擾(EMI)需求。那100fF電容器是什么樣子的呢?在Digi-Key中,這種...

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PCB板設(shè)計(jì)中的PROTEL技術(shù)有哪些

L=5.08h[ln(4h/d)+1]其中L指過孔的電感,h是過孔的長(zhǎng)度,d是中心鉆孔的直徑。從式中可以看出,過孔的直徑對(duì)電感的影響較小,而對(duì)電感影響最...

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高速PCB過孔設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)該考慮哪些問題

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