為什么需要柵極驅(qū)動(dòng)器？柵極驅(qū)動(dòng)器及其應(yīng)用介紹

柵極驅(qū)動(dòng)器是低壓控制器和高功電路之間的緩沖電路，用于放大控制器的控制信號(hào)，從而實(shí)現(xiàn)功率器件更有效的導(dǎo)通和關(guān)斷。

2024-04-02 標(biāo)簽：MOSFET寄生電容驅(qū)動(dòng)芯片 2135 0

瑞薩電容觸摸技術(shù)之低功耗應(yīng)用—RX140實(shí)驗(yàn)環(huán)節(jié)(5)-2

單擊下圖紅色框內(nèi)的圓點(diǎn)，將"Low power timer clock(LPTCLK) "的時(shí)鐘源設(shè)定為"IWDT-ded...

2024-04-02 標(biāo)簽：瑞薩寄生電容電容觸摸 2195 0

瑞薩電容觸摸技術(shù)之低功耗應(yīng)用案例—RX140實(shí)驗(yàn)環(huán)節(jié)（3）

在本實(shí)驗(yàn)環(huán)節(jié)中，將在Lab session 1的基礎(chǔ)上，增加MEC多電極連接功能，12個(gè)按鍵電極將在內(nèi)部連接在一起，作為一個(gè)MEC電極工作，此時(shí)不識(shí)別1...

2024-03-28 標(biāo)簽：傳感器寄生電容電容觸摸 1001 0

Buck電路EMI高風(fēng)險(xiǎn)區(qū)域揭秘

標(biāo)準(zhǔn)的矩形波，電壓波形跳變具有明顯的激增和驟降，存在高dv/dt，高頻分量飽和程度也是拉滿。結(jié)合上節(jié)提到的寄生電容和分布電感，給共模噪聲的產(chǎn)生做了巨大貢...

2024-03-26 標(biāo)簽：emi電感寄生電容 1660 0

你知道嗎？晶振為何不宜置于PCB邊緣？

從PCB布局可以看出，12MHz的晶體正好布置在了PCB邊緣，當(dāng)產(chǎn)品放置于輻射發(fā)射的測(cè)試環(huán)境中時(shí)，被測(cè)產(chǎn)品的高速器件與實(shí)驗(yàn)室中參考地會(huì)形成一定的容性耦合...

2024-03-20 標(biāo)簽：pcbemi晶振 559 0

壓敏電阻易老化怎么辦？

壓敏電阻具有較大的寄生電容，當(dāng)它應(yīng)用于交流電源系統(tǒng)的保護(hù)時(shí)，往往會(huì)在正常運(yùn)行狀態(tài)下產(chǎn)生數(shù)值可觀的泄漏電流。例如一個(gè)寄生電容為2nF的壓敏電阻安裝在220...

2024-03-20 標(biāo)簽：壓敏電阻寄生電容電源系統(tǒng) 469 0

MOS管驅(qū)動(dòng)電路的4種類型

MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。

2024-03-19 標(biāo)簽：開關(guān)電源MOS管驅(qū)動(dòng)電路 1748 0

深度解析干簧開關(guān)的負(fù)載轉(zhuǎn)換和開關(guān)保護(hù)

開關(guān)有整體的凈電容性負(fù)載時(shí)，開關(guān)閉合會(huì)有電流涌入，從而導(dǎo)致開關(guān)損毀并甚至令干簧片互相黏住，具體情況取決于總電容負(fù)載，現(xiàn)時(shí)電壓和串聯(lián)的電阻值。

2024-03-18 標(biāo)簽：繼電器電容電感 1322 0

如何看懂MOS管的每一個(gè)參數(shù)

那么結(jié)溫和熱阻有什么用呢？--半導(dǎo)體器件主要通過(guò)熱傳遞的方式對(duì)元件本身進(jìn)行散熱，當(dāng)芯片溫度升高，超過(guò)結(jié)溫后會(huì)導(dǎo)致元件損壞。

2024-03-18 標(biāo)簽：MOS管導(dǎo)通電阻晶體管 4115 0

瑞薩電容觸摸技術(shù)之低功耗應(yīng)用案例—RX140實(shí)驗(yàn)環(huán)節(jié)(2)-3

自動(dòng)調(diào)整過(guò)程 (Auto Tuning Process) 完成前四步準(zhǔn)備工作后，開始第五步。

2024-03-12 標(biāo)簽：傳感器寄生電容電容觸摸 1051 0

嵌入式開發(fā)中引起串?dāng)_的原因是什么？

電路布線常會(huì)有串?dāng)_的風(fēng)險(xiǎn)，最后簡(jiǎn)單說(shuō)明幾個(gè)減小串?dāng)_的方法，常見增大走線間距、使兩導(dǎo)體的有串?dāng)_風(fēng)險(xiǎn)的區(qū)域最小化、相鄰層走線時(shí)傳輸線互相彼此垂直、降低板材介...

2024-03-07 標(biāo)簽：寄生電容嵌入式開發(fā)傳輸線 2014 0

什么是寄生效應(yīng)？寄生電容及版圖抗干擾設(shè)計(jì)

在非理想狀態(tài)下設(shè)計(jì)中不希望存在的，有物質(zhì)本身特性，或物質(zhì)與物質(zhì)間相互作用，在特定條件下所產(chǎn)生的新特性。

2024-03-04 標(biāo)簽：三極管電容器寄生電容 6764 0

雙向可控硅的特點(diǎn)及應(yīng)用 雙向可控硅觸發(fā)電路設(shè)計(jì)技巧

雙向可控硅是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅，而且僅需一個(gè)觸發(fā)電路，是比較理想的交流開關(guān)器件。其英文名稱TRIAC即三...

2024-02-26 標(biāo)簽：可控硅光電耦合器雙向可控硅 7.4萬(wàn) 0

無(wú)源晶振的參數(shù)特性 無(wú)源晶振的等效電路圖

晶振作為電子設(shè)備中重要的時(shí)鐘源，分為有源晶振和無(wú)源晶振兩種類型。

2024-02-26 標(biāo)簽：無(wú)源晶振PCB設(shè)計(jì)寄生電容 2029 0

MOSFET雪崩擊穿圖解 MOSFET避免雪崩失效的方法

當(dāng)功率器件承受的雪崩耐量超過(guò)極限后，芯片最終會(huì)損壞，然而單脈沖雪崩與重復(fù)雪崩的失效機(jī)理并不相同。

2024-02-25 標(biāo)簽：MOSFET雪崩擊穿功率器件 5413 0

詳解MOS管的寄生電感和寄生電容

寄生電容和寄生電感是指在電路中存在的非意圖的電容和電感元件。 它們通常是由于電路布局、線路長(zhǎng)度、器件之間的物理距離等因素引起的。

2024-02-21 標(biāo)簽：MOS管寄生電容寄生電感 3195 0

淺析電阻器的熱噪聲與過(guò)剩噪聲

電阻器的固有噪聲，是指其自身產(chǎn)生的噪聲，包括熱噪聲和過(guò)剩噪聲。

2024-01-26 標(biāo)簽：電阻器二進(jìn)制寄生電容 1603 0

晶振的三個(gè)電容的含義

負(fù)載電容（Load capacitance）是以晶振為核心的整個(gè)振蕩回路的全部有效電容的總和。這個(gè)CL值的大小決定著振蕩器的工作頻率，通過(guò)調(diào)整負(fù)載電容，...

2024-01-24 標(biāo)簽：電容晶振寄生電容 992 0

什么是開關(guān)振鈴？振鈴的原因？如何優(yōu)化振鈴現(xiàn)象？

開關(guān)振鈴是指在電子設(shè)備中，當(dāng)開關(guān)從一個(gè)狀態(tài)切換到另一個(gè)狀態(tài)時(shí)，由于寄生電容、電感等元件的存在，導(dǎo)致電路中的電壓和電流發(fā)生瞬時(shí)波動(dòng)的現(xiàn)象。

2024-02-17 標(biāo)簽：寄生電容LC濾波器諧振轉(zhuǎn)換器 1.4萬(wàn) 0