5管運(yùn)放/電流鏡中的鏡像零點(diǎn)分析

單端輸出的5管運(yùn)放或者電流鏡存在一對(duì)高頻零極點(diǎn)對(duì)，本文試圖從多個(gè)角度推導(dǎo)、理解這個(gè)零點(diǎn)。

2023-10-12 標(biāo)簽：運(yùn)放電路電流鏡寄生電容 5870 0

干擾耦合途徑 抑制干擾噪聲的方法

外部干擾源產(chǎn)生的噪聲影晌到檢測(cè)系統(tǒng)的正常工作，是經(jīng)由某種傳播途徑被耦合到了檢測(cè)系統(tǒng)之中。

2023-10-12 標(biāo)簽：放大器EDA工具寄生電容 3443 0

TVS的七大參數(shù)介紹

結(jié)電容是 TVS 中的寄生電容，在高速 IO 端口保護(hù)需要重點(diǎn)關(guān)注，過大的結(jié)電容可能會(huì)影響信號(hào)的質(zhì)量。根據(jù)被保護(hù)的信號(hào)速率，選擇合適的結(jié)電容，如下給出常...

2023-10-12 標(biāo)簽：電容TVS寄生電容 4809 0

電感的常見作用有哪些

電感器俗稱電感，本質(zhì)上是一個(gè)線圈，有空心線圈也有實(shí)心線圈，實(shí)心線圈有鐵芯或者其它材料制成的芯，電感的單位是“H”，簡稱“亨”。此外，更小的單位是mH，u...

2023-10-11 標(biāo)簽：線圈電感器低通濾波器 3130 0

什么是SOI襯底？SOI襯底的優(yōu)勢(shì)是什么？

SOI是Silicon-On-Insulator的縮寫。直譯為在絕緣層上的硅。實(shí)際的結(jié)構(gòu)是，硅片上有一層超薄的絕緣層，如SiO2。在絕緣層上又有一層薄薄...

2023-10-10 標(biāo)簽：集成電路寄生電容SOI 5502 0

捋一284x電源芯片各腳之間的內(nèi)在邏輯關(guān)系

如下圖，捋一下284x系列芯片的內(nèi)在工作機(jī)制，無論對(duì)原理分析還是故障診斷，都有莫大的益處啊。

2023-10-09 標(biāo)簽：放大器開關(guān)電源電壓比較器 1836 0

壓敏電阻的正確使用方法介紹

由于壓敏電阻（MOV）具有較大的寄生電容，用在交流電源系統(tǒng)，會(huì)產(chǎn)生可觀的泄漏電流，性能較差的壓敏電阻使用一段時(shí)間后，因泄漏電流變大可能會(huì)發(fā)熱自爆。

2023-10-09 標(biāo)簽：電阻電流壓敏電阻 1972 0

聊聊MOS管和三極管的具體區(qū)別

MOS管和三極管的區(qū)別，很多伙伴都知道，MOS管屬于電壓驅(qū)動(dòng)，三極管屬于電流驅(qū)動(dòng)。

2023-10-08 標(biāo)簽：三極管MOS管寄生電容 1223 0

高頻PCB的過孔該怎么做？

過孔是多層PCB 的重要組成部分之一，鉆孔的費(fèi)用通常占PCB 制板費(fèi)用的30%到40%。簡單的說來，PCB 上的每一個(gè)孔都可以稱之為過孔。

2023-10-08 標(biāo)簽：pcbPCB設(shè)計(jì)寄生電容 747 0

一種針對(duì)導(dǎo)電紗線的寄生電容進(jìn)行建模和測(cè)量的方法

近日，南方科技大學(xué)電子與電氣工程系葉濤教授課題組在Nature Communications發(fā)表論文，標(biāo)題為《Parasitic capacitance...

2023-10-07 標(biāo)簽：萬用表電感器網(wǎng)絡(luò)分析儀 1326 0

什么是DC IR Drop？DC IR Drop仿真有何意義？

DC即Direct Current，直流電，電流方向不隨時(shí)間發(fā)生改變；IR Drop中的I指電流，R指電阻，I與R相乘即為電壓，IR Drop就是電壓降；

2023-09-28 標(biāo)簽：晶體管寄生電容電源完整性 5817 0

MOS管的基本結(jié)構(gòu) MOS管的二級(jí)效應(yīng)

本章首先介紹了MOS管的基本結(jié)構(gòu)并推導(dǎo)了其I/V特性，并闡述MOS管的二級(jí)效應(yīng)，如體效應(yīng)、溝道長度調(diào)制效應(yīng)和亞閾值傳導(dǎo)等，之后介紹了MOS管的寄生電容，...

2023-10-02 標(biāo)簽：MOS管寄生電容CMOS集成電路 6675 0

LVDS差分信號(hào)技術(shù)質(zhì)量初勘

LVDS是一種低擺幅的差分信號(hào)技術(shù)，它使得信號(hào)能在差分PCB線對(duì)或平衡電纜上以幾百M(fèi)bps的速率傳輸，其低壓幅和低電流驅(qū)動(dòng)輸出實(shí)現(xiàn)了低噪聲和低功耗。

2023-10-02 標(biāo)簽：示波器寄生電容差分信號(hào) 1956 0

IGBT功率模塊的開關(guān)特性有哪些呢？

IGBT 功率模塊的開關(guān)特性是由它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，內(nèi)部的寄生電容和內(nèi)部和外接的電阻決定的。

2023-09-22 標(biāo)簽：MOSFETIGBT晶體管 2148 0

什么是跨阻放大器？跨阻放大器的穩(wěn)定性

首先定義跨阻放大器是什么。對(duì)于上下文，我們來看一個(gè)示例電路。

2023-09-19 標(biāo)簽：衰減器寄生電容數(shù)模轉(zhuǎn)換器 1.2萬 0

解讀LM321集成運(yùn)放的數(shù)據(jù)規(guī)格書（2）

關(guān)于非理想特性的各個(gè)參數(shù)是體現(xiàn)運(yùn)放性能的關(guān)鍵，在這份數(shù)據(jù)規(guī)格書中，給出了這個(gè)運(yùn)放器件兩種不同電壓的供電條件下的測(cè)試數(shù)據(jù)表格

2023-09-18 標(biāo)簽：輸出電壓寄生電容電源抑制比 4291 0

如何最大限度地提高SiC MOSFET性能呢？

在高功率應(yīng)用中，碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。其中包括更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗以及更好的高溫性能。

2023-09-11 標(biāo)簽：MOSFETIGBT寄生電容 1239 0

BUCK電路主要干擾源頭與差模傳導(dǎo)發(fā)射分析

BUCK電路為典型的開關(guān)電源電路，為降壓電路，其主要電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如下，隨著開關(guān)管不停的通斷，右邊的輸出電壓低于左邊的輸入電壓，從而實(shí)現(xiàn)降壓功能。

2023-09-11 標(biāo)簽：開關(guān)電源EMI濾波器寄生電容 5285 0

LCD串?dāng)_的定義及分類 垂直串?dāng)_產(chǎn)生的原因有哪些

隨著薄膜晶體管液晶顯示器的迅速發(fā)展，產(chǎn)品高分辨率、廣視角、高響應(yīng)速度 、 高開口率等需求對(duì)器件的顯示質(zhì)量提出了更高的要求。

2023-09-11 標(biāo)簽：lcdTFT寄生電容 2795 0