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標簽 > 寄生電容
寄生的含義就是本來沒有在那個地方設計電容，但由于布線之間總是有互容，互容就好像是寄生在布線之間的一樣，所以叫寄生電容，又稱雜散電容。寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實際上，一個電容等效于一個電容，一個電感，和一個電阻的串聯(lián)，在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會增大，不能忽略。
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對于MOSFET，米勒效應（Miller Effect）指其輸入輸出之間的分布電容（柵漏電容）在反相放大作用下，使得等效輸入電容值放大的效應。由于米勒效...
小外形封裝 (Small Outine Package, SOP）器件屬于引腳從封裝體兩側子出呈翼狀的表面貼裝器件，其封裝結構分 為嵌人式和外露式兩種。
高速CAN網絡需要在CAN_H和CAN_L加終端電阻，電纜上的終端電阻應與電纜的標稱阻抗相匹配，終端匹配電阻一般為120Ω，每個終端電阻應能消耗0.25...
從PCB布局可以看出，12MHZ的晶體正好布置在了PCB邊緣，當產品放置與輻射發(fā)射的測試環(huán)境中時，被測產品的高速器件與實驗室中參考接地會形成一定的容性耦...
SiC MOSFET溝槽結構將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復雜，單元一致性比平面結構差。
上圖所示為LLC諧振變換器的工作原理圖，由圖中我們知道LLC即為諧振槽參數(shù)：諧振電感Lr，諧振電容Cr，激磁電感Lm；其中，諧振電感和激磁電感都可以整合...
所謂安規(guī)電容器，指的就是必須過安規(guī)認證的特殊電容器，比如X和Y安規(guī)電容
穿心電容是電容的一種，它是三端電容，作用是消除高頻。不像普通的三端電容，穿心電容它是直接安裝在金屬面板上，這樣一來接地電感更小，對于引線電感的影響幾乎可...
臺積電的幾個不同小組一直在從不同角度研究WSe2傳導和摻雜。一組使用氧等離子體將WSe2半導體單層轉化為Ox。該過程是自限性的，不影響底層的WSe2材料...
前面我們詳細的介紹了共射放大電路的設計步驟，對于低頻信號，可以不考慮三極管的頻率特性，但是隨著輸入信號頻率的增加，MOS管的寄生電容就不得不考慮。MOS...
工業(yè)系統(tǒng)設計中，考慮到耐高壓、安全、抗噪等因素，對隔離設計的需求越來越廣泛，而將信號/功率轉化為隔離的方式進行傳輸一直是系統(tǒng)設計的難點之一。
2023-02-16 標簽：變壓器數(shù)字隔離器隔離電源 1775 0
手算法其實就是根據設計要求，把結構定下來之后運用運放的一些基礎知識將MOS管的W/L參數(shù)一一定下來的方法，這個方法不一定能設計出很完美的運放，但是對...
過孔（via）是多層PCB的重要組成部分之一，鉆孔的費用通常占PCB制板費用的30%到40%。簡單的說來，PCB上的每一個孔都可以稱之為過孔。
使用DCDC同步電源過程中，測試波形會出現(xiàn)電壓尖峰過沖問題，文中給出調試此問題過程中的解決方法。
過孔（via）是多層PCB的重要組成部分之一，鉆孔的費用通常占PCB制板費用的30%到40%。簡單的說來，PCB上的每一個孔都可以稱之為過孔。
如果信號傳輸過程中感受到阻抗的變化，就會發(fā)生信號的反射。這個信號可能是驅動端發(fā)出的信號，也可能是遠端反射回來的反射信號。
SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiC MOSFET的結構，如圖1所示。這種結構的特點是工藝簡單，單元...
繼前篇的Si晶體管的分類與特征、基本特性之后，本篇就作為功率開關被廣為應用的Si-MOSFET的特性作補充說明。MOSFET的寄生電容：MOSFET在結...
雙極晶體管和 MOSFET 晶體管的工作原理相同。從根本上說，這兩種晶體管都是電荷控制器件，這就意味著它們的輸出電流與控制電極在半導體中形成的電荷成...
通過上面對過孔寄生特性的分析，我們可以看到，在高速PCB設計中，看似簡單的過孔往往也會給電路的設計帶來很大的負面效應。
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