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標(biāo)簽 > 寄生電容
寄生的含義就是本來沒有在那個(gè)地方設(shè)計(jì)電容，但由于布線之間總是有互容，互容就好像是寄生在布線之間的一樣，所以叫寄生電容，又稱雜散電容。寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實(shí)際上，一個(gè)電容等效于一個(gè)電容，一個(gè)電感，和一個(gè)電阻的串聯(lián)，在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會(huì)增大，不能忽略。
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小外形封裝 (Small Outine Package, SOP）器件屬于引腳從封裝體兩側(cè)子出呈翼狀的表面貼裝器件，其封裝結(jié)構(gòu)分 為嵌人式和外露式兩種。
CAN總線網(wǎng)絡(luò)安裝終端電阻的三個(gè)因素
高速CAN網(wǎng)絡(luò)需要在CAN_H和CAN_L加終端電阻，電纜上的終端電阻應(yīng)與電纜的標(biāo)稱阻抗相匹配，終端匹配電阻一般為120Ω，每個(gè)終端電阻應(yīng)能消耗0.25...
2023-04-07 標(biāo)簽：CAN總線寄生電容CAN網(wǎng)絡(luò) 1592 0
從PCB布局可以看出，12MHZ的晶體正好布置在了PCB邊緣，當(dāng)產(chǎn)品放置與輻射發(fā)射的測(cè)試環(huán)境中時(shí)，被測(cè)產(chǎn)品的高速器件與實(shí)驗(yàn)室中參考接地會(huì)形成一定的容性耦...
SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復(fù)雜，單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。
上圖所示為L(zhǎng)LC諧振變換器的工作原理圖，由圖中我們知道LLC即為諧振槽參數(shù)：諧振電感Lr，諧振電容Cr，激磁電感Lm；其中，諧振電感和激磁電感都可以整合...
所謂安規(guī)電容器，指的就是必須過安規(guī)認(rèn)證的特殊電容器，比如X和Y安規(guī)電容
如何利用穿心電容去實(shí)現(xiàn)一種高頻濾波呢？
穿心電容是電容的一種，它是三端電容，作用是消除高頻。不像普通的三端電容，穿心電容它是直接安裝在金屬面板上，這樣一來接地電感更小，對(duì)于引線電感的影響幾乎可...
硅的潛在設(shè)計(jì)——MoS 2或 WSe 2溝道
臺(tái)積電的幾個(gè)不同小組一直在從不同角度研究WSe2傳導(dǎo)和摻雜。一組使用氧等離子體將WSe2半導(dǎo)體單層轉(zhuǎn)化為Ox。該過程是自限性的，不影響底層的WSe2材料...
前面我們?cè)敿?xì)的介紹了共射放大電路的設(shè)計(jì)步驟，對(duì)于低頻信號(hào)，可以不考慮三極管的頻率特性，但是隨著輸入信號(hào)頻率的增加，MOS管的寄生電容就不得不考慮。MOS...
工業(yè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，考慮到耐高壓、安全、抗噪等因素，對(duì)隔離設(shè)計(jì)的需求越來越廣泛，而將信號(hào)/功率轉(zhuǎn)化為隔離的方式進(jìn)行傳輸一直是系統(tǒng)設(shè)計(jì)的難點(diǎn)之一。
2023-02-16 標(biāo)簽：變壓器數(shù)字隔離器隔離電源 1669 0
手算法其實(shí)就是根據(jù)設(shè)計(jì)要求，把結(jié)構(gòu)定下來之后運(yùn)用運(yùn)放的一些基礎(chǔ)知識(shí)將MOS管的W/L參數(shù)一一定下來的方法，這個(gè)方法不一定能設(shè)計(jì)出很完美的運(yùn)放，但是對(duì)...
過孔（via）是多層PCB的重要組成部分之一，鉆孔的費(fèi)用通常占PCB制板費(fèi)用的30%到40%。簡(jiǎn)單的說來，PCB上的每一個(gè)孔都可以稱之為過孔。
使用DCDC同步電源過程中，測(cè)試波形會(huì)出現(xiàn)電壓尖峰過沖問題，文中給出調(diào)試此問題過程中的解決方法。
過孔（via）是多層PCB的重要組成部分之一，鉆孔的費(fèi)用通常占PCB制板費(fèi)用的30%到40%。簡(jiǎn)單的說來，PCB上的每一個(gè)孔都可以稱之為過孔。
2023-02-13 標(biāo)簽：PCBPCB設(shè)計(jì)寄生電容 2298 0
如果信號(hào)傳輸過程中感受到阻抗的變化，就會(huì)發(fā)生信號(hào)的反射。這個(gè)信號(hào)可能是驅(qū)動(dòng)端發(fā)出的信號(hào)，也可能是遠(yuǎn)端反射回來的反射信號(hào)。
碳化硅SiC MOSFET器件的結(jié)構(gòu)及特性
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單，單元...
繼前篇的Si晶體管的分類與特征、基本特性之后，本篇就作為功率開關(guān)被廣為應(yīng)用的Si-MOSFET的特性作補(bǔ)充說明。MOSFET的寄生電容：MOSFET在結(jié)...
雙極晶體管和 MOSFET 晶體管的工作原理相同。從根本上說，這兩種晶體管都是電荷控制器件，這就意味著它們的輸出電流與控制電極在半導(dǎo)體中形成的電荷成...
通過上面對(duì)過孔寄生特性的分析，我們可以看到，在高速PCB設(shè)計(jì)中，看似簡(jiǎn)單的過孔往往也會(huì)給電路的設(shè)計(jì)帶來很大的負(fù)面效應(yīng)。
三極管屬于電流型驅(qū)動(dòng)元器件，因此一般在基極都會(huì)串一個(gè)限流電阻，一般小于等于10K，但是在基極為什么會(huì)下拉一個(gè)電阻呢？舉例說明。如下圖，是溫度開關(guān)控制馬達(dá)電路圖。
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