寄生電感

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寄生電感技術(shù)

在開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和射頻系統(tǒng)中，＞1MHz的電流測(cè)量精度直接決定系統(tǒng)性能。傳統(tǒng)方案依賴電流互感器（CT）或霍爾傳感器，卻常受限于相位漂移、磁飽和和帶寬...

2025-06-23 標(biāo)簽：開關(guān)電源互感器串聯(lián)電感 459 0

疊層母排在IGBT變流器中的應(yīng)用（2）

回路中各環(huán)節(jié)電感值對(duì)于減小回路的總雜散電感而言十分重要。由于直流支撐電容器和IGBT的內(nèi)部電感是定值，其降低只能通過器件制造商提高制造和工藝水平來實(shí)現(xiàn)。...

2025-06-17 標(biāo)簽：IGBT 寄生電感變流器 436 0

UCC27311A 具有 8V UVLO 和使能功能的 120V 4A 半橋驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27311A 是一款堅(jiān)固耐用的柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)采用半橋或同步降壓配置的兩個(gè) N 溝道 MOSFET，絕對(duì)最大自舉電壓為 120V。其 3....

2025-05-15 標(biāo)簽：MOSFET 寄生電感拉電流 218 0

UCC24636 具有超低待機(jī)電流的同步整流器控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC24636 SR 是一款緊湊的 6 引腳次級(jí)側(cè)同步整流器 MOSFET 控制器和驅(qū)動(dòng)器，用于在非連續(xù) （DCM）和過渡模式（TM）。與測(cè)量 ...

2025-03-24 標(biāo)簽：MOSFET 控制器寄生電感 353 0

用戶指南#LMG3422EVM-043 LMG3422R030 600V 30mΩ 半橋子卡評(píng)估模塊

LMG342XEVM - 04X 包含兩個(gè)以半橋配置的 LMG342XR0X0 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET）。所有的偏置和電平轉(zhuǎn)換組件都已集成，...

2025-02-21 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 GaN 424 0

Layout設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

VS器件要盡可能布局在緊鄰干擾源的輸入端（端口靠近面板處）。

2024-12-29 標(biāo)簽：元器件 Layout 寄生電感 562 0

更高性能OBC的關(guān)鍵設(shè)計(jì)考慮因素

消費(fèi)者需求不斷攀升，電動(dòng)汽車(EV)必須延長(zhǎng)續(xù)航里程，方可與傳統(tǒng)的內(nèi)燃機(jī)(ICE)汽車相媲美。解決這個(gè)問題主要有兩種方法：在不顯著增加電池尺寸或重量的情...

2024-11-14 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車安森美寄生電感 775 0

瓷介電容器在性能上有哪些主要優(yōu)缺點(diǎn)

瓷介電容器是一種使用陶瓷材料作為介質(zhì)的電容器，廣泛應(yīng)用于電子電路中，用于儲(chǔ)存和釋放電能、濾波、去耦、諧振等。由于陶瓷材料的介電常數(shù)較高，瓷介電容器通常具...

2024-09-20 標(biāo)簽：瓷介電容器電能寄生電感 1489 0

IGBT模塊吸收電容參數(shù)設(shè)計(jì)

IGBT模塊采用吸收電路時(shí)，典型的關(guān)斷電壓波形如下圖所示。從圖中可以看出，初始浪涌電壓△U1之后，隨著吸收電容充電，瞬態(tài)電壓再次上升。第二次上升峰值△U...

2024-08-05 標(biāo)簽：二極管電容 IGBT 2058 0

GaNSense?半橋IC可提高效率并降低成本，賦能電機(jī)集成逆變器

電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)消耗了歐洲近50%的電力，因此政府制定了相關(guān)法規(guī)和標(biāo)準(zhǔn)，以確保盡可能高效地使用電力，同時(shí)盡量減少對(duì)電網(wǎng)的影響和擾亂。

2024-05-30 標(biāo)簽：逆變器電平轉(zhuǎn)換器寄生電感 984 0

基于ADI LTC1871的實(shí)例分析穩(wěn)壓器PCB布局帶來的影響

講解如何利用LTC1871 升壓型開關(guān)穩(wěn)壓器的仿真電路來檢查開關(guān)波形，并觀察寄生電感變化時(shí)的 PCB 布局。

2024-05-16 標(biāo)簽：pcb adi 穩(wěn)壓器 803 0

安建半導(dǎo)體推出針對(duì)大電流高功率應(yīng)用的SGT MOSFET器件

近年來，工業(yè)及消費(fèi)市場(chǎng)對(duì)于系統(tǒng)的要求不斷提高，為達(dá)到更優(yōu)秀的效率、可靠性及熱性能，MOSFET作為功率核心部件擔(dān)當(dāng)著非常重要的角色。

2024-05-06 標(biāo)簽：MOSFET 寄生電感柵極驅(qū)動(dòng)器 1987 0

如何使用RC緩沖電路去除開關(guān)節(jié)點(diǎn)諧波噪聲

降壓轉(zhuǎn)換器IC的開關(guān)節(jié)點(diǎn)容易產(chǎn)生很多高次諧波噪聲，緩沖電路作為除去這些高次諧波噪聲的手段之一，本節(jié)簡(jiǎn)述如何使用RC緩沖電路去除開關(guān)節(jié)點(diǎn)諧波噪聲。

2024-04-30 標(biāo)簽：DC-DC 寄生電感緩沖電路 2042 0

PFC頻繁炸機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路原理分析

用FAN73711浮驅(qū)芯片，在起機(jī)時(shí)沒有發(fā)現(xiàn)異常的高電平現(xiàn)象，基本能夠正常工作，但是在更加惡劣的工作狀態(tài)下會(huì)發(fā)生炸機(jī)，比如在源跳變時(shí)會(huì)發(fā)生PFC炸機(jī)。

2024-04-15 標(biāo)簽：pcb MOS管驅(qū)動(dòng)電路 3463 0

基于ANSYS的寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的數(shù)字設(shè)計(jì)方案

寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體需要具有更低的寄生電感和電容的封裝。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，提出了新的包裝解決方案，以增加集成度。

2024-03-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電源模塊 ANSYS 1004 0

電路PCB的地平面設(shè)計(jì)對(duì)EMI的影響

在電路PCB設(shè)計(jì)中，地平面設(shè)計(jì)是一個(gè)重要的組成部分，PCB地平面的設(shè)計(jì)不僅關(guān)乎到電子產(chǎn)品的工作性能，而且對(duì)于EMC方面的影響也是息息相關(guān)。

2024-03-19 標(biāo)簽：開關(guān)電源 emi PCB設(shè)計(jì) 3522 0

什么是寄生電感？如何計(jì)算過孔的寄生電感？

在PCB（PrintedCircuitBoard，印刷電路板）設(shè)計(jì)中，過孔寄生電感是一個(gè)重要的考慮因素。當(dāng)電流通過PCB的過孔時(shí)，由于過孔的幾何形狀和布...

2024-03-15 標(biāo)簽：pcb 過孔寄生電感 3042 0

如何實(shí)現(xiàn)高功率密度三相全橋SiC功率模塊設(shè)計(jì)與開發(fā)呢？

為滿足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車行業(yè)對(duì)高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相全橋 SiC 功率模塊設(shè)計(jì)與開發(fā)，...

2024-03-13 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車散熱器 SiC 2774 1

PCB工作地與金屬外殼連接對(duì)ESD干擾影響的實(shí)例分析

圖中有兩條ESD共模干擾路徑，即圖中左邊ICM1所在路徑和右邊ICM2路徑。很明顯，第二條干擾路徑才是ESD測(cè)試不通過的主要原因。

2024-03-05 標(biāo)簽：ESD pcb 連接器 3207 0

如何從不同角度分析電容去耦原理

從儲(chǔ)能角度理解電容容易造成一種錯(cuò)覺，認(rèn)為電容越大越好。而且容易誤導(dǎo)大家認(rèn)為儲(chǔ)能作用發(fā)生在低頻段，不容易向高頻擴(kuò)展。實(shí)際上，從儲(chǔ)能角度理解，可以解釋任何電...

2024-03-04 標(biāo)簽：電容電源系統(tǒng)寄生電感 666 1

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電路過電流過電壓保護(hù)是為防止主回路短路或直流牽引電動(dòng)機(jī)發(fā)生環(huán)火造成主回路電流過大而損壞同步牽引發(fā)電機(jī)、主整流柜等電氣設(shè)備，機(jī)車在牽引、電阻制動(dòng)或自負(fù)載工況下，對(duì)主電路的過電流和過電壓均進(jìn)行保護(hù)。
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單相電路里的兩根供電電線，一根叫火線（學(xué)名相線），另一根則叫零線（學(xué)名中性線）。火線和零線的區(qū)別在于它們對(duì)地的電壓不同。如果火線和零線一旦碰起來，由于兩者之間的電壓等于220伏，而兩接觸點(diǎn)間的電阻幾乎等于零，這時(shí)的電流非常大，在火線和零線的接觸點(diǎn)處將產(chǎn)生巨大的熱量，從而發(fā)出電火花，火花處的溫度高到足以把金屬導(dǎo)線燒得熔化。
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