淺談高壓SiC MOSFET發(fā)展歷程與研究現(xiàn)狀

高壓SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和技術(shù)存在著幾個(gè)重要瓶頸：1）器件漂移區(qū)的導(dǎo)通電阻隨電壓等級(jí)相應(yīng)增加，其他結(jié)構(gòu)（溝道、JFET區(qū)等）的存在進(jìn)一步提高了總導(dǎo)通電阻。

2023-05-04 標(biāo)簽：二極管MOSFET導(dǎo)通電阻 3645 0

SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別是什么

相對(duì)于IGBT，SiC-MOSFET降低了開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)的損耗，實(shí)現(xiàn)了高頻率工作，有助于應(yīng)用的小型化。相對(duì)于同等耐壓的SJ-MOSFET，導(dǎo)通電阻較小，可減...

2023-09-11 標(biāo)簽：MOSFET元器件導(dǎo)通電阻 3638 0

MOS管導(dǎo)通損耗的計(jì)算方法

MOS 管計(jì)算導(dǎo)通損耗時(shí)，應(yīng)該用平均電流IAVG還是用電流有效IRMS值呢？

2023-07-19 標(biāo)簽：MOS管導(dǎo)通電阻輸出電流 3466 0

羅姆第4代SiC MOSFET在電動(dòng)汽車電控系統(tǒng)中的應(yīng)用及其優(yōu)勢(shì)

羅姆于2020年完成開(kāi)發(fā)的第4代SiC MOSFET，是在不犧牲短路耐受時(shí)間的情況下實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)超低導(dǎo)通電阻的產(chǎn)品。

2022-03-09 標(biāo)簽：MOSFET導(dǎo)通電阻emc 3446 0

春風(fēng)極核AE8電機(jī)控制器拆解分析

NCEP15T14D為新潔能Super Trench系列產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品采用了具有電荷平衡功能的屏蔽柵深溝槽（Super Trench）技術(shù)，全面提升了...

2023-10-07 標(biāo)簽：MOSFET導(dǎo)通電阻MOS 3320 0

MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路案例分析

MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的...

2020-07-13 標(biāo)簽：MOSFETMOS管導(dǎo)通電阻 2656 0

芯片導(dǎo)通電阻是什么？如何用ATECLOUD-IC測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試？

導(dǎo)通電阻測(cè)試就是用來(lái)檢測(cè)導(dǎo)線或連線情況是否正常的一種方法，是指兩個(gè)導(dǎo)體間在一定電壓下通過(guò)的電流所引起的電壓降之比，通俗的說(shuō)就是導(dǎo)線通電后的電阻值。芯片引...

2023-09-28 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻測(cè)試系統(tǒng)芯片測(cè)試 2648 0

2023-11-09 標(biāo)簽：二極管MOSFET導(dǎo)通電阻 2338 0

如何給電路選擇最合適的MOS產(chǎn)品？選擇MOS管時(shí)需考慮的關(guān)鍵要素

MOS作為一種非常常見(jiàn)的分立器件，它具有開(kāi)關(guān)、放大、調(diào)壓等作用。MOSFET是電壓控制的管子，通常，MOS管損耗比三極管小,導(dǎo)通后壓降理論上為0。

2024-04-02 標(biāo)簽：MOS管導(dǎo)通電阻車載逆變器 2192 0

SiC MOSFET：通過(guò)波形的線性近似分割來(lái)計(jì)算損耗的方法

首先，計(jì)算開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)間內(nèi)消耗的功率損耗Pton和Ptoff。波形使用圖1中的示例波形。功率損耗使用表1中的近似公式來(lái)計(jì)算。由于計(jì)算公式會(huì)因波形的形狀而...

2024-05-29 標(biāo)簽：MOSFET導(dǎo)通電阻SiC 1998 0

基于AW329XX系列OVP的應(yīng)用設(shè)計(jì)方案

OVP芯片有這幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù)：輸入電壓Vin、開(kāi)關(guān)連續(xù)電流Isw、過(guò)壓保護(hù)電壓Vovlo導(dǎo)通阻抗Ron、快速關(guān)斷時(shí)間toff，以上參數(shù)在選型時(shí)需要特別關(guān)注。

2024-01-18 標(biāo)簽：過(guò)壓保護(hù)導(dǎo)通電阻OVP 1840 0

閾值電壓對(duì)傳播延遲和躍遷延遲的影響

如果你能看到下面的方程式-我相信你可以很容易地弄清楚閾值電壓對(duì)電池延遲的影響。(注：以下電阻公式是關(guān)于NMOS的。您也可以為PMOS導(dǎo)出類似的公式(只需...

2023-09-07 標(biāo)簽：NMOS導(dǎo)通電阻PMOS 1723 0

ADC中采樣開(kāi)關(guān)引起的誤差的兩種因素分析

當(dāng)開(kāi)關(guān)關(guān)斷的時(shí)候，溝道電荷需要消失，電荷只能流入到MOS管本身的S端或D端，對(duì)兩端的電壓造成影響。因此流入采樣電容上的電荷會(huì)產(chǎn)生一個(gè)offset，off...

2023-11-30 標(biāo)簽：三極管電容器MOS管 1720 0

淺析IGBT成為熱門的技術(shù)原因及應(yīng)用

近年IGBT這個(gè)專業(yè)名詞非常的熱。電子、半導(dǎo)體、汽車、能源、電力、控制系統(tǒng)等行業(yè)，好像都涉及到了這個(gè)名詞。

2024-04-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體導(dǎo)通電阻IGBT 1588 0

CMSH10H12G 100V N-Channel SGT MOSFET：功能強(qiáng)大的應(yīng)用解決方案

摘要：CMSH10H12G是一款高性能的100V N-Channel SGT MOSFET。該器件采用SGTLV MOSFET技術(shù)，具有出色的Qg*Ro...

2023-06-08 標(biāo)簽：MOSFET導(dǎo)通電阻 1543 0

特斯拉12V到48V的配電系統(tǒng)改變

連接器被優(yōu)化了，用來(lái)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)線束橋接，并且我們能看到使用48V Efuse以后，整個(gè)配電單元的體積減小了。我們?cè)谀壳暗男畔?lái)看，48V轉(zhuǎn)換到16V的專...

2023-12-18 標(biāo)簽：微控制器mcuMOSFET 1469 0