英飛凌推出OptiMOS 7技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列

采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列，進(jìn)一步提升比導(dǎo)通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)更低的RDSON，或者說(shuō)...

2023-07-03 標(biāo)簽：英飛凌MOSFET導(dǎo)通電阻 1451 0

氧化鎵功率器件研究成果

隨著電力電子技術(shù)在汽車電子、醫(yī)療器械、航空航天等領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的研究和發(fā)展也進(jìn)入了加速階段。

2023-08-24 標(biāo)簽：處理器功率二極管導(dǎo)通電阻 1419 0

驅(qū)動(dòng)器源極引腳是如何降低開關(guān)損耗

在導(dǎo)通數(shù)據(jù)中，原本2，742μJ的開關(guān)損耗變?yōu)?，690μJ，損耗減少了約38%。在關(guān)斷數(shù)據(jù)中也從2，039μJ降至1，462μJ，損耗減少了約30%。

2020-07-17 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器導(dǎo)通電阻 1373 0

新能源汽車高效節(jié)能MPQ4371的高效節(jié)能方案

MPQ4371是一款42V、6A-11A多相同步降壓轉(zhuǎn)換器，可以應(yīng)用于新能源汽車的高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）、智能座艙（Cockpit）、車燈（Lig...

2023-06-14 標(biāo)簽：新能源汽車導(dǎo)通電阻智能座艙 1315 0

關(guān)于MOS管燒毀的原因有哪些？

大電流的快速切換會(huì)導(dǎo)致電源軌上的電壓驟降和瞬態(tài)尖峰。如果電源和控制電子設(shè)備共用一個(gè)或多個(gè)電源軌，則可能會(huì)對(duì)控制電路產(chǎn)生干擾。

2023-09-19 標(biāo)簽：二極管MOS管導(dǎo)通電阻 1301 0

各轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)-開關(guān)的導(dǎo)通電阻對(duì)傳遞函數(shù)的影響

上一篇和上上篇介紹了“升降壓轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)導(dǎo)出示例”的其1和其2。本文將探討“開關(guān)的導(dǎo)通電阻對(duì)傳遞函數(shù)的影響”。

2023-02-24 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器導(dǎo)通電阻傳遞函數(shù) 1263 0

碳化硅（SiC）功率器件探討：未來(lái)的能源解決方案

隨著全球?qū)Ω咝?、更可持續(xù)能源解決方案的需求不斷增加，碳化硅（SiC）功率器件因其卓越的物理和電氣特性而成為電力電子領(lǐng)域的一個(gè)重要進(jìn)展。

2024-04-15 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻功率器件SiC 1109 0

【科普小貼士】MOSFET性能改進(jìn)：RDS(ON)的決定因素

【科普小貼士】MOSFET性能改進(jìn)：RDS(ON)的決定因素

2023-12-13 標(biāo)簽：MOSFET導(dǎo)通電阻RDS 1104 0

MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別

IGBT是通過(guò)在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實(shí)際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFE...

2024-03-13 標(biāo)簽：開關(guān)電源MOS管導(dǎo)通電阻 949 0

MOSFET導(dǎo)通電阻參數(shù)解讀

導(dǎo)通電阻（RDSON）指的是在規(guī)定的測(cè)試條件下，使MOSFET處于完全導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)（工作在線性區(qū)），漏極（D）與源極（S）之間的直流電阻，反映了MOSFE...

2025-05-26 標(biāo)簽：MOSFET導(dǎo)通電阻漏極電流 806 0

CBMG726_732模擬多路復(fù)用器功能框圖及特征介紹

CBMG726/CBMG732分別是單片互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）32通道和雙16通道模擬多路復(fù)用器。CBMG732將32個(gè)輸入（S1至S32）中...

2023-08-14 標(biāo)簽：CMOS導(dǎo)通電阻多路復(fù)用器 764 0

氮化鎵技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀分析

GaN器件的功率密度是砷化鎵(GaAs) 器件的十倍。GaN器件的更高功率密度使其能夠提供更寬的帶寬，更高的放大器增益和更高的效率,這是由于器件外圍更小。

2023-08-21 標(biāo)簽：放大器導(dǎo)通電阻氮化鎵 607 0

功率MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理

MOSFET中文名為金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管或MOS管，可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管。而功率MOSFET則指...

2023-11-03 標(biāo)簽：芯片MOSFET導(dǎo)通電阻 582 0

芯佰微最新推出單芯片CMOS工藝器件——CBMG774

CBMG774的帶寬大于200MHz；與低失真特性（通常為0.5%）相結(jié)合，使該器件廣泛應(yīng)用于切換USB 1.1數(shù)據(jù)信號(hào)和快速以太網(wǎng)信號(hào)等電路設(shè)計(jì)。

2023-05-22 標(biāo)簽：以太網(wǎng)導(dǎo)通電阻多路復(fù)用器 539 0

CSD87503Q3E 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、雙共源 SON 3mm x 3mm、21.9mOhm技術(shù)手冊(cè)

CSD87503Q3E 是一款 30V、13.5mΩ、共源、雙 N 通道器件，專為 USB Type-C/PD 和電池保護(hù)而設(shè)計(jì)。這款 SON 3.3 ...

2025-04-15 標(biāo)簽：電池保護(hù)MOSFET導(dǎo)通電阻 351 0

TPS22990 5.5V、10A、3.9mΩ 負(fù)載開關(guān)，具有可調(diào)上升時(shí)間、電源正常和可選輸出放電數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22990 產(chǎn)品系列由兩個(gè)器件組成：TPS22990 和 TPS22990N。每個(gè)器件都是一個(gè) 3.9mΩ 單通道負(fù)載開關(guān)，具有受控和可調(diào)導(dǎo)通功能...

2025-05-10 標(biāo)簽：電源MOSFET導(dǎo)通電阻 325 0