一文詳解MOSFET的導(dǎo)通電阻

對(duì)于MOSFET，歐姆電阻不僅僅只考慮溝道電阻，對(duì)于阻斷電壓在50V以上的器件中低摻雜中間區(qū)域的電阻起到?jīng)Q定作用。

2021-05-01 標(biāo)簽：MOSFET導(dǎo)通電阻 2.0萬 0

場(chǎng)效應(yīng)管是如何導(dǎo)通的 場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通和截止的條件

在一般情況下，場(chǎng)效應(yīng)管（FET）的導(dǎo)通電阻越小越好，因?yàn)檩^小的導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，F(xiàn)ET可以提供更低的電阻，允許更大的電流通過。

2024-03-06 標(biāo)簽：放大器開關(guān)電路MOSFET 1.3萬 0

輸入偏置電流導(dǎo)通電阻分壓電路等運(yùn)放電路設(shè)計(jì)技巧

設(shè)計(jì)了一個(gè)分壓電路，理論上輸入1V，輸出2V，可是一測(cè)，總是多了近6,7百個(gè)mV。這要是進(jìn)12位3V量程ADC，可是要吃掉600多個(gè)碼。點(diǎn)解？

2017-11-08 標(biāo)簽：運(yùn)放電路mos管導(dǎo)通電阻 1.2萬 2

ROHM SiC MOSFET采用4引腳封裝的原因解析

第一因素是誤差放大器。在電壓反饋環(huán)路中，補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的誤差放大器充當(dāng)了低通濾波器的作用，從而拉長(zhǎng)了變換器對(duì)輸出電壓變化的響應(yīng)時(shí)間。

2020-12-18 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻Rohm 1.0萬 2

可電流監(jiān)控的熱插拔保護(hù)芯片——MP5022A

MP5022A 是一款熱插拔保護(hù)芯片，用于保護(hù)輸出端電路不受輸入端瞬態(tài)的影響。也可以保護(hù)輸入不受輸出短路和瞬態(tài)影響。啟動(dòng)期間，通過設(shè)置輸出斜率來限制浪涌...

2021-01-24 標(biāo)簽：過壓保護(hù)導(dǎo)通電阻浪涌電流 7702 0

附錄一芯片量產(chǎn)測(cè)試常用“黑話”

CP是wafer level的chip probing，是整個(gè)wafer工藝，包括backgrinding和backmetal（if need），對(duì)一些...

2023-11-23 標(biāo)簽：芯片電路導(dǎo)通電阻 7404 0

超結(jié)理論應(yīng)用：平面VDMOS結(jié)構(gòu)與超結(jié)MOSFET技術(shù)介紹

功率器件要得到較高的擊穿電壓，就必須使用較厚的外延層漂移區(qū)與較低的摻雜濃度，常規(guī)VDMOS的特征導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系如下式所示。

2023-09-18 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻驅(qū)動(dòng)電路功率器件 6993 0

AD5423和ADG5401F相互配合的精密模擬輸出模塊方案

工業(yè)過程需要對(duì)執(zhí)行器進(jìn)行精準(zhǔn)而穩(wěn)健的控制，以便管理流量、溫度和壓力等過程參數(shù)。精密模擬輸出模塊，即所謂可編程邏輯控制器（PLC）或分布式控制系統(tǒng)（DCS...

2021-02-02 標(biāo)簽：adi寄存器導(dǎo)通電阻 6687 0

同步Buck和異步Buck的結(jié)構(gòu)對(duì)比 同步Buck的PCB布局要點(diǎn)

異步Buck變換器采用肖特基二極管作為續(xù)流管，而同步Buck變換器用MOSFET替代肖特基二極管進(jìn)行續(xù)流，由于MOSFET的導(dǎo)通電阻很低，所以導(dǎo)通損耗較...

2024-01-24 標(biāo)簽：pcbMOSFETBUCK 5271 0

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu)：超結(jié)結(jié)構(gòu)

高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但...

2023-11-04 標(biāo)簽：MOSFET電容導(dǎo)通電阻 5230 0

常用的MOS做電源開關(guān)的電路分享

由于NMOS和PMOS在原理和生產(chǎn)工藝上存在差異，導(dǎo)致同價(jià)格的NMOS在開通速度、額定電流、導(dǎo)通內(nèi)阻這些參數(shù)上均優(yōu)于PMOS，所以設(shè)計(jì)中盡量?jī)?yōu)先選擇NMOS。

2024-04-25 標(biāo)簽：電機(jī)控制導(dǎo)通電阻電源開關(guān) 5221 0

NMOS晶體管線性區(qū)導(dǎo)通電阻詳解

NMOS晶體管工作在線性區(qū)時(shí)，漏源兩端的溝道存在阻性連接，以下文字對(duì)這種阻性連接進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。

2023-04-17 標(biāo)簽：電流NMOS電壓 4758 0

模擬開關(guān)的作用、模擬開關(guān)的選擇方法

模擬開關(guān)由于其應(yīng)用的信號(hào)鏈路為電子板低壓工作環(huán)境，耐壓值一般在15v以內(nèi)，常見的有3.3v、5v、12v、15v等最大耐壓值。選擇時(shí)必須注意信號(hào)鏈路的最...

2024-03-05 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻模擬開關(guān)等效電容 4733 0

如何看懂MOS管的每一個(gè)參數(shù)

那么結(jié)溫和熱阻有什么用呢？--半導(dǎo)體器件主要通過熱傳遞的方式對(duì)元件本身進(jìn)行散熱，當(dāng)芯片溫度升高，超過結(jié)溫后會(huì)導(dǎo)致元件損壞。

2024-03-18 標(biāo)簽：MOS管導(dǎo)通電阻晶體管 4595 0

MOS管如何選？怎么確定選的MOS是合適的？

怎么判定MOS管的帶載能力，如何選擇MOS管?

2023-07-24 標(biāo)簽：MOS管導(dǎo)通電阻等效電路 4487 0

CS5525/CS5526 A/D轉(zhuǎn)換器針對(duì)熱電偶測(cè)量?jī)?yōu)化設(shè)計(jì)

CS5525 / CS5526 A / D轉(zhuǎn)換器針對(duì)熱電偶的測(cè)量進(jìn)行了優(yōu)化。它設(shè)計(jì)為具有單個(gè)模擬輸入，但包括四個(gè)數(shù)字輸出引腳，用于控制模擬開關(guān)和多路復(fù)用器。

2021-05-27 標(biāo)簽：熱電偶驅(qū)動(dòng)器導(dǎo)通電阻 4145 0

碳化硅JFET助推功率轉(zhuǎn)換電路的設(shè)計(jì)方案

對(duì)于可再生能源設(shè)備，如太陽能逆變器和儲(chǔ)能設(shè)備，我們的碳化硅器件具有極低的RDS（on）特性，可將散熱量保持在最低水平。

2021-01-08 標(biāo)簽：MOSFET導(dǎo)通電阻晶體管 3897 0