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標(biāo)簽 > 封裝
封裝,Package,是把集成電路裝配為芯片最終產(chǎn)品的過程,簡單地說,就是把Foundry生產(chǎn)出來的集成電路裸片(Die)放在一塊起到承載作用的基板上,把管腳引出來,然后固定包裝成為一個整體。作為動詞,“封裝”強調(diào)的是安放、固定、密封、引線的過程和動作;
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技術(shù)資料#TPS7B4261-Q1 汽車級 300mA 40V 電壓跟蹤低壓差穩(wěn)壓器,具有獨立的使能和電源良好狀態(tài)
TPS7B4261-Q1 是一款單片集成低壓差電壓跟蹤器。該器件采用 8 引腳 HSOIC 封裝。TPS7B4261-Q1 設(shè)計用于在汽車環(huán)境中為非車載...
2025-02-26 標(biāo)簽:封裝電纜場效應(yīng)晶體管 689 0
產(chǎn)品介紹#ISO7720 堅固的EMC、雙通道、2/0、增強型數(shù)字隔離器
ISO772x 器件是高性能雙通道數(shù)字隔離器,具有符合 UL 1577 標(biāo)準(zhǔn)的 5000 VRMS(DW 和 DWV 封裝)和 3000 VRMS(D ...
產(chǎn)品介紹#TPS62160-Q1 采用 2x2SON 封裝的 3V-17V 1A 汽車級降壓轉(zhuǎn)換器
TPS6216x-Q1 是易于使用的同步降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器,針對高功率密度應(yīng)用進行了優(yōu)化。典型值為 2.25 MHz 的高開關(guān)頻率允許使用小型電感器,...
2025-02-26 標(biāo)簽:電感器封裝直流轉(zhuǎn)換器 441 0
技術(shù)資料#ISO7721 堅固的EMC、雙通道、1/1、增強型數(shù)字隔離器
ISO772x 器件是高性能雙通道數(shù)字隔離器,具有符合 UL 1577 標(biāo)準(zhǔn)的 5000 VRMS(DW 和 DWV 封裝)和 3000 VRMS(D ...
2025-02-25 標(biāo)簽:封裝絕緣數(shù)字隔離器 587 0
利用新思科技Multi-Die解決方案加快創(chuàng)新速度
Multi-Die設(shè)計是一種在單個封裝中集成多個異構(gòu)或同構(gòu)裸片的方法,雖然這種方法日益流行,有助于解決與芯片制造和良率相關(guān)的問題,但也帶來了一系列亟待攻...
EL7155系列高性能引腳驅(qū)動器應(yīng)用筆記
EL7155 高性能引腳驅(qū)動器具有 3 態(tài),適用于許多 ATE 和電平轉(zhuǎn)換應(yīng)用。這 3.5A 峰值驅(qū)動能力使該器件成為驅(qū)動高電容負(fù)載時的絕佳選擇。輸出引...
技術(shù)資料#LMG3425R050 具有集成驅(qū)動器、保護、溫度報告和理想二極管模式的 600V 50mΩ GaN FET
該LMG3425R050集成了硅驅(qū)動器,可實現(xiàn)高達 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立硅柵極驅(qū)動器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實現(xiàn)更高的開關(guān) SOA...
應(yīng)用資料#QFN12x12封裝600V GaN功率級熱性能總結(jié)
德州儀器(TI)提供的一種新的驅(qū)動器集成氮化鎵(GaN)功率級產(chǎn)品系列已在一個低成本、緊湊的四扁平無引腳(QFN)封裝中實現(xiàn),該封裝尺寸為12mm x ...
技術(shù)文檔:LMG3626 650V 270mΩ GaN FET,集成驅(qū)動器、保護和電流感應(yīng)
LMG3626 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3626 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成...
技術(shù)資料#LMG3622 650V 120mΩ GaN FET,集成驅(qū)動器、保護和電流感應(yīng)
LMG3622 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3622 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成...
技術(shù)資料#LMG3612 具有集成驅(qū)動器和保護功能的 650V 120mΩ GaN FET
LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3612 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成...
技術(shù)資料#LMG3426R050 600V 50mΩ GaN FET,集成驅(qū)動器、保護和零電壓檢測
LMG342xR050 集成了一個硅驅(qū)動器,可實現(xiàn)高達 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立硅柵極驅(qū)動器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實現(xiàn)更高的開關(guān) S...
LMG3650R025 650V 25mΩ TOLL 封裝 GaN FET,集成驅(qū)動器、保護和零電壓檢測介紹
LMG365xR025 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護功能,針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/p>
2025-02-21 標(biāo)簽:封裝電源轉(zhuǎn)換器FET 466 0
TI DRV7308 具有保護和電流檢測功能的650V、205mΩ三相集成式 GaN 智能電源模塊 (IPM)
DRV7308 是一款三相智能電源模塊 (IPM),其中包含 205mΩ、650V 增強型氮化鎵 (GaN),用于驅(qū)動高達 450V 直流電源軌的三相 ...
TGV 玻璃基板量產(chǎn)瓶頸在于特種玻璃原片質(zhì)量不穩(wěn)定,飛秒激光誘導(dǎo)蝕刻難處理缺陷玻璃,導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)調(diào)困難,進度緩慢。
鈾或釷等放射性元素是集成電路封裝材料中天然存在的雜質(zhì)。這些材料發(fā)射的α粒子進入硅中時,會在粒子經(jīng)過的路徑上產(chǎn)生電子-空穴對。這些電子-空穴對在電場的作用...
深入解析三種鋰電池封裝形狀背后的技術(shù)路線與工藝奧秘
在新能源時代,鋰電池作為核心動力與儲能單元,其重要性不言而喻。而在鋰電池的諸多特性中,封裝形狀這一外在表現(xiàn)形式,實則蘊含著復(fù)雜的技術(shù)考量與工藝邏輯。方形...
在語言大模型(LLM)、推理大模型(如DeepSeek)等AI應(yīng)用爆火的當(dāng)下,數(shù)據(jù)存儲和訪問速度、模型訓(xùn)練與推理效率等相關(guān)話題也逐步升溫,SSD在其中扮...
小小MOSFET,大有乾坤。在電力電子系統(tǒng)中,MOSFET作為核心元件扮演著至關(guān)重要的角色,支撐從數(shù)據(jù)中心到通訊基站等各種開關(guān)電源應(yīng)用。雖然其應(yīng)用廣泛且...
2025-02-15 標(biāo)簽:MOSFET東芝開關(guān)電源 616 0
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