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標(biāo)簽 > 工藝技術(shù)
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淺溝道隔離(STI)是芯片制造中的關(guān)鍵工藝技術(shù),用于在半導(dǎo)體器件中形成電學(xué)隔離區(qū)域,防止相鄰晶體管之間的電流干擾。本文簡(jiǎn)單介紹淺溝道隔離技術(shù)的作用、材料和步驟。
隨著器件的特征尺寸減少到90mm 以下,柵氧化層厚度也不斷減小,載流子的物理特性不再遵從經(jīng)典理論,其量子效應(yīng)會(huì)變得非常顯著。納米器件的溝道摻雜濃度高達(dá)3...
超結(jié)VDMOS的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用
超結(jié)VDMOS是一種發(fā)展迅速、應(yīng)用廣泛的新型功率半導(dǎo)體器件。
2023-09-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體工藝技術(shù) 7883 0
在14版本中,SONNET新引入了一種名為工藝技術(shù)層的屬性定義層,以實(shí)現(xiàn)EDA框架和設(shè)計(jì)流程的平滑過(guò)渡。該工藝技術(shù)層實(shí)際上是用戶創(chuàng)建的EM工程中 的多個(gè)...
在向先進(jìn)工藝技術(shù)發(fā)展的過(guò)程中,半導(dǎo)體公司除需滿足不斷增長(zhǎng)的制造要求之外,還要面對(duì)日益增長(zhǎng)的實(shí)現(xiàn)芯片設(shè)計(jì)一次性成功的壓力。晶圓廠期待設(shè)計(jì)符合那些面向先...
2012-05-02 標(biāo)簽:IC設(shè)計(jì)芯片設(shè)計(jì)工藝技術(shù) 1550 1
類別:半導(dǎo)體技術(shù)論文 2009-12-14 標(biāo)簽:工藝技術(shù) 1135 0
化學(xué)氣相沉積工藝(Chemical Vapor Deposition,CVD)
化學(xué)氣相沉積 (Chemical Vapor Deposition, CVD)是指不同分壓的多種氣相狀態(tài)反應(yīng)物在一定溫度和氣壓下發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成的固態(tài)...
近日,美光發(fā)布了用于DRAM的新型1α制造工藝。并計(jì)劃首先將其用來(lái)制造DDR4和LPDDR4存儲(chǔ)器,并在之后將其用于生產(chǎn)他們所有類型的DRAM。如今,擴(kuò)...
壓力傳感器廠商萊頓電子宣布完成A輪數(shù)千萬(wàn)人民幣融資
萊頓電子(TRENSOR)專注于壓力傳感器,為汽車、船舶、工程機(jī)械、航空航天以及其他工業(yè)裝備制造商提供通用及定制產(chǎn)品,同時(shí)也是全球售后零部件行業(yè)的直接供貨商。
功率器件性能的改變不僅表現(xiàn)在能量變換效率的提升,而且表現(xiàn)在系統(tǒng)裝置能量處理能力上——功率密度的提升,此指標(biāo)平均每4年就提升1倍,被業(yè)界稱為“功率電子領(lǐng)域...
科銳公司(CREE)宣布推出兩項(xiàng)新型GaN工藝:0.25微米、漏極電壓最高為40V的G40V4和0.4微米、漏極電壓最高為50VG50V3。新的工藝技術(shù)...
摘 要:熱風(fēng)整平技術(shù)是目前應(yīng)用較為成熟的技術(shù),但因?yàn)槠涔に?處于一個(gè)
2006-04-16 標(biāo)簽:工藝技術(shù)熱風(fēng)整平 2356 0
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