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配備3D圖形加速引擎的通用微處理器RZ/G2LC數(shù)據(jù)手冊(cè)
RZ/G2LC 微處理器配備 Cortex?-A55 (1.2 GHz) CPU、16 位 DDR3L/DDR4 接口以及帶 Arm Mali-G31的...
2025-03-12 標(biāo)簽:微處理器3D圖形數(shù)據(jù)手冊(cè) 354 0
配備RISC-V CPU內(nèi)核和2個(gè)千兆以太網(wǎng)接口的通用微處理器RZ/Five數(shù)據(jù)手冊(cè)
RZ/Five 微處理器包括 RISC-V CPU 內(nèi)核 (AX45MP Single) 1.0 GHz,16 位 DDR3L/DDR4 接口。此外,這...
2025-03-11 標(biāo)簽:微處理器千兆以太網(wǎng)數(shù)據(jù)手冊(cè) 414 0
帶5MB片內(nèi)RAM的RTOS微處理器RZ/A1M數(shù)據(jù)手冊(cè)
RZ/A1M 系列微處理器單元(MPU)功能齊全,配備運(yùn)行頻率為 400MHz 的 Arm? Cortex?-A9 內(nèi)核以及 5MB的片上靜態(tài)隨機(jī)存取存...
帶片內(nèi)RAM 3MB的RZ/A1LU RTOS微處理器數(shù)據(jù)手冊(cè)
RZ/A1LU 系列微處理器單元(MPU)性價(jià)比高,具備運(yùn)行頻率達(dá) 400MHz 的 Arm? Cortex? - A9 內(nèi)核以及 3MB的片上靜態(tài)隨機(jī)...
帶2MB片內(nèi)RAM的RTOS微處理器RZ/A1LC數(shù)據(jù)手冊(cè)
RZ/A1LC 微處理器單元(MPU)是 RZ/A1 系列中最具成本效益的產(chǎn)品,其特點(diǎn)是配備運(yùn)行頻率為 400MHz 的 Arm?Cortex?-A9 ...
帶雙通道千兆以太網(wǎng)RZ/G2UL通用型微處理器數(shù)據(jù)手冊(cè)
RZ/G2UL 微處理器配備一個(gè) Cortex-A55?(1.0GHz)CPU、一個(gè) 16 位 DDR3L/DDR4 接口和一個(gè)簡(jiǎn)易的 LCD控制器。 ...
2025-03-10 標(biāo)簽:微處理器千兆以太網(wǎng)數(shù)據(jù)手冊(cè) 450 0
采用雙核Arm Cortex-A57 CPU的超高性能微處理器RZ/G2N數(shù)據(jù)手冊(cè)
RZ/G2N憑借雙核 Arm? Cortex?-A57(1.5GHz)處理器,具備更高規(guī)格的處理性能,同時(shí)擁有 3D 圖形處理能力以及 4K 視頻編碼/...
2025-03-10 標(biāo)簽:cpu微處理器數(shù)據(jù)手冊(cè) 576 0
集成多種Arm內(nèi)核的超高性能微處理器RZ/G2M數(shù)據(jù)手冊(cè)
RZ/G2M憑借雙核 Arm? Cortex?-A57(1.5GHz)和四核 Arm Cortex-A53(1.2GHz)中央處理器(CPU),可獲得更...
RZ/A1H帶10MB片內(nèi)RAM的RTOS MPU數(shù)據(jù)手冊(cè)
RZ/A1H 是 RZ/A1 系列中功能全面的高端產(chǎn)品,它配備了運(yùn)行頻率達(dá) 400MHz 的 Arm? Cortex? - A9 內(nèi)核以及 10MB的片...
BM3G015MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)
該產(chǎn)品是保證在工業(yè)市場(chǎng)長(zhǎng)期供應(yīng)的產(chǎn)品。BM3G015MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過(guò)將650V增強(qiáng)型GaN HEMT和S...
2025-03-09 標(biāo)簽:GaN數(shù)據(jù)手冊(cè)HEMT 398 0
BM3G005MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)
本產(chǎn)品是面向工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,是適用于這些應(yīng)用場(chǎng)景的最佳產(chǎn)品。BM3G005MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最優(yōu)解決方案。...
2025-03-09 標(biāo)簽:ICGaN數(shù)據(jù)手冊(cè) 400 0
BM3G107MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)
本產(chǎn)品是面向工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,是這些應(yīng)用場(chǎng)景的理想之選。BM3G107MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最佳解決方案。通過(guò)將...
2025-03-09 標(biāo)簽:ICGaN數(shù)據(jù)手冊(cè) 408 0
BM3G115MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)
該產(chǎn)品是工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)的一流產(chǎn)品。這是在這些應(yīng)用中使用的最佳產(chǎn)品。BM3G115MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最佳解決方案。通過(guò)...
2025-03-09 標(biāo)簽:ICGaN數(shù)據(jù)手冊(cè) 367 0
GNE1008TB 150V GaN HEMT 封裝DFN5060 數(shù)據(jù)手冊(cè)
GNE1008TB 是一款具有 8V 柵極電壓的 150V GaNHEMT,屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎn)品的低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)的特性,有助...
2025-03-07 標(biāo)簽:GaN數(shù)據(jù)手冊(cè)HEMT 414 0
GNP1150TCA-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊(cè)
GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT,實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)的...
2025-03-07 標(biāo)簽:GaN數(shù)據(jù)手冊(cè)HEMT 397 0
GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊(cè)
GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT,實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)的...
2025-03-07 標(biāo)簽:GaN數(shù)據(jù)手冊(cè)HEMT 454 0
SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06010G2 是一款 650V 的碳化硅肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝。其通過(guò)了 AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開(kāi)關(guān)、...
2025-02-28 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 556 0
SiC SBD-P3D06010I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06010I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220I - 2 封裝。通過(guò) AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向...
2025-02-28 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 431 0
SiC SBD-P3D06010T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
P3D06010T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝。該產(chǎn)品通過(guò) AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開(kāi)關(guān)...
2025-02-28 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊(cè) 498 0
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