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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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三菱電機(jī)開(kāi)始提供全SiC和混合SiC SLIMDIP樣品
三菱電機(jī)集團(tuán)今日宣布,將于4月22日開(kāi)始供應(yīng)兩款新型空調(diào)及家電用SLIMDIP系列功率半導(dǎo)體模塊樣品——全SiC SLIMDIP(PSF15SG1G6)...
浮思特 | 晶圓級(jí)石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管生物傳感器陣列的集成與應(yīng)用研究
近年來(lái),生物傳感器的發(fā)展已成為一個(gè)重要的研究重點(diǎn),具有改革醫(yī)療和診斷的潛力。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),生物傳感器是通過(guò)生成與反應(yīng)中分析物濃度成正比的信號(hào)來(lái)測(cè)量生物反應(yīng)的...
三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布,將于5月1日開(kāi)始供應(yīng)其新型XB系列高壓絕緣柵雙極型晶體管(HVIGBT)模塊的樣品。該模塊是一款3.3kV/1500A的大容量功率...
在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來(lái)越高的要求。碳化硅(SiC)作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料,憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能,...
Bourns HVMA03F4A-LP8S門(mén)驅(qū)動(dòng)變壓器的特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)
IGBT 和 SiC 門(mén)驅(qū)動(dòng)器通常需要 +15V 到 +20V 的門(mén)電壓以實(shí)現(xiàn)開(kāi)通,0V 到 -5V 的電壓以確??煽康年P(guān)斷。采用負(fù)門(mén)電壓可以增強(qiáng)抗噪聲...
意法半導(dǎo)體MasterGaN與VIPerGaN產(chǎn)品家族介紹
隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷革新,智能功率氮化鎵(GaN)成為備受矚目的關(guān)鍵技術(shù)。它融合了氮化鎵材料高電子遷移率、低導(dǎo)通電阻、耐高溫高壓的特性,以及智能控制電路和...
2025-03-24 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 549 0
全球電子行業(yè)每年生產(chǎn)數(shù)萬(wàn)億個(gè)半導(dǎo)體電子元件,如集成電路(IC)、晶體管、二極管和發(fā)光二極管等。從智能手機(jī)到汽車(chē),各種電子設(shè)備都嵌入了這些小巧的技術(shù)元件,...
onsemi推出新一代SiC智能電力模塊,助力降低能耗與系統(tǒng)成本
近日,半導(dǎo)體技術(shù)公司onsemi宣布推出其首代1200V硅碳化物(SiC)智能電力模塊(IPM),型號(hào)為SPM31。這款以金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(...
在電力電子領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊作為關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件,扮演著至關(guān)重要的角色。其封裝技術(shù)不僅直接影響到IGBT模塊的性能、可靠性和使...
比斯特 BT-550D 電動(dòng)智能晶體管點(diǎn)焊機(jī)的應(yīng)用場(chǎng)景
在當(dāng)今制造業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中,焊接工藝作為關(guān)鍵環(huán)節(jié),對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量與生產(chǎn)效率起著至關(guān)重要的作用。比斯特 BT-550D 電動(dòng)智能晶體管點(diǎn)焊機(jī)憑借其出眾的性能...
2025-03-17 標(biāo)簽:晶體管點(diǎn)焊機(jī) 253 0
如何操作比斯特BT-550D電動(dòng)智能晶體管點(diǎn)焊機(jī)
在現(xiàn)代制造業(yè)中,點(diǎn)焊機(jī)作為連接金屬材料的關(guān)鍵設(shè)備,其操作便捷性和焊接效率直接影響著生產(chǎn)線(xiàn)的整體表現(xiàn)。比斯特BT-550D電動(dòng)智能晶體管點(diǎn)焊機(jī),以其出眾的...
2025-03-13 標(biāo)簽:晶體管點(diǎn)焊機(jī) 246 0
SC2020半導(dǎo)體器件測(cè)試系統(tǒng) 晶體管參數(shù)檢測(cè)設(shè)備技術(shù)解析
C2020晶體管測(cè)試系統(tǒng)是專(zhuān)為二極管、三極管、IGBT、MOSFET等?半導(dǎo)體分立器件?設(shè)計(jì)的?電學(xué)參數(shù)測(cè)試設(shè)備?,集成實(shí)驗(yàn)室級(jí)測(cè)量精度(±0.1%)與...
2025-03-13 標(biāo)簽:晶體管半導(dǎo)體器件 281 0
智能計(jì)算新紀(jì)元:具記憶功能的晶體管問(wèn)世
在當(dāng)今電子工業(yè)中,對(duì)更快、更高效組件的需求巨大,以滿(mǎn)足現(xiàn)代計(jì)算的需要。傳統(tǒng)晶體管正逐漸達(dá)到其物理和操作極限,它們?cè)跀?shù)據(jù)中心中消耗大量能源和空間,尤其是在...
HX2803達(dá)林頓驅(qū)動(dòng)芯片在LED顯示屏中的功耗管理技巧
討論如何在使用HX2803達(dá)林頓驅(qū)動(dòng)芯片時(shí)有效管理功耗,以適應(yīng)對(duì)能耗有嚴(yán)格要求的應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-03-04 標(biāo)簽:LED顯示屏晶體管驅(qū)動(dòng)芯片 304 0
英飛凌推出采用新型硅封裝的 CoolGaN? G3晶體管, 推動(dòng)全行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程
【 202 5 年 2 月 27 日 , 德國(guó)慕尼黑訊】 氮化鎵(GaN)技術(shù)在提升功率電子器件性能水平方面起到至關(guān)重要的作用。但目前為止,GaN供應(yīng)商...
2025-03-03 標(biāo)簽:晶體管 1227 0
昂洋科技談MOS管在開(kāi)關(guān)電源中的應(yīng)用
MOS管,即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,在開(kāi)關(guān)電源中扮演著至關(guān)重要的角色。
2025-04-12 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS管晶體管 143 0
英飛凌推出采用新型硅封裝的CoolGaN G3晶體管,推動(dòng)全行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程
【2025年2月27日, 德國(guó)慕尼黑訊】 氮化鎵(GaN)技術(shù)在提升功率電子器件性能水平方面起到至關(guān)重要的作用。但目前為止,GaN供應(yīng)商采用的封裝類(lèi)型和...
突破電力效能邊界:ZN70C1R460D 氮化鎵晶體管重磅登場(chǎng)!
?在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下,電子元件的創(chuàng)新成為推動(dòng)各領(lǐng)域進(jìn)步的關(guān)鍵力量。Ziener 公司最新推出的 ZN70C1R460D 氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(...
TechInsights與SemiWiki近日聯(lián)合發(fā)布了對(duì)英特爾Intel 18A(1.8nm級(jí)別)和臺(tái)積電N2(2nm級(jí)別)工藝的深度分析。結(jié)果顯示,...
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