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意法半導(dǎo)體MasterGaN與VIPerGaN產(chǎn)品家族介紹

意法半導(dǎo)體工業(yè)電子 ? 來源:意法半導(dǎo)體工業(yè)電子 ? 2025-03-24 11:37 ? 次閱讀

隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷革新,智能功率氮化鎵(GaN)成為備受矚目的關(guān)鍵技術(shù)。它融合了氮化鎵材料高電子遷移率、低導(dǎo)通電阻、耐高溫高壓的特性,以及智能控制電路和功能,能實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換、低能耗和高功率密度,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)、通信等多個(gè)領(lǐng)域,極大地推動(dòng)了電子產(chǎn)品的升級和工業(yè)設(shè)備性能的提升。

意法半導(dǎo)體(ST)敏銳捕捉到這一技術(shù)的巨大潛力,在智能功率氮化鎵領(lǐng)域躬耕多年,成績斐然。

早在2020年,ST就率先將MasterGaN推向市場。ST憑借獨(dú)特的高壓氮化鎵驅(qū)動(dòng)器數(shù)字電源解決方案,目前已推出10種智能功率氮化鎵產(chǎn)品,比如MasterGaN 600V半橋驅(qū)動(dòng)器、VIPerGaN 650V轉(zhuǎn)換器等。

ST具備獨(dú)特的電源功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)專業(yè)知識,不僅能提供整體解決方案和數(shù)字電源,還在向單片氮化鎵領(lǐng)域拓展。ST的戰(zhàn)略是將智能氮化鎵和數(shù)字電源相結(jié)合,以此提升系統(tǒng)在功率密度和環(huán)境可持續(xù)性方面的整體性能。

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MasterGaN產(chǎn)品家族

MasterGaN產(chǎn)品架構(gòu)如下圖所示:右邊為高邊/低邊兩個(gè)GaN晶圓,中間部分為高邊/低邊氮化鎵驅(qū)動(dòng),左邊為邏輯和保護(hù)功能。用戶使用MasterGaN系列,只需通過LIN和HIN兩個(gè)引腳(兼容3.3V~15V邏輯輸入電平)控制兩個(gè)管腳的開通和關(guān)斷,可以簡化設(shè)計(jì),快速上手。

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MasterGaN創(chuàng)新地將柵極驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)增強(qiáng)模式的氮化鎵(GaN)晶體管以半橋結(jié)構(gòu)集成在一起,帶來出色的產(chǎn)品特性:

結(jié)構(gòu)緊湊:集成功率氮化鎵和線性穩(wěn)壓器,為低邊和高邊輸出級供電,讓產(chǎn)品結(jié)構(gòu)精巧緊湊。

安全可靠:支持硬開關(guān)拓?fù)鋺?yīng)用,低端和高端驅(qū)動(dòng)部分都有欠壓鎖定(UVLO)保護(hù),防止功率開關(guān)在低效或危險(xiǎn)情況下工作;互鎖功能避免上下管共通,還有過溫保護(hù),穩(wěn)定性拉滿。

易于設(shè)計(jì):采用GQFN 9x9 mm2封裝,輸入引腳電壓范圍3.3V到15V,帶遲滯和下拉功能,方便和MCUDSP或霍爾效應(yīng)傳感器連接;專用關(guān)斷引腳,內(nèi)部時(shí)序匹配精準(zhǔn),設(shè)計(jì)起來超方便。

目前,手機(jī)充電器功率一般為65W,筆記本適配器功率為200W或300W,因此MasterGaN系列非常適合手機(jī)充電器和筆記本適配器應(yīng)用。華為、聯(lián)想等企業(yè)的筆記本適配器都采用了ST的氮化鎵產(chǎn)品,華為的66W超薄充電器,更是被評為世界上功率密度最高的充電器之一。

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ST的600V MasterGaN系列產(chǎn)品亮點(diǎn)頗多。它采用QFN 9x9 mm2封裝,引腳對引腳可擴(kuò)展,方便靈活使用。一個(gè)封裝里集成多個(gè)功率氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT),適配半橋配置,目前已有7種產(chǎn)品量產(chǎn):MasterGaN1/1L (150mR+150mR) 、MasterGaN2 (150mR+225mR) 、MasterGaN3 (225mR+450mR) 、MasterGaN4/4L (225mR+225mR) 、MasterGaN5 (450mR+450mR) ;功率覆蓋范圍45W-500W。其中MasterGaN4L、MasterGaN1L具備更低功耗特性,節(jié)能優(yōu)勢明顯。

VIPerGaN產(chǎn)品家族

VIPer系列產(chǎn)品能夠?qū)⒔涣麟姡?a target="_blank">AC),借助脈寬調(diào)制控制器(PWM Controller)和氮化鎵元件,再經(jīng)過隔離和反饋電路,最終轉(zhuǎn)換為直流電(DC)輸出。

該系列產(chǎn)品功率在5W到100W之間。不同型號適用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)包含降壓(Buck)、反激式初級端調(diào)節(jié)/次級端調(diào)節(jié)(Flyback PSR/SSR)以及反激式次級端調(diào)節(jié)(Flyback SSR)。

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其中,VIPerGaN100、VIPerGaN65/65D、VIPerGaN50耐壓可達(dá)650V,瞬態(tài)最大耐壓可達(dá)850V,并已量產(chǎn)。VIPer系列產(chǎn)品市場表現(xiàn)十分亮眼。該系列產(chǎn)品累計(jì)出貨量已超40億個(gè)。

VIPerGaN在高壓轉(zhuǎn)換領(lǐng)域堪稱先驅(qū)產(chǎn)品,它集成了創(chuàng)新的脈寬調(diào)制(PWM)控制器以及650V氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT),采用QFN 5x6封裝。

VIPerGaN特性十分豐富:

?擁有先進(jìn)的準(zhǔn)諧振反激控制器,支持多模式運(yùn)行;

?具備650V的GaN HEMT,開關(guān)頻率最高可達(dá)240kHz,還帶有抖頻功能;

?內(nèi)置高壓啟動(dòng)發(fā)生器以及檢測場效應(yīng)晶體管(FET);

?擁有內(nèi)部軟啟動(dòng)功能,針對寬輸出電壓進(jìn)行了優(yōu)化;

?具備輸入電壓前饋補(bǔ)償功能,以實(shí)現(xiàn)與市電無關(guān)的過功率保護(hù)(OPP);

?采用谷底鎖定,確保恒定的谷底跳躍;

?無需外部VDD線性穩(wěn)壓器(僅需VDD輔助繞組);

?具備多種保護(hù)功能,包括輸入/輸出過壓保護(hù)(OVP)、橋臂輸入/輸出保護(hù)、過載和短路保護(hù);

?帶有嵌入式過溫保護(hù)(OTP);

?具備動(dòng)態(tài)消隱時(shí)間和可調(diào)節(jié)的谷底同步功能;還有自適應(yīng)突發(fā)模式。

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VIPerGaN不僅擁有更高的功率密度和效率,還能夠有效抑制電磁干擾(EMI),能讓PCB更輕巧緊湊,且能低溫運(yùn)行。同時(shí),它減少了磁性元件和EMI濾波器的使用,在BoM成本效益上表現(xiàn)出色,完全符合節(jié)能規(guī)定。該產(chǎn)品穩(wěn)定性好,能在小封裝中實(shí)現(xiàn)50W到100W的高功率輸出。

VIPerGaN應(yīng)用廣泛,適用于小型化的快速充電器和適配器,在家電、工業(yè)、消費(fèi)電子以及空調(diào)等領(lǐng)域都能大顯身手。

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為幫助用戶加快設(shè)計(jì),ST還推出了多款VIPerGaN評估板,適用于40W-100W功率范圍,是實(shí)現(xiàn)高效率、高功率密度以及出色電磁干擾(EMI)性能的最簡解決方案。

VIPerGaN50系列三款評估板:

?EVLVIPGAN50PD(3.0 USB-PD適配器),輸入電壓范圍90-265VAC,采用USB-PD輸出,峰值效率超92.4%,功率45W;

?EVLVIPGAN50FL(SSR隔離反激式);

?STDES-VIPGAN50FL(SSR隔離反激式)。

VIPerGaN65/65D系列三款評估板:

?EVLVIPGAN65PD(3.0 USB-PD適配器),輸入90-264VAC,峰值效率超93.5%,功率65W;

?EVLVIPGAN65DF(SSR隔離反激式);

?STDES-VIPGAN65F(3.0 USB-PD適配器)。

VIPerGaN100系列三款評估板:

?EVLVIPGAN100PD(3.0 USB-PD適配器),輸入90-264VAC,峰值效率超92.6%,功率100W;

?STDES-VGAN100F1(SSR隔離反激式);

?STDES-VIPGAN100F(SSR隔離反激式)。

此外,ST還推出了STDES-VIPGAN50FL工業(yè)級演示板,主要特性和目標(biāo)規(guī)格包括:

?輸入電壓:交流輸入電壓范圍在176VAC到265VAC之間,頻率則處于47Hz到63Hz區(qū)間;

?輸出電壓:它是單路直流輸出,電壓為12VDC,輸出功率為12V/4.15A,最大能達(dá)到50W;

?外形尺寸:108mm(長)×68mm(寬)×16mm(頂層高度);

?卓越效率:當(dāng)輸入為230Vac時(shí),峰值效率大于94%;而且在230Vac輸入,負(fù)載分別為25%、50%、75%、100%的情況下,平均效率都大于94%;

?節(jié)能出色:在230Vac無負(fù)載時(shí),功耗為100mW,能有效降低能源浪費(fèi);

?拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):采用準(zhǔn)諧振(QR)操作,具備動(dòng)態(tài)消隱時(shí)間和可調(diào)節(jié)的谷底同步延遲功能,任何輸入線路和負(fù)載條件下,都能實(shí)現(xiàn)最高效率(這里使用的是VIPerGaN50),同時(shí)還配備了自適應(yīng)同步整流控制器(SRK1001);

?溫控優(yōu)秀:所有元件的溫升小于40°C,保證了產(chǎn)品的穩(wěn)定性和使用壽命。

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該Demo板效率測試報(bào)告如下圖所示:

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原文標(biāo)題:MasterGaN與VIPerGaN:意法半導(dǎo)體雙劍合璧,引領(lǐng)智能GaN技術(shù)革新(文末有福利)

文章出處:【微信號:意法半導(dǎo)體工業(yè)電子,微信公眾號:意法半導(dǎo)體工業(yè)電子】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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