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標(biāo)簽 > 晶圓
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。
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TC Wafer晶圓測溫系統(tǒng)——半導(dǎo)體制造溫度監(jiān)控的核心技術(shù)
TCWafer晶圓測溫系統(tǒng)是一種革命性的溫度監(jiān)測解決方案,專為半導(dǎo)體制造工藝中晶圓溫度的精確測量而設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)通過將微型熱電偶傳感器(Thermocou...
2025-06-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓測溫系統(tǒng) 147 0
摘要:本文探討晶圓邊緣 TTV 測量在半導(dǎo)體制造中的重要意義,分析其對芯片制造工藝、器件性能和生產(chǎn)良品率的影響,同時(shí)研究測量方法、測量設(shè)備精度等因素對測...
激光劃片機(jī)是利用高能激光束對晶圓等材料進(jìn)行切割或開槽的精密加工設(shè)備,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、微電子、光學(xué)器件等領(lǐng)域。其核心原理是通過激光與材料的相互作用,實(shí)現(xiàn)...
晶圓經(jīng)切割后,表面常附著大量由聚合物、光致抗蝕劑及蝕刻雜質(zhì)等組成的顆粒物,這些物質(zhì)會(huì)對后續(xù)工序中芯片的幾何特征與電性能產(chǎn)生不良影響。顆粒物與晶圓表面的粘...
01為什么要測高晶圓劃片機(jī)是半導(dǎo)體封裝加工技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)重要的加工設(shè)備,目前市場上使用較多的是金剛石刀片劃片機(jī),劃片機(jī)上高速旋轉(zhuǎn)的金剛石劃片刀在使用過程中會(huì)...
2025-06-11 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體封裝劃片機(jī) 142 0
TPS631010 3A 峰值電流、高效、超小解決方案尺寸的降壓-升壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊
TPS631010 和 TPS631011 是采用微型晶圓芯片級(jí)封裝的恒頻峰值電流模式控制降壓-升壓轉(zhuǎn)換器。它們具有 3A 峰值電流限制 (典型值) 和...
2025-06-06 標(biāo)簽:晶圓升壓轉(zhuǎn)換器輸出電壓 304 0
晶圓級(jí)扇出封裝(FO-WLP)通過環(huán)氧樹脂模塑料(EMC)擴(kuò)展芯片有效面積,突破了扇入型封裝的I/O密度限制,但其技術(shù)復(fù)雜度呈指數(shù)級(jí)增長。
TPS631011 1.5A 輸出電流降壓-升壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊
TPS631010 和 TPS631011 是采用微型晶圓芯片級(jí)封裝的恒頻峰值電流模式控制降壓-升壓轉(zhuǎn)換器。它們具有 3A 峰值電流限制 (典型值) 和...
2025-06-05 標(biāo)簽:穩(wěn)壓器晶圓升壓轉(zhuǎn)換器 332 0
碳化硅襯底厚度測量中探頭溫漂的熱傳導(dǎo)模型與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
引言 在碳化硅襯底厚度測量過程中,探頭溫漂會(huì)嚴(yán)重影響測量精度。構(gòu)建探頭溫漂的熱傳導(dǎo)模型并進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,有助于深入理解探頭溫漂的產(chǎn)生機(jī)理,為提高測量準(zhǔn)確性...
在微電子行業(yè)飛速發(fā)展的背景下,封裝技術(shù)已成為連接芯片創(chuàng)新與系統(tǒng)應(yīng)用的核心紐帶。其核心價(jià)值不僅體現(xiàn)于物理防護(hù)與電氣/光學(xué)互聯(lián)等基礎(chǔ)功能,更在于應(yīng)對多元化市...
貼膜是指將一片經(jīng)過減薄處理的晶圓(Wafer)固定在一層特殊的膠膜上,這層膜通常為藍(lán)色,業(yè)內(nèi)常稱為“ 藍(lán)膜 ”。貼膜的目的是為后續(xù)的晶圓切割(劃片)工藝做準(zhǔn)備。
干法刻蝕技術(shù)作為半導(dǎo)體制造的核心工藝模塊,通過等離子體與材料表面的相互作用實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)刻蝕,其技術(shù)特性與工藝優(yōu)勢深刻影響著先進(jìn)制程的演進(jìn)方向。
濕法刻蝕作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的元老級(jí)技術(shù),其發(fā)展歷程與集成電路的微型化進(jìn)程緊密交織。盡管在先進(jìn)制程中因線寬控制瓶頸逐步被干法工藝取代,但憑借獨(dú)特的工藝優(yōu)勢...
互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)是現(xiàn)代集成電路設(shè)計(jì)的核心,它利用了N型和P型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的互補(bǔ)特性來實(shí)現(xiàn)低功耗的電子...
摘要:本文針對濕法腐蝕工藝后晶圓總厚度偏差(TTV)的管控問題,探討從工藝參數(shù)優(yōu)化、設(shè)備改進(jìn)及檢測反饋機(jī)制完善等方面入手,提出一系列優(yōu)化方法,以有效降低...
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