半導(dǎo)體行業(yè)之半導(dǎo)體材料特性（十一）

另一個重要方面是壓力。壓強，作為一種物質(zhì)的基本性質(zhì)，通常是用于液體和氣體物質(zhì)狀態(tài)的描述量。

2023-12-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 1148 0

異質(zhì)芯片組裝主流化的驅(qū)動因素和方法

隨著芯片復(fù)雜度的增高和摩爾定律的放緩，半導(dǎo)體行業(yè)正在迅速向先進封裝中的異質(zhì)芯片組裝轉(zhuǎn)型。這種轉(zhuǎn)變實現(xiàn)了通過組件的拆分與新的架構(gòu)配置下的重新集成來持續(xù)縮小...

2023-12-08 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體晶圓 909 0

淺談碳化硅陶瓷的各種燒結(jié)技術(shù)

碳化硅作為一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料，憑借其優(yōu)異的高溫力學(xué)強度、高硬度、高彈性模量、高耐磨性、高導(dǎo)熱性、耐腐蝕性等性能，不僅應(yīng)用于高溫窯具、燃燒噴嘴、熱交換...

2023-12-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓燒結(jié) 5831 0

一文詳解芯片的7nm工藝

芯片的7nm工藝我們經(jīng)常能聽到，但是7nm是否真的意味著芯片的尺寸只有7nm呢？讓我們一起來看看吧！

2023-12-07 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體晶圓 7942 0

芯片設(shè)計中再分布層(RDL)技術(shù)的優(yōu)勢

Redistribution layer (再分布層，RDL)，是添加到集成電路或微芯片中以重新分配電氣連接的金屬層。這種RDL技術(shù)是一種用于集成電路（...

2023-12-06 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體晶圓 3.9萬 0

半導(dǎo)體濕法清洗工藝

隨著技術(shù)的不斷變化和器件尺寸的不斷縮小，清潔過程變得越來越復(fù)雜。每次清洗不僅要對晶圓進行清洗，所使用的機器和設(shè)備也必須進行清洗。晶圓污染物的范圍包括直徑...

2023-12-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓硅晶圓 2383 0

基于電感耦合反應(yīng)離子刻蝕的氮化鎵干蝕研究

GaN和InGaN基化合物半導(dǎo)體和其他III族氮化物已經(jīng)成功地用于實現(xiàn)藍(lán)-綠光發(fā)光二極管和藍(lán)光激光二極管。由于它們優(yōu)異的化學(xué)和熱穩(wěn)定性，在沒有其它輔助的...

2023-12-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓氮化鎵 894 0

CMP拋光墊有哪些重要指標(biāo)？

CMP（Chemical Mechanical Polishing）即“化學(xué)機械拋光”，是為了克服化學(xué)拋光和機械拋光的缺點

2023-12-05 標(biāo)簽：晶圓CMP 2138 0

激光隱切工藝詳解及其應(yīng)用舉例

在半導(dǎo)體芯片制造過程中，需要采用切割工藝對晶圓進行劃片，然而傳統(tǒng)的金剛石切割、砂輪切割會對半導(dǎo)體材料造成較為嚴(yán)重的損傷，導(dǎo)致半導(dǎo)體晶圓碎裂、芯片性能下降...

2023-12-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓芯片制造 9498 0

不同氮化鎵蝕刻技術(shù)的比較

GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法...

2023-12-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓氮化鎵 1243 0

流片Corner Wafer介紹

芯片制造是一個物理過程，存在著工藝偏差（包括摻雜濃度、擴散深度、刻蝕程度等），導(dǎo)致不同批次之間，同一批次不同晶圓之間，同一晶圓不同芯片之間情況都是不相同...

2023-12-01 標(biāo)簽：晶圓NMOS芯片制造 3865 0

芯片的幾個重要測試環(huán)節(jié)-CP、FT、WAT

半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造，晶圓測試，芯片封裝和封裝后測試組成。而測試環(huán)節(jié)主要集中在CP（chip probing）、FT（Final Test）和WAT...

2023-12-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓芯片封裝 8662 0

在氮化鎵和AlGaN上的濕式數(shù)字蝕刻

由于其獨特的材料特性，III族氮化物半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領(lǐng)域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關(guān)蝕刻已經(jīng)被用...

2023-11-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓晶圓蝕刻 694 0

封裝功能設(shè)計及基本工藝流程

在晶圓生產(chǎn)工藝的結(jié)尾，有些晶圓需要被減?。ňA減薄）才能裝進特定的封裝體重，以及去除背面損傷或結(jié)；對于有將芯片用金-硅共晶封裝中的芯片背面要求鍍一層金（...

2023-11-29 標(biāo)簽：芯片晶圓芯片封裝 1129 0

電化學(xué)沉積技術(shù)在集成電路行業(yè)有哪些應(yīng)用呢？

電 化 學(xué) 沉 積 技 術(shù)， 簡 稱 ECD（Electrical Chemical Deposition）技術(shù)，也是應(yīng)用于半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)行業(yè)的電鍍技術(shù)...

2023-11-29 標(biāo)簽：集成電路晶圓CMP 2232 0

一文詳解半導(dǎo)體封裝測試工藝流程

封裝工序 （Packaging）：是指 生產(chǎn)加工后的晶圓進行 切割、焊線塑封，使電路與外部器件實現(xiàn)鏈接，并為半導(dǎo)體產(chǎn)品提供機械保護，免受物理、化學(xué)等外界...

2023-11-29 標(biāo)簽：集成電路電路圖晶圓 6113 0

解析扇入型封裝和扇出型封裝的區(qū)別

扇出型封裝一般是指，晶圓級/面板級封裝情境下，封裝面積與die不一樣，且不需要基板的封裝，也就是我們常說的FOWLP/FOPLP。扇出型封裝的核心要素就...

2023-11-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓封裝 1.5萬 0

濕法刻蝕液的種類與用途有哪些呢？濕法刻蝕用在哪些芯片制程中？

濕法刻蝕由于成本低、操作簡單和一些特殊應(yīng)用，所以它依舊普遍。

2023-11-27 標(biāo)簽：晶圓微處理器光電器件 2921 0

半導(dǎo)體行業(yè)之半導(dǎo)體材料特性（七）

盡管有這些優(yōu)點，但是砷化鎵材料仍不能取代硅材料進而變成主流的半導(dǎo)體材料。原因在于我們必須要在實際的材料性能和加工難度這兩個關(guān)鍵因素之間進行權(quán)衡。

2023-11-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓晶體管 948 0

如何實現(xiàn)高質(zhì)量功率芯片

IGBT 是應(yīng)用最廣泛的可控功率電子開關(guān)，一個200A 1200V的IGBT4芯片只有指甲大小。你能想象嗎？它可以每個周期快速關(guān)斷600安培的電流，電流...

2023-11-27 標(biāo)簽：英飛凌晶圓IGBT 1467 0