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標(biāo)簽 > 晶片
晶片是LED最主要的原物料之一,是LED的發(fā)光部件,LED最核心的部分,晶片的好壞將直接決定LED的性能。晶片是由是由Ⅲ和Ⅴ族復(fù)合半導(dǎo)體物質(zhì)構(gòu)成。在LED封裝時(shí),晶片來料呈整齊排列在晶片膜上。
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薄晶片已經(jīng)成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。這些產(chǎn)品包括用于RFID系統(tǒng)的功率器件、分立半導(dǎo)體、光電元件和集成電路。此外,向堆疊管芯組件的轉(zhuǎn)變、垂直系統(tǒng)...
晶圓代工(Foundry)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一種商業(yè)模式,指接受其他無廠半導(dǎo)體公司(Fabless)委托、專門從事晶圓成品的加工而制造集成電路,并不自行從事...
硅的堿性刻蝕液:氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺(TMAH)溶液,晶片加工中,會(huì)用到強(qiáng)堿作表面腐蝕或減薄,器件生產(chǎn)中,則傾向于弱堿,如SC1清洗晶片或多晶...
晶棒截?cái)嚅_方(Wafer Dicing)是對(duì)硅晶棒或其它半導(dǎo)體晶體材料進(jìn)行切割的工藝步驟。它的目的是將晶棒切割成單個(gè)的芯片基板(即薄片),用于制造集成電...
本次在補(bǔ)救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學(xué)腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個(gè)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個(gè)因素,并使用實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(D...
切割工藝參數(shù)對(duì)6英寸N型碳化硅晶片的影響
采用砂漿多線切割工藝加工6英寸(1英寸=25.4 mm)N型碳化硅晶體,研究了此工藝中鋼線張力、 線速度、進(jìn)給速度等切割參數(shù)對(duì)晶片切割表面的影響。通過優(yōu)...
本文展示了一種使用連續(xù)濕法化學(xué)表面活化(即SPM→RCAl清洗)結(jié)合硅和石英玻璃晶片的鍵合方法。經(jīng)過200 ℃的多步后退火,獲得了無空洞或微裂紋的牢固結(jié)...
如何應(yīng)對(duì)倒裝晶片裝配的三大挑戰(zhàn)
倒裝晶片自60年代誕生后,這個(gè)技術(shù)已逐漸替換常規(guī)的打線接合,逐漸成為封裝潮流,為高端器件及高密度封裝領(lǐng)域中經(jīng)常采用的封裝形式。倒裝晶片主要應(yīng)用在無線局域...
2021-03-25 標(biāo)簽:無線局域網(wǎng)smt晶片 3251 0
濕式蝕刻過程的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物,選擇性非常高,因?yàn)樗褂玫幕瘜W(xué)物質(zhì)可以非常精確地適應(yīng)于單個(gè)薄膜。對(duì)于大多數(shù)溶液的選擇性大...
碳化硅晶片的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)研究
為實(shí)現(xiàn)碳化硅晶片的高效低損傷拋光,提高碳化硅拋光的成品率,降低加工成本,對(duì)現(xiàn)有的碳化硅化學(xué)機(jī)械拋光 技術(shù)進(jìn)行了總結(jié)和研究。針對(duì)碳化硅典型的晶型結(jié)構(gòu)及其微...
半導(dǎo)體器件的制造工程已使光電儀器、激光二極管和無線通信設(shè)備以及許多其他現(xiàn)代設(shè)備成為可能。從巴丁、布里泰因和肖克利1947年在貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明晶體管,到大約...
關(guān)鍵詞 晶圓清洗 電氣 半導(dǎo)體 引言 半導(dǎo)體器件的制造是從半導(dǎo)體器件開始廣泛銷往市場(chǎng)的半個(gè)世紀(jì) 前到現(xiàn)在為止與粒子等雜質(zhì)的戰(zhàn)斗。半個(gè)世紀(jì)初,人們已經(jīng)了 ...
康寧Tropel.晶片表面形態(tài)測(cè)量系統(tǒng)-(BOW/WARP)-MIC
來源:華友化工國際貿(mào)易(上海) Tropel FlatMaster 測(cè)量設(shè)備半導(dǎo)體晶圓制造商提供表面形態(tài)解決方案。該測(cè)量系統(tǒng)專為大批量晶圓片生產(chǎn)而設(shè)計(jì),...
2023-06-07 標(biāo)簽:測(cè)量系統(tǒng)晶片 2961 0
RCA標(biāo)準(zhǔn)清潔,在去除硅表面污染方面非常有效。RCA清潔包括兩個(gè)順序步驟:標(biāo)準(zhǔn)清潔1(SC-1)和標(biāo)準(zhǔn)清潔2(SC-2)。SC-1溶液由氫氧化銨、過氧化...
優(yōu)化縮短3D集成硅通孔(TSV)填充時(shí)間的創(chuàng)新方法
本文介紹了一種新型的高縱橫比TSV電鍍添加劑系統(tǒng),利用深層反應(yīng)離子蝕刻(DRIE)技術(shù)對(duì)晶片形成圖案,并利用物理氣相沉積(PVD)技術(shù)沉積種子層。通過陽...
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