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晶片

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晶片是LED最主要的原物料之一，是LED的發(fā)光部件，LED最核心的部分，晶片的好壞將直接決定LED的性能。晶片是由是由Ⅲ和Ⅴ族復(fù)合半導(dǎo)體物質(zhì)構(gòu)成。在LED封裝時，晶片來料呈整齊排列在晶片膜上。

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晶片技術(shù)

高頻聲能清洗半導(dǎo)體晶片的方法

我們研究了使用超臨界二氧化碳 (SCCO2)/化學(xué)添加劑配方去除離子注入光刻膠的方法。通過 SEM 和 XPS 分析對加工樣品的離子注入表面進行表征表...

2022-03-22 標簽：半導(dǎo)體制造晶片 1565 0

雙通道ic NU512-雙色溫調(diào)光恒流芯片應(yīng)用

NU512產(chǎn)品應(yīng)用 ? 一般LED照明 ? LCD 背光 ? 商業(yè)照明 ? 燈條、燈帶 ? RGB 裝飾燈 ? LED 手電筒 ? RG...

2023-06-07 標簽：晶片恒流芯片 1563 0

超聲波工藝對晶振造成的損傷

超聲波技術(shù)被廣泛應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)中，常見的超聲波工藝有：超聲波清洗工藝、焊接工藝。使用該兩種工藝時，超聲波儀器通常以20KHz至60KHz的頻率運...

2023-06-12 標簽：晶振超聲波晶片 1533 0

半導(dǎo)體光刻的工藝過程（2）

盡管存在從流變學(xué)角度描述旋涂工藝的理論，但實際上光刻膠厚度和均勻性隨工藝參數(shù)的變化必須通過實驗來確定。光刻膠旋轉(zhuǎn)速度曲線（圖 1-3）是設(shè)置旋轉(zhuǎn)速度以獲...

2022-08-25 標簽：半導(dǎo)體工藝光刻 1513 0

晶片清洗和熱處理對硅片直接鍵合的影響

本實驗通過這兩種清洗方法進行標識分為四個實驗組，進行了清洗實驗及室溫接合，以上工藝除熱處理工藝外，通過最小化工序內(nèi)部時間間隔，抑制清洗的基板表面暴露在...

2022-05-16 標簽：晶片硅片鍵合 1502 0

倒裝晶片的組裝的回流焊接工藝

倒裝晶片在氮氣中回流焊接有許多優(yōu)點。在較低氧氣濃度下回流焊接，條件比較寬松，可以獲得很好的焊接良率。由于減少了氧化，可以獲得更好的潤濕效果，同時工藝窗...

2023-09-26 標簽：元件晶片回流焊接 1458 0

硝酸濃度對硅晶片總厚度和重量損失的影響

新的微電子產(chǎn)品要求硅(Si)晶片變薄到厚度小于150 μm。機械研磨仍然會在晶片表面產(chǎn)生殘余缺陷，導(dǎo)致晶片破裂，表面粗糙。因此，化學(xué)蝕刻方法主要用于生產(chǎn)...

2022-06-14 標簽：集成電路蝕刻晶片 1447 0

用于扇出型晶圓級封裝的銅電沉積

高密度扇出型封裝技術(shù)滿足了移動手機封裝的外形尺寸與性能要求，因此獲得了技術(shù)界的廣泛關(guān)注。

2020-07-13 標簽：集成電路晶圓晶片 1438 0

用于異質(zhì)結(jié)太陽能電池應(yīng)用的Na2CO3溶液的硅片紋理化

引言在太陽能電池工業(yè)中，最常見的紋理化方法之一是基于氫氧化鈉或氫氧化鉀的水溶液和異丙醇(IPA)。然而，IPA是有毒的，而且相對昂貴，因此人們正在努力...

2022-01-05 標簽：太陽能電池太陽能半導(dǎo)體 1433 0

多晶硅表面紋理化的典型方法

濕化學(xué)蝕刻是多晶硅表面紋理化的典型方法,濕化學(xué)蝕刻法也是多晶體硅表面鋸切損傷的酸織構(gòu)化或氫氧化鉀鋸切損傷去除后的兩步化學(xué)蝕刻,這些表面紋理化方法是通過在...

2022-03-28 標簽：工藝蝕刻晶片 1363 0

晶片濕法刻蝕技術(shù)研究

文介紹了我們?nèi)A林科納研究了整個濕蝕過程中的完整性，它給出了一些確保這種保護的提示，并提出了評估這種保護的相關(guān)新方法，用光刻膠制作材料的濕圖案需要材料的完...

2022-05-16 標簽：蝕刻晶片 1355 0

Si晶圓表面金屬在清洗液中的應(yīng)用研究

隨著器件的集成化，對Si晶片的要求也變得更加嚴格，降低晶片表面的金屬污染變得重要，這是因為Si晶片表面的金屬污染被認為是氧化膜耐壓和漏電流等電特性劣化的...

2022-03-28 標簽：晶圓檢測晶片 1351 0

操作參數(shù)對蝕刻速率和均勻性的影響

本研究的目的是開發(fā)和應(yīng)用一個數(shù)值模型來幫助設(shè)計和操作CDE工具，為此，我們編制了第一個已知的NF3/02氣體的等離子體動力學(xué)模型，通過與實驗蝕刻速率數(shù)據(jù)...

2022-04-08 標簽：蝕刻晶片 CDE 1350 0

RCA清潔變量對顆粒去除效率的影響

摘要在濕化學(xué)加工中，制造需要表面清潔度和表面光滑度。有必要完美地控制所有工藝參數(shù)，特別是對于常見的清潔技術(shù)RCA clean (SC-1和SC-2) ...

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保護半導(dǎo)體晶片的“封裝”—保護晶片避免氣體或液體侵入

完成打線的半導(dǎo)體晶片，為了防止外界物理性接觸或污染的侵入，需要以包裝或是封裝材料密封。

2024-04-28 標簽：半導(dǎo)體晶片 1237 0

金屬蝕刻殘留物對對等離子體成分和均勻性的影響

本文研究了金屬蝕刻殘留物，尤其是鈦和鉭殘留物對等離子體成分和均勻性的影響。通過所謂的漂浮樣品的x射線光電子能譜分析來分析室壁，并且通過光發(fā)射光譜來監(jiān)測C...

2022-05-05 標簽：等離子蝕刻晶片 1224 0

倒裝晶片的組裝工藝流程

相對于其他的IC元件，如BGA和CSP等，倒裝晶片裝配工藝有其特殊性，該工藝引入了助焊劑工藝和底部填充工藝。因為助焊劑殘留物（對可靠性的影響）及橋連的...

2023-09-22 標簽：芯片貼裝晶片 1223 0

使用晶片處理技術(shù)在硅中產(chǎn)生溝槽結(jié)構(gòu)

本文討論了一種使用容易獲得的晶片處理技術(shù)在硅中產(chǎn)生溝槽結(jié)構(gòu)的簡單技術(shù)，通過使用(110)Si的取向相關(guān)蝕刻，可能在硅中產(chǎn)生具有垂直側(cè)壁的溝槽，與該技術(shù)一...

2022-05-05 標簽：處理技術(shù)蝕刻晶片 1217 0

稀釋SC1過程中使用兆聲波來增強顆粒去除效率

本文介紹了我們?nèi)A林科納在稀釋SC1過程中使用兆聲波來增強顆粒去除，在SC1清洗過程中，兩種化學(xué)成分之間存在協(xié)同和補償作用，H2O2氧化硅并形成化學(xué)氧化物...

2022-05-18 標簽：晶片顆粒兆聲波 1212 0

有關(guān)超聲波晶片測溫中的薄膜效應(yīng)實驗報告

溫度是半導(dǎo)體加工中需要監(jiān)測和控制的關(guān)鍵參數(shù)。我們使用了一種超聲波技術(shù)，其中利用硅片中最低階反對稱蘭姆波速度的溫度依賴性在20-1OO中進行原位溫度測量“...

2023-08-18 標簽：半導(dǎo)體超聲波晶片 1178 0

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