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晶片

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晶片是LED最主要的原物料之一，是LED的發(fā)光部件，LED最核心的部分，晶片的好壞將直接決定LED的性能。晶片是由是由Ⅲ和Ⅴ族復(fù)合半導(dǎo)體物質(zhì)構(gòu)成。在LED封裝時，晶片來料呈整齊排列在晶片膜上。

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晶片技術(shù)

通過兩步濕法刻蝕法制備黑硅

本研究對黑硅的形成進行了兩步短濕蝕刻處理,所建議的結(jié)構(gòu)包括兩個步驟。第一步：濕酸性蝕刻凹坑狀形態(tài)，具有降低紋理化溫度的新解決方案；第二步：通過金屬輔助蝕...

2022-03-29 標(biāo)簽：工藝晶片刻蝕 1184 0

硅晶圓的制備流程

本文從硅片制備流程為切入點，以方便了解和選擇合適的硅晶圓，硅晶圓的制備工藝流程比較復(fù)雜，加工工序多而長，所以必須嚴(yán)格控制每道工序的加工質(zhì)量，才能獲得滿足...

2024-10-21 標(biāo)簽：硅晶圓晶片 1094 0

MACE工藝制備黑硅的表面形態(tài)學(xué)和光學(xué)性能研究

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2022-03-29 標(biāo)簽：工藝蝕刻晶片 1087 0

石英晶體切割類型與頻率的關(guān)系

今天這節(jié)課，讓我們來了解一下石英晶體切割類型與頻率的關(guān)系，所謂晶體切割類型，就是對晶體坐標(biāo)軸某種取向的切割。石英晶片的切割類型有很多種，不同的切型其物理...

2024-07-22 標(biāo)簽：頻率石英晶體晶片 1080 0

紫外熒光在晶圓表面清潔分析中的應(yīng)用

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2021-12-28 標(biāo)簽：晶圓納米晶片 1077 0

GaN單晶晶片的清洗與制造方法

作為用于高壽命藍(lán)色LD (半導(dǎo)體激光器)、高亮度藍(lán)色LED (發(fā)光二極管)、高特性電子器件的GaN單晶晶片，通過hvpe (氫化物氣相)生長法等進行生長...

2022-04-15 標(biāo)簽：晶片 GaN 清洗 1066 0

半導(dǎo)體晶片干燥場非內(nèi)部和晶片周圍的流動特性

本研究利用CFD模擬分析了半導(dǎo)體晶片干燥場非內(nèi)部和晶片周圍的流動特性，并根據(jù)分析Case和晶片位置觀察了設(shè)計因子變化時的速度變化。

2022-05-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體特性晶片 1060 0

一種提高晶片干燥效率的馬蘭戈尼型干燥劑系統(tǒng)

晶片干洗系統(tǒng)，更詳細(xì)地說，是一種能夠提高對晶片干燥效率的馬蘭戈尼型(MARANGONI)TYPE)干洗系統(tǒng)。

2022-04-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝晶片 1055 0

利用臭氧微泡清洗半導(dǎo)體晶片

小氣泡顯示出與普通氣泡不同的行為。普通氣泡在水中急速浮起，在表面破裂消失。但是，如果成為直徑小于50μm的氣泡，則會慢慢浮起并縮小，最終在水中消失。在水...

2022-04-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片清洗 1046 0

晶振是如何工作的

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2023-06-22 標(biāo)簽：振蕩器晶振晶片 1042 0

半導(dǎo)體光刻的工藝過程（3）

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2022-08-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝光刻 1040 0

外延沉積前原位工藝清洗的效果

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2022-04-12 標(biāo)簽：工藝晶片清洗 1031 0

EGEE、NMP和THFA的微粒去除和基底損傷性能

在本報告中，我們?nèi)A林科納探討了2-乙氧基乙醇(EGEE)、NMP和THFA在常規(guī)氣溶膠噴霧清潔系統(tǒng)中的微粒去除和基底損傷性能。在300毫米和200毫米的...

2022-05-07 標(biāo)簽：晶片清洗微粒 1016 0

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制備用于清潔半導(dǎo)體的新型H2O2水實驗研究

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濕法清洗過程中晶片旋轉(zhuǎn)速度的影響

在超大規(guī)模集成(ULSI)制造的真實生產(chǎn)線中，器件加工過程中存在各種污染物。由于超大規(guī)模集成電路器件工藝需要非常干凈的表面，因此必須通過清潔技術(shù)去除污染...

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通過光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透研究

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污染和清洗順序?qū)A性紋理化的影響

本文介紹了我們?nèi)A林科納研究了污染和清洗順序?qū)A性紋理化的影響。硅表面專門暴露在有機和金屬污染中，以研究它們對堿性紋理化過程的影響，由此可見，無機污染對金...

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硅尺寸對PCB信號完整性和EMI的影響

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