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標(biāo)簽 > 晶粒
晶粒是組成多晶體的外形不規(guī)則的小晶體，在物質(zhì)結(jié)晶過(guò)程中，通過(guò)晶核（結(jié)晶中心）生成和晶體成長(zhǎng)而發(fā)展起來(lái)的小晶體。
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晶體知識(shí)—晶粒長(zhǎng)大與再結(jié)晶退火淺析
再結(jié)晶后，再繼續(xù)保溫或升溫，會(huì)使晶粒進(jìn)一步長(zhǎng)大。
2024-01-13 標(biāo)簽：晶粒 4182 0
表面結(jié)構(gòu)單元對(duì)納米材料表面性質(zhì)和形貌的影響
作者根據(jù)Wulff理論并與表面能數(shù)據(jù)制了每個(gè)NCM的晶粒形貌（圖4）。在該理論中，較小的表面能值往往對(duì)應(yīng)較大的晶粒暴露表面積。在所有Wulff形貌中，只...
2022-08-30 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)納米材料晶粒 3110 0
當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的晶粒，則形成單晶硅。如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，則形成多晶硅。
錫須現(xiàn)象：晶粒邊界的移動(dòng)特點(diǎn)
如果晶粒的邊界不移動(dòng)，就不能生長(zhǎng)成晶粒，但是，晶粒邊界的運(yùn)動(dòng)很難預(yù)測(cè)。因此，晶粒邊界（g.b.）是關(guān)鍵問(wèn)題，但是就小編的了解，很難根據(jù)晶體材料的表現(xiàn)判斷...
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓、晶粒與芯片是三個(gè)至關(guān)重要的概念，它們各自扮演著不同的角色，卻又緊密相連，共同構(gòu)成了現(xiàn)代電子設(shè)備的基石。本文將深入探討這三者之間的...
混晶，顧名思義，就是晶粒度大小不一的混雜在一起。晶粒度是表征金屬材料韌性好壞一個(gè)指標(biāo)，晶粒度級(jí)別越高，材料韌性越高，反之韌性越差。如果在高級(jí)別晶粒的區(qū)域...
基于相關(guān)基礎(chǔ)研究，經(jīng)過(guò)持續(xù)創(chuàng)新和關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)，研究團(tuán)隊(duì)在摻雜型TCB-Al晶種合金及其熔體處理新技術(shù)方面取得了重要突破。
傳統(tǒng)機(jī)器視覺(jué)在執(zhí)行精確對(duì)位、測(cè)量及其他涉及一致性特征的任務(wù)方面具有無(wú)與倫比的性能，但無(wú)法針對(duì)晶粒本身以及邦定、封裝等過(guò)程中可能出現(xiàn)的大量不可預(yù)測(cè)的缺陷進(jìn)...
反極圖實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的分析方法
利用樣品的軋面（ND面）、與軋向垂直的剖面（RD面）、與橫向垂直的剖面（TD面）等3個(gè)觀察面的普通粉末衍射數(shù)據(jù)，進(jìn)行2種分析處理。第1種方法是利用Exc...
本文主要介紹??????晶圓 （wafer）/晶粒 （die）/芯片 （chip）之間的區(qū)別和聯(lián)系。 ? 晶圓（Wafer）——原材料和生產(chǎn)平臺(tái)?? 晶...
為便于了解晶體中原子排列的規(guī)律性，通常將實(shí)體晶體結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化為完整無(wú)缺的理想晶體。若將其中每個(gè)院子抽象為純幾何點(diǎn)，即可得到一個(gè)由無(wú)數(shù)幾何點(diǎn)組成的規(guī)整的陣列，...
孿晶誘導(dǎo)細(xì)晶強(qiáng)化，相互交錯(cuò)的孿晶界將母晶分割成若干細(xì)小的晶粒，誘發(fā)Hall-Petch效應(yīng)的同時(shí)也會(huì)阻礙位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)，位錯(cuò)在晶界處塞積引發(fā)應(yīng)力集中又可能為...
高熵合金溫度相關(guān)變形行為的本構(gòu)建模和性能調(diào)控
針對(duì)上述問(wèn)題，西南交通大學(xué)康國(guó)政教授團(tuán)隊(duì)建立了考慮溫度效應(yīng)和晶粒尺寸效應(yīng)的多物理機(jī)制晶體塑性本構(gòu)模型，量化了不同強(qiáng)化機(jī)制和塑性變形機(jī)制對(duì)iHEA變形行為...
基于3D打印壓電元件驅(qū)動(dòng)的超聲換能器的高能量輸出應(yīng)用
壓電材料能夠?qū)C(jī)械能轉(zhuǎn)換為電能，亦能將電能轉(zhuǎn)換為機(jī)械能，目前已被廣泛用于傳感、執(zhí)行、能量采集、清洗以及超聲成像等應(yīng)用。近來(lái)，隨著新型結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和計(jì)算的興起...
濺射沉積鎳薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和應(yīng)力演化
眾所周知，材料的宏觀性質(zhì)，例如硬度、熱和電傳輸以及光學(xué)描述符與其微觀結(jié)構(gòu)特征相關(guān)聯(lián)。通過(guò)改變加工參數(shù)，可以改變微結(jié)構(gòu)，從而能夠控制這些性質(zhì)。在薄膜沉積的...
多Die（晶粒）系統(tǒng)由多個(gè)專用功能晶粒（或小芯片）組成，這些晶粒組裝在同一封裝中，以創(chuàng)建完整的系統(tǒng)。多晶粒系統(tǒng)最近已經(jīng)成為克服摩爾定律放緩的解決方案，生...
晶粒尺寸與晶界特征晶粒作為材料中的基本結(jié)構(gòu)單元，其尺寸和取向?qū)Σ牧系男阅苡兄钸h(yuǎn)的影響。晶粒內(nèi)部的取向相對(duì)一致，而相鄰晶粒之間則存在明顯的取向差異。晶粒...
EBSD技術(shù)在WC粉末晶粒度測(cè)量中的應(yīng)用晶粒尺寸分布是評(píng)價(jià)碳化鎢（WC）粉末質(zhì)量的關(guān)鍵因素，它直接影響材料的物理特性。電子背散射衍射技術(shù)（EBSD），作...
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