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      標簽　>　柵極

      柵極

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      柵極由金屬細絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。多極電子管中排列在陽極和陰極之間的一個或多個具有細絲網(wǎng)或螺旋線形狀的電極，起控制陰極表面電場強度從而改變陰極發(fā)射電子或捕獲二次放射電子的作用。

      文章：143個 視頻：29個 瀏覽：21315次 帖子：7個

      柵極技術(shù)

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      2025-06-26 標簽：柵極源極MOS器件 81 0

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      源漏區(qū)的單晶硅和柵極上的多晶硅即使在摻雜后仍然具有較高的電阻率，自對準硅化物(salicide)工藝能夠同時減小源/漏電極和柵電極的薄膜電阻，降低接觸電...

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      本文介紹了多晶硅作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。

      2025-04-02 標簽：多晶硅半導(dǎo)體晶體管 649 0

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      本文介紹了集成電路制造工藝中的柵極的工作原理、材料、工藝，以及先進柵極工藝技術(shù)。

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      在現(xiàn)代電子電路設(shè)計和應(yīng)用中，寄生參數(shù)是指那些并非設(shè)計者最初所期望的，但在電路或元器件中由于物理結(jié)構(gòu)、材料特性或布局布線等因素而自然產(chǎn)生的非預(yù)期電氣參數(shù)。...

      2025-03-14 標簽：電阻電感柵極 8841 0

      晶體管柵極結(jié)構(gòu)形成

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      柵極（Gate）是晶體管的核心控制結(jié)構(gòu)，位于源極（Source）和漏極（Drain）之間。其功能類似于“開關(guān)”，通過施加電壓控制源漏極之間的電流通斷。例...

      2025-03-12 標簽：芯片晶體管柵極 1040 0

      FinFET制造工藝的具體步驟

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      本文介紹了FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）制造過程中后柵極高介電常數(shù)金屬柵極工藝的具體步驟。

      2025-01-20 標簽：晶圓晶體管柵極 2706 0

      用于系統(tǒng)功率循環(huán)的高壓側(cè) MOSFET 輸入開關(guān)選擇

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      作者：Pete Bartolik 投稿人：DigiKey 北美編輯 功率循環(huán)在確保電子應(yīng)用不間斷運行方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用，尤其是那些部署在偏遠地區(qū)并由電池...

      2025-01-25 標簽：MOSFET定時器柵極 535 0

      既然MOSFET柵-源阻抗非常大，為什么設(shè)計驅(qū)動MOS電路的柵極電流還要大？1200字說清楚

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      三極管是流控型器件，通過電流控制三極管的工作區(qū)，而MOSFET與之相對是壓控型器件，柵-源阻抗非常大，我們一般認為MOSFET柵-源工作電流可以忽略，那...

      2025-01-02 標簽：三極管電流MOSFET 1.1萬 0

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      柵極資訊

      SiC MOSFET產(chǎn)業(yè)柵極氧化層可靠性挑戰(zhàn)與破局之路

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      SiC MOSFET產(chǎn)業(yè)柵極氧化層可靠性挑戰(zhàn)與破局之路 碳化硅（SiC）MOSFET因其高耐壓、低損耗等特性，在新能源、電動汽車等領(lǐng)域備受關(guān)注。然而，柵...

      2025-05-27 標簽：柵極SiC MOSFET 110 0

      新品上市，華普微推出600V半橋驅(qū)動器HPD2606X

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      在全球數(shù)字化浪潮洶涌推進的今天，半導(dǎo)體作為現(xiàn)代科技產(chǎn)業(yè)的基石，其重要性不言而喻。市場研究公司國際數(shù)據(jù)公司（IDC）發(fā)布的《全球半導(dǎo)體技術(shù)供應(yīng)鏈情報報告》...

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      為什么采用多晶硅作為柵極材料

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      本文解釋了為什么采用多晶硅作為柵極材料 ? 柵極材料的變化 ? 如上圖，gate就是柵極，柵極由最開始的鋁柵，到多晶硅柵，再到HKMG工藝中的金屬柵極。...

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      本文主要介紹FinFet Process Flow—啞柵極的形成。 ? 鰭片（Fin）的形成及其重要性 鰭片是FinFET器件三維結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵組成部分，它...

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      High-k柵極堆疊技術(shù)的介紹

      ? High-k柵極堆疊技術(shù)，作為半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)一項廣泛采納的前沿科技，對于現(xiàn)代集成電路制造業(yè)具有舉足輕重的地位。 在過去，半導(dǎo)體晶體管普遍采用二氧化硅（...

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      一種名為MARORA的等離子體選擇氧化裝置

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      ??? 隨著半導(dǎo)體器件的精細化，晶體管柵極的尺寸逐漸縮小或微小結(jié)構(gòu)越來越復(fù)雜。蝕刻過程中，蝕刻損傷會在加工表面產(chǎn)生，因此需要進行“損傷修復(fù)”。?? 隨著...

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      功率器件在近幾年的市場方面發(fā)展的非?；鸨?，尤其是 MOS 管，他主要應(yīng)用在電源適配器，電池管理系統(tǒng)以及逆變器和電機控制系統(tǒng)中。 而隨著計算器主板，AI ...

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