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標(biāo)簽 > 柵極
柵極由金屬細絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。多極電子管中排列在陽極和陰極之間的一個或多個具有細絲網(wǎng)或螺旋線形狀的電極,起控制陰極表面電場強度從而改變陰極發(fā)射電子或捕獲二次放射電子的作用。
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在現(xiàn)代電子電路設(shè)計和應(yīng)用中,寄生參數(shù)是指那些并非設(shè)計者最初所期望的,但在電路或元器件中由于物理結(jié)構(gòu)、材料特性或布局布線等因素而自然產(chǎn)生的非預(yù)期電氣參數(shù)。...
用于系統(tǒng)功率循環(huán)的高壓側(cè) MOSFET 輸入開關(guān)選擇
作者:Pete Bartolik 投稿人:DigiKey 北美編輯 功率循環(huán)在確保電子應(yīng)用不間斷運行方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用,尤其是那些部署在偏遠地區(qū)并由電池...
既然MOSFET柵-源阻抗非常大,為什么設(shè)計驅(qū)動MOS電路的柵極電流還要大?1200字說清楚
三極管是流控型器件,通過電流控制三極管的工作區(qū),而MOSFET與之相對是壓控型器件,柵-源阻抗非常大,我們一般認為MOSFET柵-源工作電流可以忽略,那...
MOS管的閾值電壓(Threshold Voltage)是一個至關(guān)重要的參數(shù),它決定了MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài),對MOS...
新品上市,華普微推出600V半橋驅(qū)動器HPD2606X
HPD2606X擁有配合自舉電路操作的浮動通道設(shè)計,可穩(wěn)定驅(qū)動高壓側(cè)的功率器件。HPD2606X能耐受負向瞬態(tài)電壓,抗dV/dt干擾。HPD2606X支...
背面供電搭配全環(huán)繞柵極,英特爾打造芯片制造“新星組合”
在全球數(shù)字化浪潮洶涌推進的今天,半導(dǎo)體作為現(xiàn)代科技產(chǎn)業(yè)的基石,其重要性不言而喻。市場研究公司國際數(shù)據(jù)公司(IDC)發(fā)布的《全球半導(dǎo)體技術(shù)供應(yīng)鏈情報報告》...
? High-k柵極堆疊技術(shù),作為半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)一項廣泛采納的前沿科技,對于現(xiàn)代集成電路制造業(yè)具有舉足輕重的地位。 在過去,半導(dǎo)體晶體管普遍采用二氧化硅(...
??? 隨著半導(dǎo)體器件的精細化,晶體管柵極的尺寸逐漸縮小或微小結(jié)構(gòu)越來越復(fù)雜。蝕刻過程中,蝕刻損傷會在加工表面產(chǎn)生,因此需要進行“損傷修復(fù)”。?? 隨著...
近日,瞻芯電子傳來喜訊,其自主研發(fā)的2款極緊湊封裝的柵極驅(qū)動芯片IVCR2404MP已成功通過可靠性認證,并正式投入量產(chǎn)。這兩款高性能產(chǎn)品,標(biāo)志著瞻芯電...
功率器件在近幾年的市場方面發(fā)展的非?;鸨绕涫?MOS 管,他主要應(yīng)用在電源適配器,電池管理系統(tǒng)以及逆變器和電機控制系統(tǒng)中。 而隨著計算器主板,AI ...
隨著現(xiàn)代低壓應(yīng)用的發(fā)展,Littelfuse P溝道功率MOSFET滿足了當(dāng)今電力電子不斷發(fā)展所需的通用功能。Littelfuse P溝道MOSFETs...
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