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標簽 > 柵極電壓
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半導(dǎo)體邏輯器件工藝流程簡介 MOSFET及相關(guān)器件介紹
當(dāng)PN正向偏置時,電流隨電壓的增大而迅速增大。當(dāng)反向偏置時,電流很小且隨電壓增大變化不大,但是當(dāng)電壓達到臨界點時電流突然增大。這兩種現(xiàn)象稱為正向?qū)ㄅc反...
STM測量裝置和扭曲三層石墨烯(TTG)結(jié)構(gòu)分析
高分辨率成像顯示出晶格常數(shù)為0.246nm 的蜂窩結(jié)構(gòu),并伴有更微妙的更大規(guī)模的原子調(diào)制,dI/dV 圖的傅立葉分析進一步證實了這種模式的周期性,表明了...
功率MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理
MOSFET中文名為金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管或MOS管,可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。而功率MOSFET則指...
LMG1205 適用于GaNFET和MOSFET的1.2A、5A、90V、具有 5V UVLO 的半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
該 LMG1205 設(shè)計用于在同步降壓、升壓或半橋配置中驅(qū)動高壓側(cè)和低壓側(cè)增強型氮化鎵 (GaN) FET。該器件具有集成的 100V 自舉二極管以及用...
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