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柵極電壓

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柵極電壓技術(shù)

NMOS管的特性曲線（二）— 轉(zhuǎn)移特性曲線詳解

轉(zhuǎn)移特性曲線：固定VDS值，MOS晶體管的源漏電流IDS隨柵源電壓VGS的變化曲線。

2023-12-01 標(biāo)簽：MOS晶體管漏電流柵極電壓 2.0萬(wàn) 1

IGBT雙脈沖測(cè)試的測(cè)量參數(shù)及波形分析

通過(guò)雙脈沖測(cè)試，可以得到IGBT的各項(xiàng)開(kāi)關(guān)參數(shù)。

2023-11-24 標(biāo)簽：IGBT 直流母線脈沖測(cè)試 1.4萬(wàn) 0

igbt模塊參數(shù)怎么看 igbt的主要參數(shù)有哪些?

IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開(kāi)關(guān)性能如開(kāi)關(guān)頻率、開(kāi)關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù)，本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極...

2023-07-28 標(biāo)簽：電感 IGBT 寄生電容 1.0萬(wàn) 0

mosfet和mos管的區(qū)別 MOSFET的工作原理

? MOS FET基本概述 MOSFET由 MOS (Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+ FET (Field Ef...

2023-08-16 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管 1.0萬(wàn) 0

介紹幾種普遍使用的集電極電壓尖峰抑制的方法

IGBT關(guān)斷時(shí)，集電極電流Ic迅速減小到0，急劇變化的di/dt流經(jīng)在系統(tǒng)雜散電感，產(chǎn)生感應(yīng)電壓ΔV。ΔV疊加在母線電壓上，使IGBT承受高于平常的電壓...

2022-08-08 標(biāo)簽：二極管 IGBT 雜散電感 8772 0

NMOS管和PMOS管如何做開(kāi)關(guān)控制電路

NMOS當(dāng)下管，即S極（源極）直接接地，只需控制G極（柵極）電壓即可控制NMOS管的導(dǎo)通或截止，因?yàn)镸OS管導(dǎo)通的條件取決于VGS的壓差。

2024-01-15 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)控制柵極電壓 NMOS管 7051 0

什么是持續(xù)光電導(dǎo)效應(yīng)

光學(xué)數(shù)據(jù)傳感、處理和視覺(jué)記憶是人工智能和具有自主導(dǎo)航功能的機(jī)器人的基本要求。在傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)中，成像與模式識(shí)別電路分開(kāi)。

2022-11-01 標(biāo)簽：機(jī)器人光電探測(cè)器柵極電壓 6834 2

保護(hù)板5mos與3mos的區(qū)別

在電池管理系統(tǒng)（BMS）中，保護(hù)板是一種重要的組件，它能夠保護(hù)電池在過(guò)充、過(guò)放、過(guò)流、短路等情況下不受損害。保護(hù)板通常由一些電子元件組成，如MOSFET...

2024-07-25 標(biāo)簽：MOS 保護(hù)板柵極電壓 6199 0

IGBT的開(kāi)通過(guò)程

IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級(jí)）和PNP晶體管（輸出級(jí)）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度...

2022-07-08 標(biāo)簽：IGBT 晶體管柵極電壓 5598 0

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu)：超結(jié)結(jié)構(gòu)

高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但...

2023-11-04 標(biāo)簽：MOSFET 電容導(dǎo)通電阻 5230 0

IGBT認(rèn)識(shí)：電力系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)死區(qū)的原理、意義和計(jì)算

死區(qū)時(shí)間，也**稱為互鎖延時(shí)時(shí)間（互鎖：即互相掣肘，對(duì)開(kāi)關(guān)管來(lái)說(shuō)就是Q1開(kāi)通時(shí)候，Q2通過(guò)結(jié)合Q1控制邏輯必須關(guān)閉）

2023-11-21 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 IGBT 脈沖變壓器 4988 0

耗盡型mos管工作原理是什么

耗盡型MOS管（也稱為增強(qiáng)型MOS管）是一種常用的場(chǎng)效應(yīng)管。它是由金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）結(jié)構(gòu)組成的。在這種器件中，半導(dǎo)體基片分為N型和P型區(qū)域，...

2023-12-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管電荷 4294 0

這篇讓你快速搞懂IGBT的靜態(tài)特性

IGBT的靜態(tài)特性其實(shí)并非難以理解的東西,即便是對(duì)于外行人而言。

2023-11-27 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 靜態(tài)特性 4085 0

為什么SiC MOSFET的短路耐受時(shí)間比較小

我們都知道，IGBT發(fā)生短路時(shí)，需要在10us或者更短的時(shí)間內(nèi)關(guān)閉IGBT，在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來(lái)進(jìn)行調(diào)節(jié)，如柵極電壓VGE，母線電壓等，但...

2022-08-07 標(biāo)簽：MOSFET IGBT SiC 3978 0

如何使用MOS晶體管研究NMOS零增益放大器原理

來(lái)源：Doug Mercer 和 Antoniu Miclaus 本次活動(dòng)是對(duì)11月份學(xué)子專區(qū)的延續(xù)；本次將介紹電流鏡，其輸出可以不受輸入電流變化的影響...

2021-01-24 標(biāo)簽：示波器增益放大器 CMOS晶體管 3700 0

碳化硅MOSFET與硅MOSFET的應(yīng)用對(duì)比分析

碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電壓低、開(kāi)關(guān)速度極快、驅(qū)動(dòng)能力要求相對(duì)低等特點(diǎn)，是替代高壓硅MOSFET 的理想器件之一。

2024-04-01 標(biāo)簽：MOSFET 變換器電源供電 3333 0

柵極浮空的定義 MOS管的柵極為什么不能浮空呢？

柵極浮空，顧名思義，就是 MOS 管的柵極不與任何電極相連，處于懸浮狀態(tài)。

2024-02-25 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電路上拉電阻 MOS管 2978 1

可以用鋁或多晶硅做柵極材料，是什么原因呢？

柵（Gate）是一種控制元件，通常用于場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）中，比如金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）等。

2024-03-13 標(biāo)簽：多晶硅 MOSFET 半導(dǎo)體 2922 0

IGBT有哪幾個(gè)工作區(qū)

IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）的工作區(qū)主要涉及其在不同工作狀態(tài)下的安全運(yùn)行區(qū)域，這些區(qū)域定義了IGBT在特定條件下的電壓、電流及功率限制，以確保其穩(wěn)定運(yùn)...

2024-07-24 標(biāo)簽：IGBT 晶體管柵極電壓 2811 0

mos管柵極電壓控制多少最好

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的柵極電壓控制是MOS管工作中的一個(gè)關(guān)鍵參...

2024-09-18 標(biāo)簽：電流 MOS管參數(shù) 2622 0

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲(chǔ)器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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硬件工程師Hardware Engineer職位要求熟悉計(jì)算機(jī)市場(chǎng)行情；制定計(jì)算機(jī)組裝計(jì)劃；能夠選購(gòu)組裝需要的硬件設(shè)備，并能合理配置、安裝計(jì)算機(jī)和外圍設(shè)備；安裝和配置計(jì)算機(jī)軟件系統(tǒng)；保養(yǎng)硬件和外圍設(shè)備；清晰描述出現(xiàn)的計(jì)算機(jī)軟硬件故障。
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MPU-6000（6050）為全球首例整合性6軸運(yùn)動(dòng)處理組件，相較于多組件方案，免除了組合陀螺儀與加速器時(shí)間軸之差的問(wèn)題，減少了大量的封裝空間。
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74LS74是雙D觸發(fā)器。功能多，可作雙穩(wěn)態(tài)、寄存器、移位寄存器、振蕩器、單穩(wěn)態(tài)、分頻計(jì)數(shù)器等功能。本章詳細(xì)介紹了74ls112的功能及原理，74ls74引腳圖及功能表，74ls112的應(yīng)用等內(nèi)容。
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Proteus軟件是英國(guó)Lab Center Electronics公司出版的EDA工具軟件（該軟件中國(guó)總代理為廣州風(fēng)標(biāo)電子技術(shù)有限公司）。它不僅具有其它EDA工具軟件的仿真功能，還能仿真單片機(jī)及外圍器件。
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光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹(shù)”組成的，在2009年10月1日天安門廣場(chǎng)舉行的國(guó)慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國(guó)成立六十周年國(guó)慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成，光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡(jiǎn)單的說(shuō)，光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換，發(fā)送端把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào)，通過(guò)光纖傳送后，接收端再把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
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STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器接收到一個(gè)脈沖信號(hào)，它就驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)固定的角度（稱為“步距角”），它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運(yùn)行的。可以通過(guò)控制脈沖個(gè)數(shù)來(lái)控制角位移量，從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的；同時(shí)可以通過(guò)控制脈沖頻率來(lái)控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度和加速度，從而達(dá)到調(diào)速和定位的目的。
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cD4046是通用的CMOS鎖相環(huán)集成電路，其特點(diǎn)是電源電壓范圍寬（為3V－18V），輸入阻抗高（約100MΩ），動(dòng)態(tài)功耗小，在中心頻率f0為10kHz下功耗僅為600μW，屬微功耗器件。本章主要介紹內(nèi)容有，CD4046的功能 cd4046鎖相環(huán)電路，CD4046無(wú)線發(fā)射，cd4046運(yùn)用，cd4046鎖相環(huán)電路圖。
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COMSOL集團(tuán)是全球多物理場(chǎng)建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團(tuán)隊(duì)、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品，這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展，并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過(guò)模擬，賦予設(shè)計(jì)理念以生命。
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加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
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服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個(gè)年輕成員，到目前為止尚沒(méi)有一個(gè)嚴(yán)格的定義。不同國(guó)家對(duì)服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識(shí)不同。
四軸飛行器

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四軸飛行器，又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī)，簡(jiǎn)稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器（Quadrotor）是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡(jiǎn)單機(jī)構(gòu)，十字形的布局允許飛行器通過(guò)改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力，從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動(dòng)原理”中講述。
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802.11ac與11基站測(cè)試（base station tests）在基站設(shè)備安裝完畢后，對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別，802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng)，802.11n怎么安裝。
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　　SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包，軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。

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