管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路，即CMOS電路。
2023-02-16 17:00:15
4430 
傳輸門是由外部施加的邏輯電平控制的NMOS和PMOS晶體管組成的雙向開關(guān)。
2023-08-10 09:02:201943 
NMOS低邊開關(guān)電路切換的是對地的導(dǎo)通，PMOS作為高邊開關(guān)電路切換的是對電源的導(dǎo)通。
2023-08-14 09:18:034081 
如果讓大家舉個(gè)PMOS管實(shí)際應(yīng)用電路，恐怕大多數(shù)讀者除了下圖所示的電源開關(guān)控制電路外，實(shí)在是想不出更多其它實(shí)用電路了。
2023-10-11 14:24:141153 
NMOS+PMOS控制電池電壓輸出1.在MCU_CTL給高電平的時(shí)候，Q5、Q1導(dǎo)通，BAT_OUT輸出電池電壓3.7V，這個(gè)沒問題2.在MCU_CTL給低電平的時(shí)候，Q5、Q1截止了
2021-09-24 18:45:53
本帖最后由 xiaxingxing 于 2017-12-13 17:58 編輯
打算用NMOS（IRF1010NS）管做電平轉(zhuǎn)換器件，于是先仿真，但是達(dá)不到預(yù)期的要求。1、如下圖1所示，信號源
2017-12-13 17:42:16
什么是MOS管？NMOS是什么？PMOS又是什么？NMOS管與PMOS管有哪些不同？
2021-10-15 09:09:38
最近在看利用增強(qiáng)型NMOS管或者PMOS管對電路或電源極性反接保護(hù)設(shè)計(jì)，網(wǎng)上眾說紛紜，其中經(jīng)典的說法為： 或（個(gè)人認(rèn)為右側(cè)圖中的MOS管畫錯(cuò)了，應(yīng)是增強(qiáng)型NMOS管） 或（個(gè)人認(rèn)為右側(cè)圖中的MOS管
2019-07-13 14:13:40
NMOS、PMOS驅(qū)動(dòng)負(fù)載優(yōu)缺點(diǎn)常見的馬達(dá)、泵、繼電器等驅(qū)動(dòng)電路，都是NMOS，然后將負(fù)載放在高端（NMOS的D極或三極管的C極）；而圖中這種PMOS電路，將負(fù)載放在低端（NMOS的S極或三極管的e極），有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2023-02-03 18:43:21
相對通用的電路【NMOS的驅(qū)動(dòng)電路與PMOS的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)別】電路圖如下： 圖1用于NMOS的驅(qū)動(dòng)電路圖2用于PMOS的驅(qū)動(dòng)電路 這里只針對NMOS驅(qū)動(dòng)電路做一個(gè)簡單分析： Vl和Vh分別是低端
2021-07-30 06:09:44
MOS做高側(cè)開關(guān)時(shí)，PMOS比NMOS更便于控制：1、不用額外的電荷泵升壓；2、只要將柵極拉低和置高就能控制通斷。隨著半導(dǎo)體工藝的進(jìn)步，PMOS在導(dǎo)通內(nèi)阻上的參數(shù)也逐漸好轉(zhuǎn)，使得PMOS在電流不是特別
2022-08-11 09:54:17
在使用9014和PMOS管2305搭配的電源開關(guān)電源中，控制24V電源；在PMOS導(dǎo)通時(shí)，24V可以通過去，電壓也正常；但是在開關(guān)關(guān)斷時(shí)，PMOS管的漏極仍有0.7V左右的電壓，不知道是什么原因？
2020-04-01 09:00:29
圖片一，CPU_IO高電平時(shí)，三極管和MOS管導(dǎo)通，ACC_OUT=ACC_IN,CPU_IO低電平時(shí)，ACC_OUT無輸出。這個(gè)電路這么分析沒錯(cuò)吧？圖片二電路，幫忙分析下這樣接有沒有問題？當(dāng)VIN給個(gè)5V電壓的時(shí)候，三極管導(dǎo)通，請問PMOS管此時(shí)會導(dǎo)通嗎？VOUT會輸出5V嗎？
2018-12-07 11:21:55
PMOS管的簡單應(yīng)用應(yīng)用原理介紹寄生參數(shù)選型應(yīng)用防反接電路高端驅(qū)動(dòng)應(yīng)用相比于NMOS，PMOS應(yīng)用較少，主要原因有導(dǎo)通電阻大于NMOS導(dǎo)通電阻，型號少，價(jià)格貴等，但在一些特殊的場合也有應(yīng)用。原理介紹
2022-01-13 08:22:48
管理3v電源的開關(guān)，這個(gè)原理也用于電平轉(zhuǎn)換。NMOS管一般用于管理某電路是否接地，屬于無觸點(diǎn)開關(guān)，柵極高電平就導(dǎo)通導(dǎo)致接地，低電平截止。當(dāng)然柵極也可以用負(fù)電壓截止，但這個(gè)好處沒什么意義。其高電平可以
2016-12-29 16:00:06
一般做開關(guān)電源選擇mos管的時(shí)候，是選擇Nmos還是Pmos，有什么影響嗎，大家用的什么嗎
2017-04-09 10:37:36
大家好，我是記得誠。在電路中，NMOS經(jīng)常用作下管，S極接地，用G極來控制管子的導(dǎo)通截止，很方便。NMOS用作上管時(shí)，因?yàn)镾極電平不確定，即G極電平也不好確定，很不方便。PMOS經(jīng)常用作上管，S極接
2021-11-17 08:05:00
的強(qiáng)項(xiàng)。下面來介紹幾種產(chǎn)品設(shè)計(jì)中常用的NMOS的電源開關(guān)電路。1、NMOS做電源開關(guān)（低端驅(qū)動(dòng)，最簡單）由于NMOS和PMOS在原理和生產(chǎn)工藝上存在差異，導(dǎo)致同價(jià)格的NMOS在開通速度、額定電流、導(dǎo)通內(nèi)阻
2021-09-02 06:15:09
用開關(guān)管搭建的開關(guān)控制電路，在使用時(shí)遇到比較奇怪的問題，如下圖所示，遇到的問題：1、當(dāng)單片機(jī)的頻率較高時(shí)，24V的開關(guān)電源會發(fā)出類似滴滴的蜂鳴，頻率低的時(shí)候不會。2、正常使用的時(shí)候制冷片是制冷
2023-04-13 11:25:58
時(shí)的情況(高端驅(qū)動(dòng))。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動(dòng)，但由于導(dǎo)通電阻大，價(jià)格貴，替換種類少等原因，在高端驅(qū)動(dòng)中，通常還是使用NMOS.3、MOS開關(guān)管損失不管是NMOS還是PMOS,導(dǎo)通后
2019-07-03 07:00:00
時(shí)的情況(高端驅(qū)動(dòng))。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動(dòng)，但由于導(dǎo)通電阻大，價(jià)格貴，替換種類少等原因，在高端驅(qū)動(dòng)中，通常還是使用NMOS.3、MOS開關(guān)管損失不管是NMOS還是PMOS,導(dǎo)通后
2019-07-05 08:00:00
時(shí)的情況(高端驅(qū)動(dòng))。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動(dòng)，但由于導(dǎo)通電阻大，價(jià)格貴，替換種類少等原因，在高端驅(qū)動(dòng)中，通常還是使用NMOS.3、MOS開關(guān)管損失不管是NMOS還是PMOS,導(dǎo)通后
2019-07-05 07:30:00
的是一個(gè)三極管加一個(gè)MOS管，或者一個(gè)NMOS加一個(gè)PMOS。常用電路如圖1圖2所示。而我們今天來討論的是基于圖2電路引起的MOS關(guān)做開關(guān)對輸入端電源的影響。圖1 三極管加MOS管形式開關(guān)電路圖2 NMOS加PMOS形式開關(guān)電路2. ...
2021-10-29 06:49:15
【1】NMOS管的主回路電流方向?yàn)镈→S，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，一般為5~10V（G電位比S電位高）【2】PMOS管的主回路電流方向?yàn)镾→D，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，一般為-5
2021-10-29 06:32:13
與源極S的電壓，即柵極低于電源一定電壓就導(dǎo)通，而非相對于地的電壓。但是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">PMOS導(dǎo)通內(nèi)阻比較大，所以只適用低功率的情況。大功率仍然使用N溝道MOS管。N溝道m(xù)os管開關(guān)電路NMOS的特性，Vgs大于
2019-01-28 15:44:35
MOS管型防反接保護(hù)電路圖3利用了MOS管的開關(guān)特性，控制電路的導(dǎo)通和斷開來設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路，由于功率MOS管的內(nèi)阻很小，現(xiàn)在 MOSFET Rds（on）已經(jīng)能夠做到毫歐級，解決了現(xiàn)有采用二極管
2021-10-29 08:31:20
]MOS管型防反接保護(hù)電路圖3.]圖3利用了MOS管的開關(guān)特性，控制電路的導(dǎo)通和斷開來設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路，由于功率MOS管的內(nèi)阻很小，現(xiàn)在 MOSFET Rds(on)已經(jīng)能夠做到毫歐級，解決了現(xiàn)有
2019-12-10 15:10:43
我最近在做一個(gè)微能源收集的項(xiàng)目，我們有1.5V 20mA的交流輸出，現(xiàn)在我想通過MOS管來降低整流過程中的壓降，但是相關(guān)資料里的4MOS管整流電路使用了2個(gè)PMOS和2個(gè)NMOS，為什么不使用4個(gè)NMOS來做這個(gè)整流電路那？NMOS不是各方面都比PMOS強(qiáng)嗎？
2019-07-24 15:39:22
了解MOS管的開通/關(guān)斷原理你就會發(fā)現(xiàn)，使用PMOS做上管、NMOS做下管比較方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的電路設(shè)計(jì)復(fù)雜，一般情況下意義不大，所以很少采用。下面先了解MOS管的開通/關(guān)斷
2021-10-28 08:37:47
MOS管的漏電流在微型可穿戴設(shè)備中，對于電池的功耗要求很高，所以為了省電，其實(shí)電路也是很多的，最省電的無疑就是直接斷開電池的供電了。這種方案要用到一個(gè)NMOS和一個(gè)PMOS組合使用，NMOS作為下管
2021-10-12 16:45:51
用于源極接VCC時(shí)的情況（高端驅(qū)動(dòng)）。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動(dòng)，但由于導(dǎo)通電阻大，價(jià)格貴，替換種類少等原因，在高端驅(qū)動(dòng)中，通常還是使用NMOS。3，MOS開關(guān)管損失不管是NMOS還是
2011-11-07 15:56:56
最近看筆記本中的MOS管大多數(shù)都是NMOS，極少數(shù)為PMOS，這是為什么呢,我也知道一個(gè)是用高電平去開，一個(gè)是用低電平去開，但是如果改變下電路的話，NMOS也不是不可以代替PMOS，這兩種MOS
2015-11-04 13:53:44
`MOS集成電路特點(diǎn)：制造工藝比較簡單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡單，集成度高、抗干擾能力強(qiáng)，特別適合于大規(guī)模集成電路。MOS集成電路包括:NMOS管組成的NMOS電路、PMOS管組成
2011-12-27 09:50:37
P型MOS管開關(guān)電路圖PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導(dǎo)
2021-10-28 10:07:00
用MOS做高側(cè)開關(guān)時(shí)，PMOS比NMOS更便于控制，不用額外的電荷泵升壓，柵極拉低和置高就能控制通斷。而隨著半導(dǎo)體工藝的進(jìn)步，PMOS在導(dǎo)通內(nèi)阻方面的參數(shù)漸漸好轉(zhuǎn)，逐步縮小了與NMOS的差距，使得
2021-11-12 06:20:18
三極管和場效應(yīng)管構(gòu)成的開關(guān)電路文件是本人用multisim10.0進(jìn)行仿真的，并且親自焊接驗(yàn)證過，用的三極管分別是NPN管8050，PNP管8550，NMOS管FR120n，PMOS管FR9120n；測試是正常的，現(xiàn)分享給各位需要的朋友，用的時(shí)候可以少走彎路，嘿嘿，謝謝各位的捧場。
2017-03-25 20:50:17
如圖這是一個(gè)電池供電的開關(guān)電路 兩個(gè)PMOS管S極與S極相連串聯(lián)在一起，那么問題來了應(yīng)該有個(gè)MOS管電壓是過不去的啊。
2015-01-20 15:09:33
datasheet?正文：1.使用MOS管作為開關(guān)控制的應(yīng)用實(shí)際硬件電路中，經(jīng)常會有一些設(shè)備的供電控制，尤其是進(jìn)行大功率負(fù)載的上電與斷電控制，可以采用MOS管作為開關(guān)進(jìn)行控制。2.單晶體管負(fù)載開關(guān)使用Multisim仿真,示例！3.MOS管說明，什么是PMOS,什么是NMOS?4.實(shí)例，采用P
2021-10-29 08:39:45
使用低Uth類型的PMOS管（如Uth=-2V）做開關(guān)當(dāng)5V沒接入時(shí)，PMOS管的柵極通過電阻R1下拉到地（0V），鋰電池BAT（3.7~4.2V）通過MOS管的內(nèi)部體二極管到達(dá)源極，源極電壓為（3
2021-10-29 08:43:39
使用PMOS進(jìn)行控制，需要在CTRL上輸出高電平，此時(shí)VCC和CTRL間是否會存在電流？問題3：我看有的資料說場效應(yīng)管的開關(guān)電路里柵極處串聯(lián)的1K限流電阻在轉(zhuǎn)換速率低的時(shí)候并沒什么作用，而10K的上下拉電阻
2019-04-18 23:02:09
各位大神們：請幫忙分析下這個(gè)NMOS管的奇特用法。此電路作用是是為了防止Load 短路或者過流時(shí)不會拉低輸入電源的電壓。Q1： 才能完全導(dǎo)通，是否MOS管Q1 的G極有更高的電壓？ Q2：個(gè)人感覺如果作為防反接或者電路中為了短路隔離的作用，用PMOS是否更加合適？
2019-08-21 09:45:01
如圖，圖1，CPU_IO高電平時(shí)，三極管和MOS管導(dǎo)通，ACC_OUT=ACC_IN,CPU_IO低電平時(shí)，ACC_OUT無輸出。這個(gè)電路這么分析沒錯(cuò)吧？圖2的話，我想問下這樣接有沒有問題當(dāng)VIN給個(gè)5V電壓的時(shí)候，三極管導(dǎo)通，請問PMOS管此時(shí)會導(dǎo)通嗎？VOUT會輸出5V嗎？
2018-12-20 15:11:13
如圖所示，我用nmos做開關(guān)管，通過鋰電池供電，隨著電池電量損耗，柵極電壓會從14v到8v變化，保證mos管一直導(dǎo)通，我想知道，柵極電壓變化會不會影響mos管的導(dǎo)通特性？電池電壓為48v，負(fù)載電流比較大
2019-10-23 11:08:33
、 PMOS當(dāng)上管或下管原理一樣。2、 通常使用PMOS做上管，NMOS做下管。3 NMOS管應(yīng)用使用NMOS當(dāng)下管，S極直接接地，只需將G極電壓固定值為5V即可導(dǎo)通（該5V視MOS管型號而定）4 PMOS管應(yīng)用使用PMOS當(dāng)上管，S極直接接電源VCC（5V），只需將G極電壓固定值為0V即可導(dǎo)通。原作者：while(1)
2023-02-17 13:58:02
單片機(jī)項(xiàng)目設(shè)計(jì)中常用的NMOS+PMOS控制電路是什么？
2022-02-11 06:12:37
的第一個(gè)電路。 本文將展示四種晶體管開關(guān)電路，其中2種使用NMOS，2種使有PMOS。 在電路設(shè)計(jì)過程中，有時(shí)需要“獨(dú)立”控制幾個(gè)開關(guān)的通與斷。例如構(gòu)造某種波形。晶體管開關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)一些開關(guān)的通與斷不會
2016-08-30 01:01:44
有個(gè)問題一直糾結(jié)了好久，請各位高手支招。設(shè)計(jì)一個(gè)RC脈沖電源，里面需要兩個(gè)NMOS開關(guān)管，主電路如圖所示：然后設(shè)計(jì)了NMOS管的驅(qū)動(dòng)電路，作為一個(gè)模塊，這樣連接在仿真軟件了可以實(shí)現(xiàn)想要的效果，但是實(shí)際這樣操作，會有什么問題？如果不能這樣連接，是否有更好的方案？
2018-11-01 22:30:12
NMOS管和PMOS管做開關(guān)控制電路
2021-11-12 06:39:31
1. 前言MOS管做為開關(guān)是一種常用的方式，在電路中比較常用的是一個(gè)三極管加一個(gè)MOS管，或者一個(gè)NMOS加一個(gè)PMOS。常用電路如圖1圖2所示。而我們今天來討論的是基于圖2電路引起的MOS關(guān)做開關(guān)
2021-10-28 06:50:48
如有錯(cuò)誤在評論中指出，謝謝。運(yùn)行環(huán)境：W10AD18.1.9原理圖：簡易的MOS管開關(guān)電路，通過Switch_signa來控制通斷(未加濾波)。Q1：增強(qiáng)型PMOS ，源極S接輸入，漏極D接輸出
2021-10-29 06:04:29
單個(gè)的MOS管中存在，在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒有的?！ ?、MOS管導(dǎo)通特性 導(dǎo)通的意思是作為開關(guān)，相當(dāng)于開關(guān)閉合?！ ?b class="flag-6" style="color: red">NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接地時(shí)的情況（低端
2018-10-18 18:15:23
的?！ OS管導(dǎo)通特性 導(dǎo)通的意思是作為開關(guān)，相當(dāng)于開關(guān)閉合。 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通，適用于源極接地的情況(低端驅(qū)動(dòng))，只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了?！ ?b class="flag-6" style="color: red">PMOS的特性
2018-12-03 14:43:36
本帖最后由 elecfans電子發(fā)燒友 于 2017-10-24 22:44 編輯
在四種常用晶體管開關(guān)電路（2種NMOS，2種PMOS）一文中，介紹了晶體管構(gòu)成的開關(guān)電路。這里我們使用所述
2016-08-30 04:32:10
MOS管是什么？NMOS管和PMOS管的工作原理是什么？NMOS管與PMOS管的區(qū)別在哪？
2021-11-03 06:17:26
Transistor, MOSFET）。其中，G是柵極，S是源極，D是漏極。二、常見的nmos和pmos的原理與區(qū)別NMOSNMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semicond...
2021-11-11 06:28:29
，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底?！ τ谶@兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS管。原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開關(guān)
2018-10-26 14:32:12
，所以S極電位就是VBAT-0.6V，而G極電位是0V，PMOS管導(dǎo)通，從D流向S的電流把二極管短路。電源接反時(shí)：G極是高電平，PMOS管不導(dǎo)通。保護(hù)電路安全。連接技巧NMOS管DS串到負(fù)極，PMOS管
2016-08-27 09:46:32
弱弱的問，在VDD的電壓差情況下，用PMOS和NMOS做power的decap分別有什么不同的考慮呢？請教一下，90nm以下，單個(gè)nmos做decap會有esd風(fēng)險(xiǎn)，是什么原因？
2021-06-22 06:04:16
今天遇到的一個(gè)電機(jī)控制電路的問題，實(shí)在是想不出來如何控制的，所以到來論壇問一下大家。其中 AO46061278是NMOS3456是PMOS
2018-12-12 16:29:19
驅(qū)動(dòng))。但是，雖然PMOS可以很方便的用作高端驅(qū)動(dòng)，但由于導(dǎo)通電阻大，價(jià)格貴，替換種類少等原因，在高端驅(qū)動(dòng)中，通常還是用NMOS。MOS開關(guān)管損失不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣
2017-08-15 21:05:01
，這個(gè)叫體二極管，在驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載(如馬達(dá))，這個(gè)二極管很重要。順便說一句，體二極管只在單個(gè)的MOS管中存在，在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒有的。MOS管導(dǎo)通特性導(dǎo)通的意思是作為開關(guān)，相當(dāng)于開關(guān)閉合。NMOS
2017-12-05 09:32:00
NMOS管如何控制12V電源開關(guān)？NMOS是D輸入S輸出，G又和S比較，怎么弄？
2019-10-09 09:11:27
；當(dāng)IO口0V時(shí)NMOS（目前選用2N7002VGS=2.1V就可以導(dǎo)通）導(dǎo)通，out輸出0V；請問如何解決這個(gè)PMOS管導(dǎo)通？（若VGS=-10就導(dǎo)通，那樣的話IO接高3.3V 0V都是導(dǎo)通狀態(tài)......）下面這個(gè)是做的失敗的產(chǎn)品（引以為戒），因15V接到一起，沒法實(shí)現(xiàn)單獨(dú)控制接高接地：
2019-06-10 04:36:18
請問buck-boost電路中的MOS管一定要是NMOS管么，可不可以用PMOS管？已知G極的控制電壓為3.3V
2022-02-12 17:44:53
這個(gè)電路，MOS管控制電路的GND怎么接，才能使MOS管導(dǎo)通。
2019-04-23 20:20:48
很大安全隱患。所以想用現(xiàn)有的NMOS管做成高端輸出電路，但同樣由于空間原因沒法做自舉電路，想請教各位老師，用光耦隔離是不可以？電路圖是我的設(shè)想，請各位老師指導(dǎo)。光耦是EL817，電阻阻值是默認(rèn)阻值
2019-02-19 09:12:46
附件中，給出了采用的負(fù)電保護(hù)電路，使用了NPN和PMOS管來完成關(guān)斷控制。在Cadence16.6中仿真。對于除開MOS管的其余部分，實(shí)際測算與仿真接近。問題：接上-6V負(fù)電時(shí)，理應(yīng)PMOS管的兩端
2019-11-06 01:33:07
這個(gè)
PMOS管電路是如何實(shí)現(xiàn)雙向?qū)ǎ吭碚埥?/div>
2018-01-05 16:32:27
MOS管開關(guān)電路學(xué)習(xí)過模擬電路的人都知道三極管是流控流器件，也就是由基極電流控制集電極與發(fā)射極之間的電流；而MOS管是壓控流器件，也就是由柵極上所加的電壓控制漏極與源極之間電流。選擇NMOS or PMOS？在選擇這兩種MOS管之前，需要弄清兩個(gè)問題：1.高端驅(qū)動(dòng) 2.低端驅(qū)動(dòng)...
2021-10-29 08:16:03
。 本文將展示四種晶體管開關(guān)電路，其中2種使用NMOS，2種使用PMOS。 在電路設(shè)計(jì)過程中，有時(shí)需要獨(dú)立控制幾個(gè)開關(guān)的通與斷。例如構(gòu)造某種波形。晶體管開關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)一些開關(guān)的通與斷不會影響其他開關(guān)的通與斷，即開關(guān)之間相互獨(dú)立，相互無關(guān)。常在人機(jī)交互場景之中有著特定
2020-09-03 15:28:3023364 
了解 MOS 管的開通 / 關(guān)斷原理你就會發(fā)現(xiàn)，使用 PMOS 做上管、NMOS 做下管比較方便。使用 PMOS 做下管、NMOS 做上管的電路設(shè)計(jì)復(fù)雜，一般情況下意義不大，所以很少采用。
2020-12-11 22:57:00
36 在電路中，NMOS經(jīng)常用作下管，S極接地，用G極來控制管子的導(dǎo)通截止，很方便。 NMOS用作上管時(shí)，因?yàn)镾極電平不確定，即G極電平也不好確定，很不方便。 PMOS經(jīng)常用作上管，S極接固定的VCC
2021-08-10 10:17:158221 了解MOS管的開通/關(guān)斷原理你就會發(fā)現(xiàn)，使用PMOS做上管、NMOS做下管比較方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的電路設(shè)計(jì)復(fù)雜，一般情況下意義不大，所以很少采用。下面先了解MOS管的開通/關(guān)斷
2021-10-21 17:06:04101 MOS管開關(guān)電路學(xué)習(xí)過模擬電路的人都知道三極管是流控流器件，也就是由基極電流控制集電極與發(fā)射極之間的電流；而MOS管是壓控流器件，也就是由柵極上所加的電壓控制漏極與源極之間電流。 選擇NMOS
2021-10-22 14:21:0010 NMOS管和PMOS管做開關(guān)控制電路
2021-11-07 13:36:00113 用MOS做高側(cè)開關(guān)時(shí)，PMOS比NMOS更便于控制，不用額外的電荷泵升壓，柵極拉低和置高就能控制通斷。而隨著半導(dǎo)體工藝的進(jìn)步，PMOS在導(dǎo)通內(nèi)阻方面的參數(shù)漸漸好轉(zhuǎn)，逐步縮小了與NMOS的差距，使得
2021-11-07 13:51:0364 PMOS中的空穴遷移率比NMOS中電子的遷移率低，所以為了實(shí)現(xiàn)相同的電流輸出，我們需要將PMOS的寬度做的是NMOS寬度的2~3倍。
2022-10-31 11:16:116184 ???上文和大家討論了PMOS的負(fù)載開關(guān)電路，使用PMOS來控制后繼電路的開關(guān)。然而在日常應(yīng)用中PMOS可供選擇的類型較少，價(jià)格也相對昂貴。因此選用NMOS作為開關(guān)電路選型范圍較多，成本也更加劃算，尤其針對一些低壓1V、1.8V、3.3V大電流應(yīng)用中更有優(yōu)勢。
2023-03-10 14:05:035707 
NMOS型和PMOS型的穩(wěn)壓電路如下圖所示。
2023-03-10 15:33:283625 
和低噪聲。然而，PMOS和NMOS之間存在噪聲差異，而PMOS的閃爍噪聲通常低于NMOS。本文將進(jìn)一步探討這個(gè)問題，并解釋為什么會出現(xiàn)這種情況。 首先，我們需要了解PMOS和NMOS的基本結(jié)構(gòu)和原理。 MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種用于放大、開關(guān)和其他電路功能的電子元件
2023-09-20 17:41:311270 ）。CMOS技術(shù)是當(dāng)今集成電路設(shè)計(jì)中最重要的技術(shù)之一，被廣泛應(yīng)用于數(shù)字和模擬電路。 在CMOS技術(shù)中，PMOS和NMOS通常會配對使用，互補(bǔ)形式的晶體管兩者可以互相補(bǔ)充，以實(shí)現(xiàn)更高效的電路設(shè)計(jì)和功耗控制
2023-12-07 09:15:361025 。 一、NMOS管和PMOS管的工作原理： NMOS管是一種n型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，常用于高電平控制低電平的開關(guān)電路。當(dāng)Vgs（門極電壓）大于Vth（臨界電壓）時(shí)，NMOS處于導(dǎo)通狀態(tài)，電流從Drain流向Source；當(dāng)Vgs小于Vth時(shí)，NMOS處于截止?fàn)顟B(tài)，電流無法通過NMOS。
2023-12-21 16:57:151134 已全部加載完成
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