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標(biāo)簽 > 柵極電荷
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MOSFET的動態(tài)性能相關(guān)參數(shù)
本篇是讀懂MOSFET datasheet系列最終篇,主要介紹MOSFET動態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)。 主要包括Qg、MOSFET的電容、開關(guān)時間等。 參數(shù)列表...
深入了解它的關(guān)鍵特性及指標(biāo)才能做出正確選擇
MOSFET是電子系統(tǒng)中的重要部件,需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指標(biāo)才能做出正確選擇。這些關(guān)鍵指標(biāo)中,以靜態(tài)特性和動態(tài)特性更為重要,本文主要討論動態(tài)特性。...
功率開關(guān)MOSFET的柵極驅(qū)動相關(guān)的損耗
損耗是MOSFET的Qg乘以驅(qū)動器電壓和開關(guān)頻率的值。Qg請參考所使用的MOSFET的技術(shù)規(guī)格書。驅(qū)動器電壓或者實測,或者參考IC的技術(shù)規(guī)格書。
2020-04-05 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)柵極驅(qū)動 4383 0
本文主要介紹了米勒效應(yīng)的由來,并詳細分析了MOSFET開關(guān)過程米勒效應(yīng)的影響,幫助定性理解米勒平臺的形成機制。最后給出了場效應(yīng)管柵極電荷的作用。
2023-05-16 標(biāo)簽:放大器MOSFET場效應(yīng)管 2960 0
光伏系統(tǒng)輔助電源逆變器應(yīng)用方案設(shè)計
Littelfuse作為深耕功率控制、電路保護和傳感器產(chǎn)品與服務(wù)近百年歷史的專業(yè)供應(yīng)商,很早就關(guān)注并投入可再生能源應(yīng)用的研發(fā),時至今日, 眾多的產(chǎn)品系列...
2022-08-21 標(biāo)簽:傳感器TVS二極管光伏系統(tǒng) 2616 0
驅(qū)動電路設(shè)計(十)——柵極電荷和應(yīng)用
驅(qū)動電路設(shè)計是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點,涉及到功率半導(dǎo)體的動態(tài)過程控制及器件的保護,實踐性很強。為了方便實現(xiàn)可靠的驅(qū)動設(shè)計,英飛凌的驅(qū)動集成電路自帶了一些重...
2025-04-14 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體柵極電荷驅(qū)動電路設(shè)計 493 0
CSD18511KCS 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊
這款 40V、2.1mΩ、TO-220 NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件:CSD18511KCS 4...
CSD22206W -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單通道 WLP 1.5 mm x 1.5 mm、5.7 mOhm、柵極ESD保護數(shù)據(jù)手冊
這款 –8V、4.7mΩ、1.5mm × 1.5mm 器件旨在以盡可能小的外形提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,并在超薄外形中具有出色的熱特性。低導(dǎo)通電阻、...
CSD18511Q5A 40V、N通道 NexFET? 功率 MOSFET,單 SON 5mm x 6mm,2.3mOhm技術(shù)手冊
這款 40 V、1.9 mΩ、SON 5 × 6 mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件:csd18...
CSD13380F3 12V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 0.6mm x 0.7mm、76mOhm、柵極 ESD 保護技術(shù)手冊
這款 63mΩ、12V N 溝道 FemtoFET? MOSFET 經(jīng)過設(shè)計和優(yōu)化,可在許多手持式和移動應(yīng)用中最大限度地減少占用空間。該技術(shù)能夠取代標(biāo)準(zhǔn)...
CSD22205L -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 1.2 mm x 1.2 mm、9.9 mOhm、柵極ESD保護數(shù)據(jù)手冊
這款 –8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板柵格陣列 (LGA) NexFET? 器件旨在以盡可能小的外形提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,并...
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