柵極

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柵極由金屬細(xì)絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。多極電子管中排列在陽(yáng)極和陰極之間的一個(gè)或多個(gè)具有細(xì)絲網(wǎng)或螺旋線形狀的電極，起控制陰極表面電場(chǎng)強(qiáng)度從而改變陰極發(fā)射電子或捕獲二次放射電子的作用。

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柵極技術(shù)

英飛凌|1200V IGBT7和Emcon7可控性更佳，助力提升變頻器系統(tǒng)性能（上）

本文介紹了針對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)進(jìn)行優(yōu)化的全新1200 V IGBT和二極管技術(shù)。該IGBT結(jié)構(gòu)基于全新微溝槽技術(shù)，與標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)相比，可大幅減少靜態(tài)損耗，并具備高可...

2024-01-09 標(biāo)簽：變頻器 IGBT 柵極 908 0

SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-低邊開關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極-源極間電壓的動(dòng)作

上一篇文章中介紹了LS開關(guān)導(dǎo)通時(shí)柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作。本文將繼續(xù)介紹LS關(guān)斷時(shí)的動(dòng)作情況。低邊開關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作：下面是表示L...

2023-02-08 標(biāo)簽：MOSFET 柵極 SiC 900 0

柵極型推挽電路為什么不用上P下N

在做信號(hào)控制以及驅(qū)動(dòng)時(shí)，為了加快控制速度，經(jīng)常要使用推挽電路。推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成：分別是上P下N，以及上N下P。其原理圖如下所示，

2023-02-02 標(biāo)簽：三極管電阻原理圖 884 0

SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-低邊開關(guān)導(dǎo)通時(shí)的Gate-Source間電壓的動(dòng)作

上一篇文章中，簡(jiǎn)單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動(dòng)電路的開關(guān)工作帶來(lái)的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細(xì)介紹SiC MOS...

2023-02-08 標(biāo)簽：MOSFET 柵極 SiC 866 0

SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作

2023-12-07 標(biāo)簽：MOSFET 柵極源極 854 0

C?N識(shí)別丙烷和丁烷的氣體傳感器的開發(fā)研究

氣體傳感是航空航天、軍事、醫(yī)療以及工業(yè)環(huán)境等應(yīng)用的一個(gè)重要研究領(lǐng)域，它有助于預(yù)防有毒有害氣體對(duì)人類健康和環(huán)境造成的風(fēng)險(xiǎn)。在家庭和工業(yè)環(huán)境中，丙烷和丁烷通...

2023-11-14 標(biāo)簽：氣體傳感器柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管 846 0

五極管的簾柵極相當(dāng)于陽(yáng)極還是陰極

五極管的簾柵極既不等同于陽(yáng)極，也不等同于陰極，它是五極管特有的一個(gè)電極，具有獨(dú)特的功能和作用。五極管主要由屏極、抑制柵極、控制柵極、簾柵極和陰極五個(gè)電...

2024-09-24 標(biāo)簽：穩(wěn)壓電源五極管電極 802 0

逆變器柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)的生成和傳輸

逆變器帶載柵極波型的原因是一個(gè)復(fù)雜的問題，涉及到多個(gè)方面的因素。逆變器的工作原理和結(jié)構(gòu) 逆變器是一種將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的電力電子設(shè)備，廣泛應(yīng)用于...

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橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：關(guān)斷時(shí)

2023-12-05 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器電壓柵極 755 0

伯納爾石墨和莫爾石墨的傳輸特性比較

由具有相對(duì)扭轉(zhuǎn)角的原子級(jí)薄范德瓦爾斯晶體堆積形成的莫爾圖案可以引起顯著的新的物理性質(zhì)。迄今為止，對(duì)莫爾材料的研究?jī)H限于由不超過幾個(gè)范德瓦爾斯片組成的結(jié)構(gòu)...

2023-08-01 標(biāo)簽：晶體柵極石墨薄膜 747 0

MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

在 MOSFET 的柵極和源極之間添加一個(gè)外部齊納二極管，可以有效防止發(fā)生靜電放電和柵極尖峰電壓。但要注意，齊納二極管的電容可能有輕微的不良影響。

2023-03-15 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 電路設(shè)計(jì) 730 0

SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極源極間電壓的動(dòng)作-SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)

在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí)，本文先對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個(gè)主題的前提。

2023-02-08 標(biāo)簽：MOSFET 柵極 SiC 726 0

柵極技術(shù)的工作原理和制造工藝

本文介紹了集成電路制造工藝中的柵極的工作原理、材料、工藝，以及先進(jìn)柵極工藝技術(shù)。

2025-03-27 標(biāo)簽：集成電路晶體管制造工藝 713 0

逆變器帶載柵極波型的原因

逆變器帶載柵極波型的原因是一個(gè)復(fù)雜的問題，涉及到多個(gè)方面的因素。逆變器的工作原理和結(jié)構(gòu) 逆變器是一種將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的電力電子設(shè)備。它的主要功...

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晶體管柵極多晶硅摻雜的原理和必要性

本文介紹了多晶硅作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。

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薄膜晶體管技術(shù)架構(gòu)與主流工藝路線

導(dǎo)語(yǔ)薄膜晶體管（TFT）作為平板顯示技術(shù)的核心驅(qū)動(dòng)元件，通過材料創(chuàng)新與工藝優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了從傳統(tǒng)非晶硅向氧化物半導(dǎo)體、柔性電子的技術(shù)跨越。本文將聚焦于薄膜晶...

2025-05-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制造技術(shù)柵極 608 0

SiC – 速度挑戰(zhàn)

2023-12-04 標(biāo)簽：電阻轉(zhuǎn)換器 RC 585 0

用于系統(tǒng)功率循環(huán)的高壓側(cè) MOSFET 輸入開關(guān)選擇

作者：Pete Bartolik 投稿人：DigiKey 北美編輯功率循環(huán)在確保電子應(yīng)用不間斷運(yùn)行方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用，尤其是那些部署在偏遠(yuǎn)地區(qū)并由電池...

2025-01-25 標(biāo)簽：MOSFET 定時(shí)器柵極 537 0

自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝詳解

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mos管的源極和柵極短接

當(dāng)MOS管的源極與柵極意外短接時(shí)，可能導(dǎo)致電路失控，產(chǎn)生電流暴走、靜電隱形殺手等問題。因此，必須嚴(yán)格遵守MOS管的操作規(guī)范，避免短接事故的發(fā)生。

2025-06-26 標(biāo)簽：柵極源極 MOS器件 85 0

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74LS00是一個(gè)內(nèi)部擁有四個(gè)獨(dú)立的二輸入與非門電路，它滿足與非門的邏輯功能，可以實(shí)現(xiàn)與非門的邏輯功能。共有54/7400、54/74H00、54/74S00、54/74LS00。54XXX
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柵極

柵極技術(shù)

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