MOSFET三種放大電路類型的區(qū)分

MOSFET有三個(gè)極，柵極、源級(jí)和漏極，由MOSFET構(gòu)成的放大電路通常有三種，共源級(jí)放大電路，共柵極放大電路和共漏極放大電路。其中，共源級(jí)放大電路用的...

2023-02-16 標(biāo)簽：MOSFET放大電路跟隨器 3251 0

一文詳解場(chǎng)效應(yīng)晶體管

在半導(dǎo)體器件的講解中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)該說(shuō)最值得拿來(lái)詳細(xì)介紹一番的。

2023-09-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管JFET 3249 0

電機(jī)驅(qū)動(dòng)中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景

通過(guò)采用電子馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器或“電壓源逆變器”可實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)的增強(qiáng)型控制，此類驅(qū)動(dòng)器通常會(huì)產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來(lái)控制馬達(dá)的速度、扭矩和方向。驅(qū)動(dòng)器采用...

2021-07-04 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT柵極 3191 0

干貨！75例經(jīng)典電氣控制接線圖、電子元件工作原理圖

下圖所示是一感應(yīng)測(cè)電筆線路。它可方便地測(cè)出導(dǎo)線的斷芯位置。在用來(lái)測(cè)導(dǎo)線斷芯位置時(shí)，在導(dǎo)線一端接上220V的電源相線，然后用感應(yīng)測(cè)電筆的探頭柵極靠近被測(cè)導(dǎo)...

2023-06-12 標(biāo)簽：柵極電氣控制接線圖 3031 0

GAAFET，是什么技術(shù)？

GAAFET，是什么技術(shù)？

2023-12-04 標(biāo)簽：eda柵極GAAFET 2817 0

一文詳解正電壓浪涌的對(duì)策和效果

作為米勒鉗位的替代方案，可以通過(guò)增加誤導(dǎo)通抑制電容器來(lái)處理。本文將會(huì)通過(guò)示例來(lái)探討正電壓浪涌的對(duì)策和其效果。

2022-03-29 標(biāo)簽：柵極浪涌電壓浪涌 2751 0

FinFET制造工藝的具體步驟

本文介紹了FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）制造過(guò)程中后柵極高介電常數(shù)金屬柵極工藝的具體步驟。

2025-01-20 標(biāo)簽：晶圓晶體管柵極 2711 0

采用4引腳封裝的SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列

SiC MOSFET：SCT3xxx xR系列是面向服務(wù)器用電源、太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車充電站等要求高效率的應(yīng)用開發(fā)而成的溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC MOSFE...

2023-02-09 標(biāo)簽：MOSFET封裝柵極 2704 0

7種MOSFET柵極電路的常見作用，不看不知道！

7種MOSFET柵極電路的常見作用，不看不知道！

2023-12-15 標(biāo)簽：電路MOSFET柵極 2695 0

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

　　功率電路中常用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的MOSFET(還有橫向?qū)щ娊Y(jié)構(gòu)的MOSFET，但很少用于耐高壓的功率電路中)，如下圖是這種MOSFET的分層結(jié)構(gòu)圖。

2023-02-16 標(biāo)簽：電阻MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 2657 0

MOS管的相關(guān)參數(shù)

MOS管數(shù)據(jù)手冊(cè)上的相關(guān)參數(shù)有很多，以MOS管VBZM7N60為例，下面一起來(lái)看一看，MOS管的數(shù)據(jù)手冊(cè)一般會(huì)包含哪些參數(shù)吧。

2023-09-27 標(biāo)簽：MOS管參數(shù)柵極 2630 0

自舉電路在高電壓柵極驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用

根據(jù)電容公式，i=C*du/dt，得知du/dt=i/C，故電容兩端電壓從0升到VDD時(shí)，取決于電流和電容的比值。容值一定時(shí)，電流越大，電壓上升越快；電...

2023-05-11 標(biāo)簽：二極管MOS管柵極 2242 0

VDMOS器件關(guān)鍵參數(shù)介紹

如圖1所示，VDMOS結(jié)構(gòu)就是P型注入和N+注入后兩次擴(kuò)散形成P型區(qū)和N+型區(qū)，在硅表面P型區(qū)和N+型區(qū)之間形成溝道，在柵極加壓后溝道開啟，電流在溝道內(nèi)...

2024-10-08 標(biāo)簽：二極管VDMOS柵極 1944 0

絕緣柵極驅(qū)動(dòng)器的重要特性

在電力電子領(lǐng)域，例如在驅(qū)動(dòng)技術(shù)中，IGBT經(jīng)常用于高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管是電壓控制的，在開關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生其主要損耗。為了最大限度地降低開關(guān)損耗...

2022-12-22 標(biāo)簽：處理器驅(qū)動(dòng)器IGBT 1776 0

PCB Layout時(shí)，MOS管柵極串聯(lián)電阻放哪兒？

前一段時(shí)間有個(gè)兄弟問了個(gè)問題，把我問住了，問題是這個(gè)： 如上圖，串聯(lián)的電阻R1到底是放在靠近IC端，還是靠近MOS端？（注意，圖中的L1是走線寄生電感，...

2023-09-26 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻MOS管Layout 1604 0