MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應(yīng)用

摘要：柵極控制能力是決定氮化鎵高電子遷移率晶體管性能的關(guān)鍵因素。然而在金屬-氮化鎵界面，金屬和半導(dǎo)體的直接接觸會(huì)導(dǎo)致界面缺陷和固定電荷，這會(huì)降低氮化鎵高...

2023-05-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管柵極 1491 0

MOSFET柵極電路的常見作用

MOSFET是一種常見的電壓型控制器件，具有開關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動(dòng)功率小、動(dòng)態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點(diǎn)，因...

2023-05-04 標(biāo)簽：二極管pcbMOSFET 1480 0

【科普小貼士】MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理

【科普小貼士】MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理

2023-12-13 標(biāo)簽：MOSFET柵極源極 1443 0

簡單認(rèn)識(shí)柵極關(guān)斷晶閘管

雙極功率晶體管的電流放大倍數(shù)和通態(tài)特性會(huì)隨著電壓級(jí)別的增加而迅速降低，因此抑制了其在電壓高于2kV 牽引設(shè)備（如電力機(jī)車） 應(yīng)用中的發(fā)展。在直流電路中，...

2024-01-17 標(biāo)簽：晶閘管柵極功率晶體管 1387 0

SiC MOSFET：柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-正電壓浪涌對(duì)策

本文的關(guān)鍵要點(diǎn)：通過采取措施防止柵極－源極間電壓的正電壓浪涌，來防止LS導(dǎo)通時(shí)的HS誤導(dǎo)通。如果柵極驅(qū)動(dòng)IC沒有驅(qū)動(dòng)米勒鉗位用MOSFET的控制功能，則...

2023-02-09 標(biāo)簽：MOSFET柵極SiC 1378 0

氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器PCB設(shè)計(jì)必須掌握的要點(diǎn)

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關(guān)。之前...

2023-05-17 標(biāo)簽：柵極驅(qū)動(dòng)電路氮化鎵 1373 0

MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的應(yīng)用

常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件，而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。

2023-05-22 標(biāo)簽：MOSFET晶體管柵極 1355 0

測量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng)：一般測量方法

SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：...

2023-05-08 標(biāo)簽：MOSFET柵極SiC 1286 0

ASDM30N40AE 功率MOSFET — 優(yōu)質(zhì)性能，引領(lǐng)能效革命

隨著全球?qū)δ茉葱屎铜h(huán)保的重視不斷增加，電力管理和控制技術(shù)也在不斷發(fā)展。在這個(gè)變革的時(shí)代，ASDM30N40AE 功率MOSFET憑借其卓越的性能和創(chuàng)新...

2023-06-05 標(biāo)簽：柵極功率MOSFET 1276 0

超結(jié)高壓功率MOSFET驅(qū)動(dòng)參數(shù)對(duì)開關(guān)特性有什么影響

新一代的超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET中有一些在關(guān)斷的過程中溝道具有提前關(guān)斷的特性，因此，它們的關(guān)斷的特性不受柵極驅(qū)動(dòng)電阻的控制，但是，并不是所有的超結(jié)結(jié)構(gòu)...

2023-02-16 標(biāo)簽：柵極功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻 1258 0

閃存的兩種分類

當(dāng)給柵極施加較高的高電平（較高的高電平才能讓電子穿過隧穿層），電子到浮柵層就被絕緣層阻礙了當(dāng)給柵極低電平時(shí)，這時(shí)隧穿層就相當(dāng)于絕緣層，這樣電子就被存儲(chǔ)起...

2023-10-11 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)晶體管 1222 0

半導(dǎo)體器件電荷載流的控制：柵極技術(shù)解析

在電子工程的世界里，柵極是個(gè)魔法般的存在，它就像電路的指揮官，靠著一個(gè)個(gè)小小的動(dòng)作就能控制電荷的流動(dòng)，讓整個(gè)電子系統(tǒng)跳動(dòng)起來

2024-03-14 標(biāo)簽：柵極電荷半導(dǎo)體器件 1157 0

如何通過實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度更大限度地提高SiC牽引逆變器的效率

牽引逆變器是電動(dòng)汽車 (EV) 中消耗電池電量的主要零部件，功率級(jí)別可達(dá) 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動(dòng)汽車單次充電后的行駛里程...

2023-05-23 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車德州儀器柵極 1057 0

SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作

本文將針對(duì)上一篇文章中介紹過的SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路及其導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動(dòng)作進(jìn)行解說。

2023-02-08 標(biāo)簽：MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路 1055 0

晶體管柵極結(jié)構(gòu)形成

柵極（Gate）是晶體管的核心控制結(jié)構(gòu)，位于源極（Source）和漏極（Drain）之間。其功能類似于“開關(guān)”，通過施加電壓控制源漏極之間的電流通斷。例...

2025-03-12 標(biāo)簽：芯片晶體管柵極 1041 0