【科普小貼士】MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理
(1)在漏極為正極的漏極和源極之間施加電壓。(漏極-源極電壓：VDS)
(2)在柵極為正極的柵極和源極之間施加電壓。(柵極-源極電壓：VGS)
(3)其結(jié)果是，電子被吸引到柵極絕緣膜下面的p型層上，部分p型層轉(zhuǎn)變?yōu)閚型區(qū)(p型層中的n型區(qū)稱為“反轉(zhuǎn)層(溝道)”)。
(4)當這個反轉(zhuǎn)層完成時，MOSFET漏極到源極將形成n層路徑。
(n+?n-? 反轉(zhuǎn)層(n)? n+)
(5)因此MOSFET在低電阻下工作，漏極電流由外加VDS和負載流決定。
圖3-6(a)平面柵極MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理
圖3-6(b)溝槽柵極MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理
審核編輯：湯梓紅
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
150文章
8620瀏覽量
220503 -
柵極
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
185瀏覽量
21369 -
源極
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
55瀏覽量
8382
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
MOSFET的基本結(jié)構(gòu)與工作原理
，這些材料在生產(chǎn)方便性和可靠性上都更具有優(yōu)勢。不妨礙對MOSFET結(jié)構(gòu)和基本工作原理的理解，在此仍認為其是金屬材料。和結(jié)型場效應晶體管一樣，在MOSFET中載流子也是從源極經(jīng)過溝道流向
發(fā)表于 06-13 10:07
MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理詳解
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:54 編輯
MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理詳解`
發(fā)表于 08-20 17:27
MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理`
發(fā)表于 08-20 23:25
【科普小貼士】MOSFET性能改進：超級結(jié)MOSFET（SJ-MOS）
【科普小貼士】MOSFET性能改進：超級結(jié)MOSFET（SJ-MOS）
工商網(wǎng)監(jiān)
評論