關(guān)于BJT和MOSFET開關(guān)操作差異的解釋。

（1）基極電壓升高時(shí)，BJT的基極電流開始流動(dòng)，集電極電流與基極電流成正比。大約從0.7V開始發(fā)生電流流動(dòng)。這個(gè)電壓被稱為基極-發(fā)射極閾值電壓（VBE）。為了使集電極電流流動(dòng)，需要提供基極電流，并且需要連續(xù)的驅(qū)動(dòng)功率。（需要低驅(qū)動(dòng)電壓、連續(xù)驅(qū)動(dòng)功率）

（2）由于MOSFET根據(jù)柵極-源極電壓形成一個(gè)溝道，這個(gè)電壓必須是一定的或更高的電壓。一旦溝道形成，導(dǎo)通狀態(tài)繼續(xù)，漏極電流繼續(xù)流動(dòng)，因此所需的驅(qū)動(dòng)功率很小。通過(guò)釋放積聚在柵極中的電荷并移除溝道，它將轉(zhuǎn)變?yōu)殛P(guān)閉狀態(tài)。（驅(qū)動(dòng)電壓高于BJT，驅(qū)動(dòng)功率小）

圖3-5（a）BJT的開關(guān)操作

圖3-5（b）MOSFET的開關(guān)操作

本文轉(zhuǎn)載自：東芝半導(dǎo)體

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