在關(guān)注半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性和可靠性時，我們總會說到ESD和浪涌。浪涌包括浪涌電壓和浪涌電流，是一種上升速度極快，持續(xù)時間很短的尖峰脈沖，能夠在瞬間超出器件穩(wěn)定值的峰值。 ? 任何一個供電系統(tǒng)中，浪涌
2022-06-09 00:04:00
2639 ，并提出3種有效應(yīng)用對策：減小柵極阻抗、采用有源米勒箝位和三級關(guān)斷串?dāng)_抑制電路。其中，減小柵極阻抗可減小感應(yīng)壓降，抑制柵源極過壓；有源米勒箝位技術(shù)使柵源極電壓串?dāng)_波形幅值限制在箝位電 壓范圍；利用三級關(guān)斷串?dāng)_抑制電路技術(shù)，顯著抑制了柵源極電壓的正向抬升和負(fù)向峰值，最后通過試驗仿 真驗證了3種方法的有效性。
2023-06-05 10:14:211845 
今天給大家分享的是：如何抑制電源轉(zhuǎn)換器中浪涌電壓？
2024-01-09 09:50:06842 
急求測試浪涌電壓及尖峰脈沖電壓需要哪些設(shè)備，及測試方法，采納有謝
2016-04-10 19:13:16
是一個18V的TVS二極管，SMBJ18A-HT。U12是穩(wěn)壓器。在TVS的規(guī)格書中指出，SMBJ18A的浪涌電流為20.5A，鉗位電壓為29.2V。對我們的電路來說是完全滿足的，因為我們的穩(wěn)壓器在
2019-11-12 11:10:07
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
Si-MOSFET大得多。而在給柵極-源極間施加18V電壓、SiC-MOSFET導(dǎo)通的條件下，電阻更小的通道部分（而非體二極管部分）流過的電流占支配低位。為方便從結(jié)構(gòu)角度理解各種狀態(tài)，下面還給出了MOSFET的截面圖
2018-11-27 16:40:24
減小，所以耐受時間變長。另外，Vdd較低時發(fā)熱量也會減少，所以耐受時間會更長。由于關(guān)斷SiC-MOSFET所需的時間非常短，所以當(dāng)Vgs的斷路速度很快時，急劇的dI/dt可能會引發(fā)較大的浪涌電壓。請使用
2018-11-30 11:30:41
和設(shè)計案例主要元器件的選型輸入電容器C1與VCC用電容器C2主要部件的選型電感 L1電流檢測電阻 R1輸出電容器 C5輸出整流二極管 D4 EMI對策 實裝PCB板布局與總結(jié)使用SiC-MOSFET
2018-11-27 16:38:39
采用IGBT這種雙極型器件結(jié)構(gòu)（導(dǎo)通電阻變低，則開關(guān)速度變慢），就可以實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高耐壓、快速開關(guān)等各優(yōu)點兼?zhèn)涞钠骷?. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-05-07 06:21:55
SiC-MOSFET的構(gòu)成中，SiC-MOSFET切換（開關(guān)）時高邊SiC-MOSFET的柵極電壓產(chǎn)生振鈴，低邊SiC-MOSFET的柵極電壓升高，SiC-MOSFET誤動作的現(xiàn)象。通過下面的波形圖可以很容易了解這是
2018-11-30 11:31:17
極-源極電壓振鈴。將柵極驅(qū)動放置在緊鄰 SiC MOSFET 的位置，以最小的走線長度將柵極回路電感降至最低。此外，這種做法還有助于使各并聯(lián) MOSFET 設(shè)計之間的共源極電感保持恒定。以最小走線長
2022-03-24 18:03:24
突發(fā)的巨大能量，以保護連接設(shè)備免于受損。最常見的就是電子產(chǎn)品使用過程中會遇到的電壓瞬變和浪涌，從而導(dǎo)致電子產(chǎn)品的損壞，損壞的原因是電子產(chǎn)品中的半導(dǎo)體器件(包括二極管、晶體管、可控硅和集成電路等)被燒毀或擊穿。本文闡述下關(guān)于抑制浪涌的那些解決辦法~
2020-10-22 18:37:10
浪涌電壓/電流產(chǎn)生的原因主要由電壓突變引起的，浪涌電流是指電網(wǎng)中出現(xiàn)的短時間象“浪”一樣的高電壓引起的大電流。當(dāng)某些大容量的電氣設(shè)備接通或斷開時間，由于電網(wǎng)中存在電感，將在電網(wǎng)產(chǎn)生“浪涌電壓”，從而引發(fā)浪涌電流。 簡單形容就像“毛刺”拿示波器看也像“毛刺
2010-05-14 17:12:42
什么是浪涌電流？浪涌電壓是怎樣產(chǎn)生的？
2021-09-29 07:30:33
浪涌電流的抑制——NTC浪涌電流的抑制方法有很多，一般中小功率電源中采用電阻限流的辦法抑制開機浪涌電流。我們分析一下如何使用NTC熱敏電阻進行浪涌電流的抑制。NTC熱敏電阻，即負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻，其
2014-03-20 09:37:32
能力；4、保護絕大多數(shù)的敏感負(fù)載；對于不同的技術(shù)方式來實現(xiàn)由以下兩種：1、電壓限制型；2、電壓開關(guān)型浪拓電子浪涌過電壓保護器件分為鉗位型和開關(guān)型器件。鉗位型過壓保護器件：瞬態(tài)抑制二極管TVS、壓敏電阻
2019-11-08 16:07:56
過電流，一般會采用短路保護、過載保護，使用熱繼電器等方法來避免。2. 繼電器浪涌是怎么產(chǎn)生的在繼電器線圈注入能量以后，開關(guān)斷開的一瞬間，就會產(chǎn)生一個很大的浪涌電壓。這是自身產(chǎn)生的浪涌電壓，雖然是僅僅
2016-12-03 21:09:19
線性浪涌抑制器LT4363。圖7 LT4363的電路架構(gòu)LT4363簡介它能通過控制一個外部N溝道MOSFET的柵極，以在過壓過程中（比如：汽車應(yīng)用中的負(fù)載突降情況）調(diào)節(jié)輸出電壓。輸出被限制在一個安全
2022-04-02 10:33:47
要充分認(rèn)識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
浪涌保護與之相近的是ESD靜電防護。浪涌電壓是導(dǎo)致計算機誤動作、數(shù)據(jù)丟失的主要原因。浪涌電壓也會導(dǎo)致計算機軟損傷，軟損傷就是...
2021-09-13 06:37:58
上一篇文章對全SiC模塊柵極驅(qū)動的評估事項之一“柵極誤導(dǎo)通”進行了介紹。本文將作為“其2”介紹柵極誤導(dǎo)通的處理方法?！?b class="flag-6" style="color: red">柵極誤導(dǎo)通”的抑制方法柵極誤導(dǎo)通的對策方法有三種。①是通過將Vgs降至負(fù)電壓
2018-11-27 16:41:26
復(fù)雜，占用體積較大。為使應(yīng)用這種抑制上電浪涌電流方式，象僅僅串限流電阻一樣方便，本文推出開關(guān)電源上電浪涌電流抑制模塊?！ в邢蘖麟娮璧纳想?b class="flag-6" style="color: red">浪涌電流抑制模塊 將功率電子開關(guān)(可以是MOSFET或SCR
2018-10-08 15:45:13
高電壓浪涌抑制器確保電源可靠操作
2019-06-11 09:41:40
是否有白皮書明確規(guī)定了如何使用 MosFET 開啟特性來抑制浪涌電流？
設(shè)計類似于 TLE9853 評估板，H-bridge 具有更大的 Mosfet。
通過模擬感性負(fù)載，我們 CAN 控制電流
2024-01-29 07:41:55
極驅(qū)動器的優(yōu)勢和期望，開發(fā)了一種測試板，其中測試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標(biāo)準(zhǔn)電壓源驅(qū)動器也在另一塊板上實現(xiàn)，見圖3?！ D3.帶電壓源驅(qū)動器（頂部）和電流源驅(qū)動器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
壓敏電阻、氣體放電管、TVS瞬態(tài)抑制二極管是電路保護中常用的浪涌抑制元件，本文主要介紹著幾種元件的工作原理及特性。壓敏電阻工作原理：壓敏電阻的電壓與電流呈特殊的非線性關(guān)系。當(dāng)壓敏電阻兩端鎖甲的電壓
2018-01-30 15:23:10
部分及其評估而進行調(diào)整，是以非常高的速度進行高電壓和大電流切換的關(guān)鍵。尤其在電路設(shè)計的初步評估階段，使用評估板等工具可使開發(fā)工作順利進行。關(guān)鍵要點:?使用專用柵極驅(qū)動器和緩沖模塊，可顯著抑制浪涌和振鈴。?在損耗方面，Eon增加，Eoff減少。按總損耗（Eon + Eoff）來比較，當(dāng)前損耗減少。
2018-11-27 16:36:43
機理及其對電機的影響作了分析，介紹了抑制微浪涌電壓的技術(shù)，以及最近出現(xiàn)的衰減微浪涌電壓的產(chǎn)品和采用細線徑傳輸為特征的微浪涌抑制組件的工作原理等。
2021-03-10 07:35:56
1、浪涌電壓的產(chǎn)生和抑制原理 在電子系統(tǒng)和網(wǎng)絡(luò)線路上，經(jīng)常會受到外界瞬時過電壓干擾，這些干擾源主要包括：由于通斷感性負(fù)載或啟停大功率負(fù)載，線路故障等產(chǎn)生的操作過電壓；由于雷電等自然現(xiàn)象引起的雷電浪涌
2018-10-10 15:27:02
瞬態(tài)電壓抑制器，是一種二極管形式的高效能保護元件。當(dāng) TVS管的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時，它能以極快的速度，瞬間將其兩極間的高阻抗變?yōu)榈妥杩梗崭哌_數(shù)千瓦的浪涌功率，使兩極間的電壓箝位于一個預(yù)定值
2019-07-22 12:17:19
紹的需要準(zhǔn)確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。找元器件現(xiàn)貨上唯樣商城在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解，其實所講解的內(nèi)容也適用于一般
2022-09-20 08:00:00
抑制器。該電路板的輸入范圍為7V至100V，提供7V至34V輸出，電流為0A至10A。它的輸出是電流限制的。軟啟動功能可在啟動時控制輸出電壓壓擺率，從而減少電流浪涌和電壓過沖。演示板包括一個可選的反極性
2019-05-24 09:08:30
MOSFET中的開關(guān)損耗為0.6 mJ。這大約是IGBT測量的2.5 mJ的四分之一。在每種情況下，均在 800 V、漏極/拉電流 10 A、環(huán)境溫度 150 °C 和最佳柵極-發(fā)射極閾值電壓下進行測試（圖
2023-02-22 16:34:53
母線有浪涌電壓影響變頻器，用浪涌保護器可以嗎？三相電30kw用多大？
2017-04-23 01:56:51
如何抑制LED燈具浪涌電流？
2021-03-16 14:50:00
Q1的柵極、源極間電阻R1并聯(lián)追加電容器C2， 并緩慢降低Q1的柵極電壓，可以緩慢地使RDS(on)變小，從而可以抑制浪涌電流?！鲐?fù)載開關(guān)等效電路圖關(guān)于Nch MOSFET負(fù)載開關(guān)ON時的浪涌電流應(yīng)對
2019-07-23 01:13:34
Transil二極管改為電壓抑制器，例如，金屬氧化物變阻器(圖4中的綠色虛線)。變阻器置于EMI濾波器之后，濾波器阻抗(特別是共式扼流圈的差分式電感)可以限制變阻器吸收電流。 并聯(lián)多個變阻器以更好地限制浪涌電壓
2018-10-11 16:04:02
出現(xiàn)輸入浪涌電流的原因是什么？限制開機浪涌電流有哪些對策？
2021-06-18 07:26:24
極之間連接幾nF的電容。如果希望進一步了解詳細信息，請參考應(yīng)用指南中的“SiC-MOSFET 柵極-源極電壓的浪涌抑制方法”。接下來是關(guān)斷時的波形?？梢钥闯?，TO-247N封裝產(chǎn)品（淺藍色實線
2022-06-17 16:06:12
雷擊和電壓浪涌產(chǎn)生及危害
電壓浪涌是指電子系統(tǒng)額定工作電壓瞬時升高，其幅度達到額定工作電壓的幾倍～幾百倍。電壓浪涌可能引起通信系統(tǒng)的數(shù)據(jù)
2010-05-15 15:01:29
35 浪涌噪聲常用浪涌吸收器進行抑制，常用的浪涌吸收器有：
（1）氧化鋅壓敏電阻
2010-08-25 15:28:370
氣體放電管在浪涌抑制電路的應(yīng)用
摘要：闡述了浪涌電壓產(chǎn)生的機理，介紹了氣體放電管的工作原理、特性參數(shù)和
2009-07-09 10:38:263015 
浪涌電壓抑制器及其應(yīng)用
1浪涌電壓
電路在遭雷擊和在接通、斷開電感負(fù)載或大型負(fù)載時常常會產(chǎn)生很高的操作過電壓，這種瞬時過電壓（或過電流）
2009-07-09 14:59:522076 
繼電器線圈浪涌電壓抑制
繼電器線圈在注入能量以后，在開關(guān)斷開的一瞬間，會產(chǎn)生一個巨大的直流浪涌電壓，這個電壓在高邊開關(guān)的時候是負(fù)電
2009-11-21 14:24:046015 本文對微浪涌電壓的發(fā)生機理及其對電機的影響作了分析，介紹了抑制微浪涌電壓的技術(shù)，以及最近出現(xiàn)的衰減微浪涌電壓的產(chǎn)品和采用細線徑傳輸為特征的微浪涌抑制組件的工作原理
2011-08-04 15:20:053790 LTC4366 浪涌抑制器可保護負(fù)載免遭高壓瞬變的損壞。通過控制一個外部 N 溝道 MOSFET 的柵極，LTC4366 可在過壓瞬變過程中調(diào)節(jié)輸出。在 MOSFET 兩端承載過壓的情況下，負(fù)載可以保持運作狀
2012-09-21 11:37:09111 浪涌（Electrical surge），顧名思義就是瞬間出現(xiàn)超出穩(wěn)定值的峰值，它包括浪涌電壓和浪涌電流。浪涌也叫突波，顧名思義就是超出正常工作電壓的瞬間過電壓。本質(zhì)上講，浪涌是發(fā)生在僅僅幾百萬
2017-08-18 08:59:4613596 密集的、連續(xù)存在的、很窄的尖峰電壓。 本文對微浪涌電壓的發(fā)生機理及其對電機的影響作了分析，介紹了抑制微浪涌電壓的技術(shù)，以及最近出現(xiàn)的衰減微浪涌電壓的產(chǎn)品和采用細線徑傳輸為特征的微浪涌抑制組件的工作原理等。
2017-11-13 16:36:155 浪涌也叫突波，就是超出正常電壓的瞬間過電壓，一般指電網(wǎng)中出現(xiàn)的短時間象“浪”一樣的高電壓引起的大電流。從本質(zhì)上講，浪涌就是發(fā)生在僅僅百萬上之一秒內(nèi)的一種劇烈脈沖。浪涌電壓的產(chǎn)生原因有兩個，一個是雷電，另一個是電網(wǎng)上的大型負(fù)荷接通或斷開（包括補償電容的投切）時產(chǎn)生的。
2018-01-11 11:09:3234153 
本文帶來開關(guān)電源浪涌抑制電路、三個防開機浪涌電流電路和電燈浪涌電流抑制電路圖五個防浪涌電路圖分享。
2018-01-11 11:40:0660969 
對于任何系統(tǒng)而言，保護敏感電子電路免遭電壓瞬變的損害都是不可或缺的部分，不管是汽車、工業(yè)、航天還是電池供電型消費應(yīng)用皆不例外。凌力爾特憑借其浪涌抑制器系列為這些應(yīng)用提供了眾多的解決方案
2018-06-28 09:16:424416 
凌力爾特的浪涌抑制器產(chǎn)品通過采用 MOSFET 以隔離高電壓輸入浪涌和尖峰。
2018-06-28 10:15:005038 
緩解方法。通過在設(shè)計過程早期認(rèn)識到對瞬態(tài)電壓抑制（TVS）器件的需求，工程師可以構(gòu)建更強大的設(shè)計，能夠在許多瞬態(tài)電壓浪涌源中存活。
2019-03-28 08:57:003673 
對于任何系統(tǒng)而言，保護敏感電子電路免遭電壓瞬變的損害都是不可或缺的部分，不管是汽車、工業(yè)、航天還是電池供電型消費應(yīng)用皆不例外。凌力爾特憑借其浪涌抑制器系列為這些應(yīng)用提供了眾多的解決方案。LTC
2019-03-21 06:51:003907 本文首先介紹了浪涌抑制器是什么，然后解釋了浪涌抑制器的作用，最后從分四類的角度對四種浪涌抑制器的工作原理進行了解釋
2019-08-01 16:01:2117797 平時在做浪涌測試時，總是提到的參數(shù)是設(shè)備所能承受的浪涌電壓，如差模2KV，共模4KV等。在選用防浪涌所用的TVS時，也就經(jīng)?？紤]這個問題，TVS哪個參數(shù)能對應(yīng)出不同的浪涌電壓值。
2020-12-26 09:08:259847 
平時在做浪涌測試時，總是提到的參數(shù)是設(shè)備所能承受的浪涌電壓，如差模2KV，共模4KV等。在選用防浪涌所用的TVS時，也就經(jīng)?？紤]這個問題，TVS哪個參數(shù)能對應(yīng)出不同的浪涌電壓值。
2021-03-17 23:57:5734 高電壓浪涌抑制器確保電源可靠操作
2021-03-18 22:29:4815 忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當(dāng)SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時，可能會發(fā)生意想不到的正浪涌或負(fù)浪涌，需要對此采取對策。在本文
2021-06-12 17:12:002563 
忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當(dāng)SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時，可能會發(fā)生意想不到的正浪涌或負(fù)浪涌，需要對此采取對策。 在本文中，我們將對相應(yīng)的對策進行探討。 什么是柵極－源極電壓產(chǎn)生的
2021-06-10 16:11:442121 作為米勒鉗位的替代方案，可以通過增加誤導(dǎo)通抑制電容器來處理。本文將會通過示例來探討正電壓浪涌的對策和其效果。
2022-03-29 17:05:491890 
SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準(zhǔn)確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。
2022-09-14 14:28:53753 電壓浪涌保護器 適用于TN和TT,IT供電系統(tǒng) 具有遙信觸點和失效指示功能 可插拔模塊方便更換 內(nèi)置過溫保護，更安全的失效保護 電壓浪涌保護器應(yīng)用： 交直流系統(tǒng) 新能源 民用建筑 通信 數(shù)據(jù)中心
2022-10-18 14:28:12465 
從本文開始，我們將進入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22250 
在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進行介紹，這也是這個主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
上一篇文章中，簡單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動電路的開關(guān)工作帶來的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細介紹SiC MOSFET在LS導(dǎo)通時的動作情況。
2023-02-08 13:43:23300 
MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。
2023-02-08 13:43:24284 
在上一篇文章中，簡單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開始，將介紹針對所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對策。本文先介紹浪涌抑制電路。
2023-02-09 10:19:15696 
本文的關(guān)鍵要點?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負(fù)電壓浪涌，來防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時，SiC MOSFET的HS誤導(dǎo)通。?具體方法取決于各電路中所示的對策電路的負(fù)載。
2023-02-09 10:19:16589 
關(guān)于SiC功率元器件中柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作”中已進行了詳細說明，如果需要了解,請參閱這篇文章。
2023-02-09 10:19:17707 
忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當(dāng)SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時，可能會發(fā)生意想不到的正浪涌或負(fù)浪涌，需要對此采取對策。在本文中，我們將對相應(yīng)的對策進行探討。
2023-02-28 11:36:50551 
)，基本上沒有問題。然而，直通電流畢竟是降低系統(tǒng)整體效率的直接因素，肯定不是希望出現(xiàn)的狀態(tài)，因此就有必要增加用來來抑制浪涌電壓的電路，以更大程度地確保浪涌電壓不超過SiC MOSFET的VGS(th)。
2023-02-28 11:38:21141 
下圖顯示了同步升壓電路中LS導(dǎo)通時柵極－源極電壓的行為，該圖在之前的文章中也使用過。要想抑制事件（II），即HS（非開關(guān)側(cè)）的VGS的正浪涌，正如在上一篇文章的表格中所總結(jié)的，采用浪涌抑制電路的米勒鉗位用MOSFET Q2、或誤導(dǎo)通抑制電容器C1是很有效的方法（參見下面的驗證電路）。
2023-02-28 11:40:19149 
下圖顯示了同步升壓電路中LS關(guān)斷時柵極－源極電壓的行為，該圖在之前的文章中也使用過。要想抑制事件（IV），即HS（非開關(guān)側(cè)）的VGS的負(fù)浪涌，采用浪涌抑制電路的米勒鉗位用MOSFET Q2、或鉗位用SBD（肖特基勢壘二極管）D3是很有效的方法（參見下面的驗證電路）。
2023-02-28 11:41:23389 
不受管理的浪涌電壓可能會導(dǎo)致系統(tǒng)中斷或損壞，甚至對用戶和操作員造成危險。浪涌保護裝置 (SPD)，也稱為瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS)，通常用于通過限制或阻斷能量來防止電壓浪涌和尖峰。SPD 可以在配電網(wǎng)絡(luò)、建筑物布線和電子系統(tǒng)中找到。IEC 61000-4-5 定義了電氣和電子設(shè)備的浪涌電壓要求。
2023-03-31 09:38:03934 紹的需要準(zhǔn)確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解，其實所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-04-06 09:11:46731 
本文是“SiC MOSFET：柵極－源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結(jié)篇。介紹SiC MOSFET的柵極－源極電壓產(chǎn)生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對策、負(fù)電壓浪涌對策和浪涌抑制電路的電路板
2023-04-13 12:20:02814 紹的需要準(zhǔn)確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解，其實所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-05-08 11:23:14644 浪涌抑制器（Surge Protector）是一種用于保護電子設(shè)備免受電壓浪涌、電流過載和過電壓等電力問題的電氣設(shè)備。它的功能是在電路中限制電壓或電流的突然變化，以保護電子設(shè)備不受損壞。TPS2042BDR浪涌抑制器通常用于電腦、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、家庭電器等電子設(shè)備中。
2023-06-08 18:05:503488 電流，以保護電路不被破壞。 浪涌電流的概念 要了解浪涌電流的消除和抑制方法，首先需要了解浪涌電流的原理。浪涌電流是指電路中的瞬態(tài)電流或瞬變電流，往往產(chǎn)生于電路中斷或開關(guān)的切換過程中。例如，在變壓器的一次側(cè)斷開電
2023-09-02 10:20:591379 抑制浪涌電流的措施有哪些？ 在電路工程中，由于電流的急劇變化，會引起一個短時間內(nèi)電壓突然增加的現(xiàn)象，這就是浪涌電流。這種電流會對電路設(shè)備和設(shè)施產(chǎn)生損害，因此需要采取措施來抑制浪涌電流。接下來，我們
2023-09-04 17:39:401722 如何消除或抑制浪涌電流？抑制浪涌電流的方法有哪些？ 浪涌電流是指電流在電路中突然變化，導(dǎo)致電壓急劇變化。這種電流會破壞電子設(shè)備并對設(shè)備產(chǎn)生不可逆的影響。因此，消除浪涌電流和抑制浪涌電流的方法是非
2023-09-04 17:48:115621 浪涌抑制器的作用是什么？ 浪涌抑制器（Surge Protector）是一種電子保護設(shè)備，通常用于保護家庭和企業(yè)設(shè)備免受急劇電壓變化或突然的電磁脈沖（EMP）等電力干擾的損害。浪涌抑制器可以通過響應(yīng)
2023-09-04 17:48:231220 MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121369 SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作
2023-12-07 14:34:17223 
浪涌過電壓的原因介紹及危害分析 如何降低浪涌過電壓的危害? 浪涌過電壓是指在電力系統(tǒng)中突然出現(xiàn)超過正常工作電壓的短暫過電壓，其持續(xù)時間一般在幾千分之一秒到幾十微秒之間。浪涌過電壓一般由以下原因
2024-01-03 11:20:57463 對于浪涌設(shè)計常有兩種方案，一是采用熔斷電阻器(保險絲電阻)、二是采用電壓鉗位器件(浪涌放電管、壓敏電阻等)。按GB/T17626.5浪涌(沖擊)抗擾度試驗的方法，在市電0°、90°、180°、270°四個相位各打10次浪涌。
2024-01-06 09:23:40262 
今天給大家分享的是： 如何抑制電源轉(zhuǎn)換器中浪涌電壓？ 一、什么是浪涌電流？ 浪涌電流 是 電路打開吸收的最大電流，出現(xiàn)在輸入波形的幾個周期內(nèi)。 浪涌電流的值遠高于電路的穩(wěn)態(tài)電流，高電流可能會損壞設(shè)備
2024-01-09 08:36:061126 
浪涌脈沖群抑制濾波器起什么作用？ 浪涌脈沖群抑制濾波器是一種用于抑制設(shè)備中的浪涌脈沖群的濾波器。浪涌脈沖群是由電源中的過電壓引起的短時間、高能量的脈沖，可以對設(shè)備和系統(tǒng)造成嚴(yán)重影響，甚至導(dǎo)致設(shè)備損壞
2024-01-11 16:27:16167 由于這種開關(guān)工作，受開關(guān)側(cè)LS電壓和電流變化的影響，不僅在開關(guān)側(cè)的LS產(chǎn)生浪涌，還會在同步側(cè)的HS產(chǎn)生浪涌。
2024-01-24 14:10:33139 
為了驗證抑制電路的效果，將抑制電路單獨安裝在SiC MOSFET（SCT3040KR）的驅(qū)動電路上并觀察了其波形。下面是所用SiC MOSFET的外觀和主要規(guī)格，僅供參考。
2024-01-26 12:26:28130 
什么是浪涌電阻器？浪涌電阻有何作用？ 浪涌電阻器也被稱為浪涌保護器、浪涌抑制器或者防雷器，是一種用來保護電氣系統(tǒng)和設(shè)備免受過電壓和浪涌電流影響的裝置。浪涌電阻器通常由金屬氧化物（MOV）和其他材料
2024-02-02 16:17:32158 如何抑制電源轉(zhuǎn)換器中的浪涌電壓？ 電源轉(zhuǎn)換器是電子設(shè)備中常見的組件，其主要功能是將電源輸入轉(zhuǎn)換成穩(wěn)定的輸出電壓和電流。然而，在電源轉(zhuǎn)換過程中，常常會產(chǎn)生浪涌電壓，這可能對電子設(shè)備及其周圍的電路產(chǎn)生
2024-02-04 09:17:00322 浪涌抑制器（MOV）在受到足夠的電壓沖擊并發(fā)生故障時，通常會變成黑色或棕色。此外，有些浪涌抑制器在損壞時可能會變成綠色。
2024-02-18 11:21:29389
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