柵極

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柵極由金屬細(xì)絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。多極電子管中排列在陽極和陰極之間的一個(gè)或多個(gè)具有細(xì)絲網(wǎng)或螺旋線形狀的電極，起控制陰極表面電場(chǎng)強(qiáng)度從而改變陰極發(fā)射電子或捕獲二次放射電子的作用。

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柵極資訊

英特爾重返半導(dǎo)體王者！

這兩代工藝不僅會(huì)首次進(jìn)入埃米級(jí)節(jié)點(diǎn)，同時(shí)還有兩大黑科技——首發(fā)PowerVia背面供電、RibbonFET全環(huán)繞柵極兩大全新技術(shù)，其中前者已經(jīng)在Inte...

2023-06-08 標(biāo)簽：英特爾半導(dǎo)體柵極 822 0

柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用原理與技術(shù)特點(diǎn)

在現(xiàn)代電氣系統(tǒng)中，通常采用“交流電機(jī)+電動(dòng)機(jī)+變頻器”的控制方式。在電機(jī)系統(tǒng)中，一般會(huì)采用齒輪傳動(dòng)、皮帶傳動(dòng)等傳統(tǒng)方式。由于傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)方式在機(jī)械傳動(dòng)過程中...

2023-04-21 標(biāo)簽：整流器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)柵極 1470 0

增強(qiáng)型NMOS管的特性及應(yīng)用電路

此文說明：主要以增強(qiáng)型NMOS管的特性來說明,Vds/Uds、Vgs/Ugs意思一樣，其它類比。

2023-03-10 標(biāo)簽：應(yīng)用電路柵極穩(wěn)壓管 7900 0

新推出的160V MOTIX?三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC

2023-02-10 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 IC 柵極 469 0

MOS晶體管的工作原理

　　MOS管的全稱是 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。

2023-02-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管晶體管 1997 0

MOSFET的電氣特性（靜態(tài)特性IGSS／IDSS／V(BR)DSS／V(BR)DXS）

當(dāng)在漏極和源極短路的情況下在柵極和源極之間施加指定電壓時(shí)產(chǎn)生的漏電流

2022-11-14 標(biāo)簽：電流柵極源極 9255 0

全包圍柵極結(jié)構(gòu)將取代FinFET

FinFET在22nm節(jié)點(diǎn)的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開關(guān)——制造帶來了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比，與柵極三面接觸的“鰭”所形成...

2022-08-01 標(biāo)簽：晶體管柵極 FinFET 1572 0

為什么要設(shè)置這么一個(gè)工作點(diǎn)呢？

接下來，在柵極加一個(gè)固定的直流電壓，使得輸入到柵極的信號(hào)為小信號(hào)Vin和直流電壓VD的疊加。假設(shè)給這個(gè)直流電壓VD=VTH。而Vin=5sinwt mV。

2022-06-28 標(biāo)簽：放大器柵極 1354 0

三星宣布其基于柵極環(huán)繞型晶體管架構(gòu)的3nm工藝技術(shù)已經(jīng)正式流片

目前從全球范圍來說，也就只有臺(tái)積電和三星這兩家能做到5納米工藝以下了。6月29日晚間，據(jù)外媒報(bào)道，三星宣布其基于柵極環(huán)繞型（Gate-all-arou...

2021-07-02 標(biāo)簽：IC 三星電子臺(tái)積電 2981 0

芯片制造即將進(jìn)入原子時(shí)代！

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field-Effect Transistor）是當(dāng)代計(jì)算機(jī)處理器的核心。自從上世紀(jì)60年代以來，一塊典型處理器中的晶體管的數(shù)量便以摩爾定...

2021-06-26 標(biāo)簽：芯片晶體管納米 3167 0

深入剖析MOS管雪崩、SOA失效及發(fā)熱

本文對(duì)MOS失效原因總結(jié)以下六點(diǎn)，然后對(duì)1，2重點(diǎn)進(jìn)行分析： 1、雪崩失效（電壓失效），也就是漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過...

2021-06-22 標(biāo)簽：MOSFET MOS 柵極 9929 0

19個(gè)小技巧教你單片機(jī)5V如何轉(zhuǎn)3.3V電平！

方法一：使用LDO穩(wěn)壓器，從5V電源向3.3V系統(tǒng)供電標(biāo)準(zhǔn)三端線性穩(wěn)壓器的壓差通常是 2.0-3.0V 。要把 5V 可靠地轉(zhuǎn)換為 3.3V，就不能使...

2021-04-16 標(biāo)簽：MOSFET 電壓柵極 4522 0

Hexfets如何為開關(guān)模式電源(SMPS)做出了出色的貢獻(xiàn)

Severns介紹了Hexfets如何為開關(guān)模式電源(SMPS)做出了出色的貢獻(xiàn)。但他明確建議，對(duì)于制造線性放大器或用于任何其他非飽和業(yè)務(wù)，選擇Hexf...

2020-11-11 標(biāo)簽：放大器 MOSFET 柵極 2820 0

柵極驅(qū)動(dòng)器是什么？羅姆有哪些產(chǎn)品

來源：羅姆半導(dǎo)體社區(qū) 柵極驅(qū)動(dòng)器的作用柵極驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)開關(guān)電源如MOSFET,JFET等，因?yàn)镸OSFET有個(gè)柵極電容，在導(dǎo)通之前要先對(duì)該電容充電，...

2022-11-16 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器柵極 1663 0

用萬用表去檢測(cè)MOS管好壞的方法

選用管子型號(hào)為IRF640，如上圖所示，一般在判斷好壞的時(shí)候先對(duì)MOS管放電（三極管就不需要，之所以需要放電是和他的工作原理有關(guān)，這里就不多說了），放電...

2020-04-04 標(biāo)簽：三極管 MOS管柵極 2.5萬 0

氫閘流管的工作原理_氫閘流管的應(yīng)用電路

氫閘流管的工作過程是氣體由放電前的隔離高電壓狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榉烹姾蟮母邔?dǎo)電狀態(tài)過程，把脈沖時(shí)間間隔內(nèi)儲(chǔ)存的能量在脈沖瞬間轉(zhuǎn)換成強(qiáng)功率脈沖輸出。

2020-01-16 標(biāo)簽：加速器柵極 7529 0

柵極源級(jí)漏極分別是什么？模擬電路中柵極源級(jí)漏極的工作原理是什么

源極簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電.柵極由金屬細(xì)絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。漏極在兩個(gè)高摻雜的...

2017-11-23 標(biāo)簽：柵極漏極源級(jí) 29.7萬 0

3D晶體管的優(yōu)點(diǎn)

Intel2011年5月6日研制成功的世界上第一個(gè)3D晶體管“Tri-Gate”現(xiàn)在已經(jīng)逐步進(jìn)入大家的視線了，本文將介紹3D晶體管的一些優(yōu)點(diǎn)。

2012-08-08 標(biāo)簽：3D Intel 晶體管 2172 0

對(duì)稱柵極控制驅(qū)動(dòng)電路

柵極驅(qū)動(dòng)電壓由觸發(fā)脈沖通過推挽輸出電路提供。當(dāng)觸發(fā)脈沖為高電平，V5 截止，推挽輸出電路基極為低電平，V3 截止，V4 導(dǎo)通，從負(fù)載抽取電流，柵極得到負(fù)...

2012-05-03 標(biāo)簽：柵極驅(qū)動(dòng)電路 2011 0

柵極過壓保護(hù)電路

IGBT的柵極出現(xiàn)過壓的原因: 1.靜電聚積在柵極電容上引起過壓.

2011-01-29 標(biāo)簽：過壓保護(hù)柵極 2865 0

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京瓷株式會(huì)社成立于1959年4月1日。川村誠(chéng)為現(xiàn)任代表取締役社長(zhǎng)。資本金為1，157億332萬日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達(dá)到1，181，489百萬日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
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過零檢測(cè)指的是在交流系統(tǒng)中，當(dāng)波形從正半周向負(fù)半周轉(zhuǎn)換時(shí)，經(jīng)過零位時(shí)，系統(tǒng)作出的檢測(cè)?？勺鏖_關(guān)電路或者頻率檢測(cè)。漏電開關(guān)的漏電檢測(cè)是檢測(cè)零序電流。
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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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74LS00是一個(gè)內(nèi)部擁有四個(gè)獨(dú)立的二輸入與非門電路，它滿足與非門的邏輯功能，可以實(shí)現(xiàn)與非門的邏輯功能。共有54/7400、54/74H00、54/74S00、54/74LS00。54XXX

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