來源：羅姆半導體社區(qū)

柵極驅(qū)動器的作用

柵極驅(qū)動器可以驅(qū)動開關電源如MOSFET,JFET等，因為MOSFET有個柵極電容，在導通之前要先對該電容充電，當電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH)時MOSFET才開始導通。這就要求柵極驅(qū)動的柵極電流足夠大，能夠瞬時充滿MOSFET柵極電容。因此，柵極驅(qū)動就是起到驅(qū)動開關電源導通與關閉的作用。

柵極驅(qū)動器工作狀態(tài)

柵極驅(qū)動器工作輸出電壓使開關管導迢并運行于開關狀態(tài)下。這種通過高壓穩(wěn)壓器自給供電的方法就是第節(jié)所介紹的動態(tài)自給電源的方法。管的源極接電流檢測電阻，其電壓加于腳，當該電壓超過峰值電流檢測闡值時，柵極驅(qū)動信號終止，管截止。由于闡值電壓在內(nèi)部設置為，所以，咖管的峰值電流是由檢測電阻決定的。電阻愈大，允許管的漏極電流峰值愈小。在汁算值時，必須考慮電感電流的紋波峰—峰值從，即管漏極電流的峰值，應在四電流人。上再加電感電流的紋波電流峰—峰值之半從，得貝。九的開關頻率由腳的接地電阻及。既來確定，其表達式為]如果，則由上式可以算出它的開關頻率為廣。

由上述分析知，的恒流是由控制管的峰值電流來實現(xiàn)的。當開關管導退后電感電流按兒線性上升，當—煤一闡值時，管關斷，顯然，到達它的電流峰值所用的時間與所用的電感值有關，電感值大，電流上升速度侵，到達峰值所用的時間長反之則短。這樣，流過負載皿的電流大小與電感的大小有關，而非固定值。這種恒流只能算作限流，而非真正意義上的恒流。由于輸出未加電解電容器，所以電流是脈動起伏的，不是直流，其平均值與電感的大小有關。由于工廠生產(chǎn)的電感一般有的誤差，所以，皿的亮度會因電感的差異而有所不IC現(xiàn)貨商同。凡在輸出端末用電解電容器濾波的電路都有類似的問題，千萬不能把它們看做真正的恒流電路。有兩種調(diào)光方法，一是通過改變腳的電壓來改變管的漏極電流。

因為決定管峰值電流闌值的也可以不是內(nèi)部設置的，而通過在腳外加電壓來設置，將一個電位器接在與地之間，其滑動觸點接到，移動觸點位置，使其電壓在一之間變化，就可以使帥管漏極電流及的電流或亮度發(fā)生變化，從而達到線性調(diào)光的目的。如果需要軟啟動，可以在腳接一個電容，讓電壓按一定的速率上升，電流上升是逐漸變化的，從而達到軟啟動的目的。二是通過在腳加信號實現(xiàn)調(diào)光。調(diào)光范圍可以為。在調(diào)光時，的電流或者為，或者為由所設定的值，的亮度是由信號的占空比確定的。

選用低的高壓管，因為是低電壓供電。只有左右，太低會導致管的導通電阻太大，損耗大而效率不高。開關二極管或稱續(xù)流二極管的恢復時間要短，不能存在和開關管同時導通現(xiàn)象，造成兩者ABC電子發(fā)熱嚴重損耗過大，處理不當，有可能使管溫度差—℃。注意處理腳的抗干擾措施，必要時要加濾波元件后才送到腳。

一、MOSFET柵極驅(qū)動器

（一）、MOSFET柵極驅(qū)動器應用

1.分布式電源架構

2.汽車電源

3.高密度

4.電信系統(tǒng)

（二）、MOSFET柵極驅(qū)動器特點

1.欠壓閉鎖功能

2.自適應貫通保護功能

3.自舉電源電壓至 114V

4.1.4A 峰值頂端柵極上拉電流

5.1.75A 峰值底端柵極上拉電流

6.耐熱增強型 8 引腳 MSOP 封裝

7.寬 VCC 電壓：4.5V 至 13.5V

8.1.5Ω 頂端柵極驅(qū)動器下拉電阻

9.0.75Ω 底端柵極驅(qū)動器下拉電阻

10.5ns 頂端柵極下降時間驅(qū)動 1nF 負載

11.8ns 頂端柵極上升時間驅(qū)動 1nF 負載

12.3ns 底端柵極下降時間驅(qū)動 1nF 負載

13.6ns 底端柵極上升時間驅(qū)動 1nF 負載

14.可驅(qū)動高壓側和低壓側 N 溝道

（三）、MOSFET柵極驅(qū)動器的功耗計算

MOSFET柵極驅(qū)動器的功耗包含三部分：

1. 由于柵極電容充電和放電產(chǎn)生的功耗。與柵極電容充電和放電有關。這部分功耗通常是最高的，特別在很低的開關頻率時。

2. 由于柵極驅(qū)動器吸收靜態(tài)電流而產(chǎn)生的功耗。

高電平時和低電平時的靜態(tài)功耗。

3. 柵極驅(qū)動器交越導通（穿通）電流產(chǎn)生的功耗。

由于柵極驅(qū)動器交越導通而產(chǎn)生的功耗，通常這也被稱為穿通。這是由于輸出驅(qū)動級的P溝道和N 溝道場效應管（FET）在其導通和截止狀態(tài)之間切換時同時導通而引起的。

羅姆的柵極驅(qū)動器

羅姆的柵極驅(qū)動器融合了最先進的BiCDMOS工藝和獨創(chuàng)的片上變壓器工藝技術，內(nèi)置絕緣元件。作為內(nèi)置絕緣元件型它實現(xiàn)了業(yè)界最小封裝，為系 統(tǒng)的小型化做出貢獻。而且，比起普通光電耦合器方式，它具備優(yōu)秀的“高抗噪性”、“低消耗電流”、“短延遲時間”、“溫度特性”，并兼顧保 護功能和品質(zhì)要求，為提高系統(tǒng)的可靠性和降低設計負載做出貢獻。

在功率半導體開關工作時的抗噪性方 面，通過新構建最佳電路設計攻克了 該課題。實現(xiàn)業(yè)界最高100kV/μs， 是普通產(chǎn)品的2倍。通過避免出現(xiàn)噪 音導致的誤動作，提高了應用的可靠 性。

在兼顧上述高性能的同時，還運用獨創(chuàng)的絕緣器件成型技術和微細加工技術將絕緣元 件內(nèi)置于柵極驅(qū)動器中，并且實現(xiàn)了業(yè)界最小尺寸(W× D × H = 6.5mm×8.1mm×2.01mm)。通過內(nèi)置絕緣元件，與組合使用絕緣用光電耦合器和柵 極驅(qū)動器時相比，安裝面積可減少50%以上。

審核編輯 黃昊宇